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性價比：SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一點點
- Si MOSFET管因為其輸入阻抗高，隨著其反向耐壓的提高，通態(tài)電阻也急劇上升，從而限制了其在高壓場合的應(yīng)用。SiC作為一種寬禁代半導(dǎo)體器件，具有飽和電子漂移速度高、電場擊穿強度高、介電常數(shù)低和熱導(dǎo)率高等特性。世強代理的Wolfspeed的SiC MOSFET管具有阻斷電壓高、工作頻率高且耐高溫能力強，同時又具有通態(tài)電阻低和開關(guān)損耗小等特點，是高頻高壓場合功率密度提高和效率提高的應(yīng)用趨勢。 SiC與Si性能對比 簡單來說，SiC主要在以下3個方面具有明顯的優(yōu)勢為:擊穿電壓強度高(10倍于S
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Diodes全新100V MOSFET優(yōu)化以太網(wǎng)供電應(yīng)用
- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DMN10H120SFG MOSFET作為符合IEEE 802.3標(biāo)準的48V以太網(wǎng)供電 (PoE) 系統(tǒng)的開關(guān)，能夠通過以太網(wǎng)線纜向無線接入點、VoIP網(wǎng)絡(luò)電話、銷售點終端、呼叫系統(tǒng)、IP網(wǎng)絡(luò)監(jiān)控鏡頭及樓房管理設(shè)備等終端應(yīng)用供電。 在局域網(wǎng)路由器及中跨設(shè)備等供電設(shè)備內(nèi)，100V N通道MOSFET把電源接到五類或六類網(wǎng)線。然后網(wǎng)線就會借由消除供終端設(shè)備內(nèi)的電源降低成本，并提供電力和數(shù)據(jù)。該器件還保障了終端用戶，因為以太網(wǎng)
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業(yè)界首款全SiC功率模塊問世：開關(guān)效率提升10倍
- 集LED照明解決方案、化合物半導(dǎo)體材料、功率器件和射頻于一體的全球著名制造商和行業(yè)領(lǐng)先者CREE公司于近日推出一款全碳化硅半橋功率模塊 CAS300M17BM2。業(yè)界首款全碳化硅1.7kV功率模塊的誕生更加確立了CREE公司在碳化硅功率模塊技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。該模塊不但能在高頻下工作還具有極低的功耗，非常適用于高功率電機驅(qū)動開關(guān)和并網(wǎng)逆變器等應(yīng)用。目前世強已獲授權(quán)代理SiC系列產(chǎn)品。 圖：CAS300M17BM2模塊外觀圖 世強代理的CAS300M17BM2 碳化硅功率模塊采用行業(yè)標(biāo)準
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性價比：SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一點點
- Si MOSFET管因為其輸入阻抗高，隨著其反向耐壓的提高，通態(tài)電阻也急劇上升，從而限制了其在高壓場合的應(yīng)用。SiC作為一種寬禁代半導(dǎo)體器件，具有飽和電子漂移速度高、電場擊穿強度高、介電常數(shù)低和熱導(dǎo)率高等特性。世強代理的Wolfspeed的SiC MOSFET管具有阻斷電壓高、工作頻率高且耐高溫能力強，同時又具有通態(tài)電阻低和開關(guān)損耗小等特點，是高頻高壓場合功率密度提高和效率提高的應(yīng)用趨勢。 SiC與Si性能對比 簡單來說，SiC主要在以下3個方面具有明顯的優(yōu)勢為:擊穿電壓強度高(10倍于S
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用于功率開關(guān)的電阻-電容(RC)緩沖電路設(shè)計
- 功率開關(guān)是所有功率轉(zhuǎn)換器的核心組件。功率開關(guān)的工作性能直接決定了產(chǎn)品的可靠性和效率。若要提升功率轉(zhuǎn)換器開關(guān)電路的性能，可在功率開關(guān)上部署緩沖器，抑制電壓尖峰，并減幅開關(guān)斷開時電路電感產(chǎn)生的振鈴。正確設(shè)計緩沖器可提升可靠性和效率，并降低EMI。在各種不同類型的緩沖器中，電阻電容(RC)緩沖器是最受歡迎的緩沖器電路。本文介紹功率開關(guān)為何需要使用緩沖器。此外還提供一些實用小技巧，助您實現(xiàn)最優(yōu)緩沖器設(shè)計。 圖1： 四種基本的功率開關(guān)電路 有多種不同的拓撲用于功率轉(zhuǎn)換器、
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學(xué)習(xí)總結(jié)之電路是計算出來的
- 簡介：不斷的思考，不斷的理解，不斷的總結(jié)!希望大家堅持下去! 1、CS單管放大電路 共源級單管放大電路主要用于實現(xiàn)輸入小信號的線性放大，即獲得較高的電壓增益。在直流分析時，根據(jù)輸入的直流柵電壓即可提供電路的靜態(tài)工作點，而根據(jù)MOSFET的I-V特性曲線可知，MOSFET的靜態(tài)工作點具有較寬的動態(tài)范圍，主要表現(xiàn)為MOS管在飽和區(qū)的VDS具有較寬的取值范圍，小信號放大時輸入的最小電壓為VIN-VTH，最大值約為VDD，假設(shè)其在飽和區(qū)可以完全表現(xiàn)線性特性，并且實現(xiàn)信號的最大限度放大【理想條件下】
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如何降低MOSFET損耗并提升EMI性能
