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功率器件心得——功率MOSFET心得
- 功率放大電路是一種以輸出較大功率為目的的放大電路。因此，要求同時輸出較大的電壓和電流。管子工作在接近極限狀態(tài)。一般直接驅(qū)動負(fù)載，帶載能力要強(qiáng)?！ 」β蔒OSFET是較常使用的一類功率器件?！癕OSFET”是英文MetalOxideSemicoductorFieldEffectTransistor的縮寫，譯成中文是“金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管”。它是由金屬、氧化物(SiO2或SiN)及半導(dǎo)體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(PowerMOSFET)是指它能輸出較大的工作電流(幾安到幾十安)，用于功
- 關(guān)鍵字： MOSFET 功率放大電路
第三代半導(dǎo)體技術(shù)、應(yīng)用、市場全解析
- 第一代半導(dǎo)體材料是元素半導(dǎo)體的天下，第一代半導(dǎo)體材料是化合物半導(dǎo)體材料，然而隨著半導(dǎo)體器件應(yīng)用領(lǐng)域的不斷擴(kuò)大，特別是特殊場合要求半導(dǎo)體能夠在高溫、強(qiáng)輻射、大功率等環(huán)境下依然堅挺，第一、二代半導(dǎo)體材料便無能為力，于是賦予使命的第三代半導(dǎo)體材料——寬禁帶半導(dǎo)體材料誕生了。
- 關(guān)鍵字： 寬禁帶半導(dǎo)體 SiC
無畏氮化鎵角逐中功率市場 碳化硅功率元件/模組商機(jī)涌現(xiàn)
- 有鑒于全球環(huán)保意識抬頭，碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)兩種功率轉(zhuǎn)換材料備受矚目。其中，碳化矽掌握早期開發(fā)優(yōu)勢，其功率模組在再生能源與車用電子領(lǐng)域，商機(jī)已紛紛涌現(xiàn)。而主要鎖定低功率市場的氮化鎵，則將緩步進(jìn)軍中功率市場。 可以彌補(bǔ)天然能源不足缺口的再生能源設(shè)備，為聚焦于中功率、高功率應(yīng)用的碳化矽創(chuàng)造大量需求。另一方面，近期豐田汽車(Toyota)在電動車中導(dǎo)入碳化矽(SiC)元件的測試結(jié)果也已出爐，其在改善能源效率、縮小電源控制系統(tǒng)(PCU)尺寸上的效果，明顯勝過矽元件。 臺達(dá)電技術(shù)長暨總
- 關(guān)鍵字： SiC GaN
意法半導(dǎo)體提升車用40V MOSFET的噪聲性能和能效
- 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)發(fā)布兩款40V汽車級MOSFET。新產(chǎn)品采用意法半導(dǎo)體最新的STripFET? F7制造技術(shù)，開關(guān)性能優(yōu)異，能效出色，噪聲輻射極低，耐誤導(dǎo)通能力強(qiáng)。新產(chǎn)品最大輸出電流達(dá)到120A，主要目標(biāo)應(yīng)用包括高電流的動力總成、車身或底盤和安全系統(tǒng)，同時優(yōu)異的開關(guān)特性使其特別適用于電機(jī)驅(qū)動裝置，例如電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)(EPS)。 意法半導(dǎo)體的STripFET系列采用DeepGATE?技
- 關(guān)鍵字： 意法半導(dǎo)體 MOSFET
關(guān)于MOS管失效，說白了就這六大原因
- MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。 目前在市場應(yīng)用方面，排名第一的是消費(fèi)類電子電源適配器產(chǎn)品。而MOS管的應(yīng)用領(lǐng)域排名第二的是計算機(jī)主板、NB、
- 關(guān)鍵字： MOS管 MOSFET
OptiMOS 5 150 V大幅降低導(dǎo)通電阻和反向恢復(fù)電荷
- 英飛凌科技股份公司發(fā)布針對高能效設(shè)計和應(yīng)用的OptiMOS™ 5 150 V產(chǎn)品組合。該產(chǎn)品家族進(jìn)一步壯大了行業(yè)領(lǐng)先的最新一代OptiMOS™ 5功率MOSFET的陣容。新的150 V產(chǎn)品家族專門針對要求低電荷、高功率密度和高耐受性的高性能應(yīng)用而優(yōu)化。它是英飛凌面向低壓馬達(dá)驅(qū)動、通訊電源同步整流和DC/DC Brick同步整流，以及太陽能電源優(yōu)化器等系統(tǒng)解決方案的重要組成部分之一。 更環(huán)保的技術(shù) 英飛凌堅持不懈地研發(fā)適用于高能效設(shè)計的產(chǎn)品，以幫助減少全球二氧化碳排放
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 MOSFET
東芝推出適用于移動設(shè)備中負(fù)載開關(guān)的業(yè)界領(lǐng)先低導(dǎo)通電阻N溝道MOSFET
- 東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布推出適用于智能手機(jī)和平板電腦等移動設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)的N溝道MOSFET，該產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的1]低導(dǎo)通電阻。新產(chǎn)品出貨即日啟動。 新產(chǎn)品系列包括30V“SSM6K513NU”和40V“SSM6K514NU”。這些新MOSFET利用東芝最先進(jìn)的“U-MOS IX-H系列”溝道工藝，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻：“SSM6K513NU”：6.5mOhm以及&
- 關(guān)鍵字： 東芝 MOSFET
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