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sic-mosfet 文章 進(jìn)入sic-mosfet技術(shù)社區(qū)
基于SiC集成技術(shù)的生物電信號(hào)采集方案
- 人體信息監(jiān)控是一個(gè)新興的領(lǐng)域,人們?cè)O(shè)想開發(fā)無線腦電圖(EEG)監(jiān)控設(shè)備來診斷癲癇病人,可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動(dòng)空間,并最終通過因特網(wǎng)實(shí)現(xiàn)家庭監(jiān)護(hù)。這樣的無線EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了,但如何
- 關(guān)鍵字: EEG SiC 生物電信號(hào)采集 IMEC
第三代半導(dǎo)體材料盛行,GaN與SiC如何撬動(dòng)新型功率器件
- GaN 功率管的發(fā)展微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管以及在移動(dòng)通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料,由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn),與剛石等半導(dǎo)體材料一起,被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代
- 關(guān)鍵字: GaN SiC 第三代半導(dǎo)體材料
電源設(shè)計(jì)小貼士43:分立器件——一款可替代集成MOSFET驅(qū)動(dòng)器的卓越解決方案
- 在本設(shè)計(jì)小貼士中,我們來了解一下自驅(qū)動(dòng)同整流器并探討何時(shí)需要分立驅(qū)動(dòng)器來保護(hù)同步整流器柵極免受過高電壓帶來的損壞。理想情況下,您可以利用電源變壓器直接驅(qū)動(dòng)同步整流器,但是由于寬泛的輸入電壓變量,變壓器電壓會(huì)變得很高以至于可能會(huì)損壞同步整流器。
- 關(guān)鍵字: 分立器件 MOSFET 同步整流器 電源設(shè)計(jì)小貼士
電源設(shè)計(jì)小貼士 42:可替代集成MOSFET的分立器件
- 分立器件可以幫助您節(jié)約成本。價(jià)值大約 0.04 美元的分立器件可以將驅(qū)動(dòng)器 IC 成本降低 10 倍。分立驅(qū)動(dòng)器可提供超過2A 的電流并且可以使您從控制 IC 中獲得電力。此外,該器件還可去除控制 IC 中的高開關(guān)電流,從而提高穩(wěn)壓和噪聲性能。
- 關(guān)鍵字: 德州儀器 分立器件 MOSFET 電源設(shè)計(jì)小貼士
電源設(shè)計(jì)小貼士31:同步降壓MOSFET電阻比的正確選擇
- 我們將研究在同步降壓功率級(jí)中如何對(duì)傳導(dǎo)功耗進(jìn)行折中處理,而其與占空比和 FET 電阻比有關(guān)
- 關(guān)鍵字: 德州儀器 電源設(shè)計(jì) 同步降壓 MOSFET 電阻比
電源設(shè)計(jì)小貼士 29:估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升
- 在本《電源設(shè)計(jì)小貼士》中,我們將最終對(duì)一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡(jiǎn)單方法進(jìn)行研究。在《電源設(shè)計(jì)小貼士28》中,我們討論了如何設(shè)計(jì)溫升問題的電路類似方法。我們把熱源建模成了電流源。根據(jù)系統(tǒng)組件的物理屬性,計(jì)算得到熱阻和熱容。遍及整個(gè)網(wǎng)絡(luò)的各種電壓代表各個(gè)溫度。
- 關(guān)鍵字: 熱插拔 MOSFET 網(wǎng)絡(luò)
意法半導(dǎo)體推出5x6mm雙面散熱微型封裝汽車級(jí)功率MOSFET管
- 意法半導(dǎo)體推出了采用先進(jìn)的PowerFLATTM 5x6雙面散熱(DSC)封裝的MOSFET晶體管,新產(chǎn)品可提高汽車系統(tǒng)電控單元(ECU)的功率密度,已被為全球所有的汽車廠商提供先進(jìn)技術(shù)的汽車零配件大廠電裝株式會(huì)社選用。 STLD200N4F6AG和STLD125N4F6AG是40V功率晶體管,可用于汽車電機(jī)控制、電池極性接反保護(hù)和高性能功率開關(guān)。厚度0.8mm的PowerFLATTM 5x6 DSC封裝保留了標(biāo)準(zhǔn)封裝的尺寸和高散熱效率的底部設(shè)計(jì),同時(shí)將頂部的源極曝露在
- 關(guān)鍵字: 意法半導(dǎo)體 MOSFET
ROHM全SiC功率模塊的產(chǎn)品陣容更強(qiáng)大!支持1200V 400A(BSM400D12P3G002)、600A(BSM600D12P3G001),有助于大功率應(yīng)用的高效化與小型化
- <概要> 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM面向工業(yè)設(shè)備用的電源、太陽(yáng)能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器及UPS等的逆變器、轉(zhuǎn)換器,開發(fā)出額定1200V 400A、600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002”、“BSM600D12P3G001”?! ”井a(chǎn)品通過ROHM獨(dú)有的模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)及散熱設(shè)計(jì)優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了600A額定電流,由此,在工業(yè)設(shè)備用大容量電源等更大功率產(chǎn)品中的應(yīng)用成為可能。另外,與普通的同等額定電流的IGBT模塊相比,開關(guān)損耗降低了64%(芯片溫度150℃時(shí)),這非常有助于應(yīng)
- 關(guān)鍵字: ROHM SiC
汽車功率元器件市場(chǎng)前景廣闊
- 汽車功率電子產(chǎn)品正成為半導(dǎo)體行業(yè)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)因素之一。這些電子產(chǎn)品包括功率元器件,是支撐新型電動(dòng)汽車?yán)m(xù)航里程達(dá)到至少200英里的核心部件。 雖然智能手機(jī)的出貨量遠(yuǎn)高于汽車(2015年為14億部[1],汽車銷量為8,800萬輛[2]),但汽車的半導(dǎo)體零件含量卻高得多。汽車功率IC穩(wěn)健增長(zhǎng),2015-2020年該行業(yè)的年復(fù)合增長(zhǎng)率預(yù)計(jì)將達(dá)8%[3]。尤其是電池驅(qū)動(dòng)的電動(dòng)汽車在該行業(yè)成為強(qiáng)勁增長(zhǎng)推動(dòng)力,2015年5月Teardown.com針對(duì)寶馬i3電動(dòng)車的報(bào)告顯示,該車型物料清單中包含100多個(gè)電源
- 關(guān)鍵字: SiC GaN
汽車功率元器件市場(chǎng)前景廣闊
- 雖然智能手機(jī)的出貨量遠(yuǎn)高于汽車(2015年為14億部[1],汽車銷量為8,800萬輛[2]),但汽車的半導(dǎo)體零件含量卻高得多。汽車功率IC穩(wěn)健增長(zhǎng),2015 - 2020年該行業(yè)的年復(fù)合增長(zhǎng)率預(yù)計(jì)將達(dá)8%[3]。尤其是電池驅(qū)動(dòng)的電動(dòng)汽車在該行業(yè)成為強(qiáng)勁增長(zhǎng)推動(dòng)力,2015年5月Teardown.com針對(duì)寶馬i3電動(dòng)車的報(bào)告顯示,該車型物料清單中包含100多個(gè)電源相關(guān)芯片?! ∨c遵循摩爾定律不斷縮小尺寸的先進(jìn)邏輯晶體管不同,功率元器件FET通常運(yùn)用更老的技術(shù)節(jié)點(diǎn),使用200毫米(和
- 關(guān)鍵字: SiC GaN
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