- 摘要： 本文主要闡述了MOSFET在模塊電源中的應(yīng)用，分析了MOSFET損耗特點，提出了優(yōu)化方法;并且闡述了優(yōu)化方法與EMI之間的關(guān)系。 關(guān)鍵詞：MOSFET 損耗分析 EMI 金升陽R3 一、引言 MOSFET作為主要的開關(guān)功率器件之一，被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對其分析，有利于優(yōu)化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是一味的減少MOSFET的損耗及其他方面的損耗，反而會引起更嚴重的EMI問題，導(dǎo)致整個系統(tǒng)不能穩(wěn)定工作。所以需要在減少MOSFET的損耗
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Power Integrations新推出的725 V InnoSwitch-EP IC為輔助和待機電源帶來革命性變化
- 關(guān)注高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日發(fā)布InnoSwitch™-EP系列恒壓/恒流離線反激式開關(guān)IC。新的IC產(chǎn)品系列采用集成式725 V MOSFET、同步整流和精確的次級反饋檢測控制，因此可提供出色的多路輸出交叉調(diào)整率，同時提供全面的輸入電壓保護和即時動態(tài)響應(yīng)，并且空載功耗低于10 mW。InnoSwitch-EP IC還采用Power Integrations創(chuàng)新的FluxLink™技術(shù)，可設(shè)計出無需光耦的高效率、高精度和
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意法半導(dǎo)體（ST）的先進60V功率MOSFET為提高同步整流電路能效量身定制
- 意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)的槽柵結(jié)構(gòu)低壓MOSFETs STripFET™ F7系列將新增60V的產(chǎn)品線，可協(xié)助電信、服務(wù)器和臺式PC機的電源以及工業(yè)電源和太陽能微逆變器的直流-直流(DC/DC)電源轉(zhuǎn)換器達到嚴格的能效標(biāo)準要求，最大限度提升電源功率密度。 STripFET F7 MOSFET不僅大幅提高了晶體管的導(dǎo)通能效和開關(guān)性能，還簡化了通道間的槽柵結(jié)構(gòu)(trench-gate structure)，實現(xiàn)極低的導(dǎo)通電阻、電容和柵電荷量，并取得
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業(yè)界首款900V SiC MOSFET,導(dǎo)通電阻65 mΩ
- SiC市場領(lǐng)導(dǎo)者Cree(科銳公司)近期推出了首款能夠突破業(yè)界SiC功率器件技術(shù)的900V MOSFET平臺。該款升級版平臺，基于Cree的SiC平面技術(shù)從而擴展了產(chǎn)品組合，能夠應(yīng)對市場更新的設(shè)計挑戰(zhàn)，可用于更高直流母線電壓。且領(lǐng)先于900V超結(jié)Si基MOSFET技術(shù)，擴大了終端系統(tǒng)的功率范圍，在更高溫度時仍能提供低導(dǎo)通電阻Rds(on)，大大減小了熱管理系統(tǒng)的尺寸，很好地解決了散熱及顯著降額的問題。與目前的Si基方案相比， 900V SiC MOSFET平臺為電源轉(zhuǎn)換設(shè)計者提供了更多的創(chuàng)新空間，方便
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SiC功率模塊關(guān)鍵在價格，核心在技術(shù)
- 日前，碳化硅(SiC)技術(shù)全球領(lǐng)導(dǎo)者半導(dǎo)體廠商Cree宣布推出采用 SiC材料可使感應(yīng)加熱效率達到99%的Vds最大值為1.2KV、典型值為5.0 m?半橋雙功率模塊CAS300M12BM2。該款產(chǎn)品目標(biāo)用途包括感應(yīng)加熱設(shè)備、電機驅(qū)動器、太陽能和風(fēng)能逆變器、UPS和開關(guān)電源以及牽引設(shè)備等。 世強代理的CAS300M12BM2外殼采用行業(yè)標(biāo)準的62mm x 106mm x 30mm，封裝則采用Half-Bridge Module，具有超低損耗、高頻率特性以及易于并聯(lián)等特點。漏極電流方面，連續(xù)通電時
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EV/HEV市場可期 SiC/GaN功率器件步入快車道
- 根據(jù)Yole Development預(yù)測，功率晶體管將從硅晶徹底轉(zhuǎn)移至碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)基板，以期能在更小的空間中實現(xiàn)更高功率。 在最新出版的“GaN與SiC器件驅(qū)動電力電子應(yīng)用”(GaN and SiC Devices for Power Electronics Applications)報告中，Yole Development指出，促進這一轉(zhuǎn)型的巨大驅(qū)動力量之一來自電動車(EV)與混合動力車(HEV)產(chǎn)業(yè)。Yole預(yù)期EV/HEV產(chǎn)業(yè)將持續(xù)大力推動Si
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e絡(luò)盟為醫(yī)療、消費電子及可替代能源等應(yīng)用領(lǐng)域新增五款業(yè)內(nèi)首選的威世Super 12系列創(chuàng)新產(chǎn)品
- e絡(luò)盟日前宣布新增多款來自全球半導(dǎo)體和分立器件領(lǐng)先供應(yīng)商威世2015 Super 12系列的創(chuàng)新型無源元件和半導(dǎo)體產(chǎn)品，其中包括電容、電阻及MOSFET，適用于醫(yī)療、消費電子、可替代能源、工業(yè)、電信、計算及汽車電子等各種應(yīng)用領(lǐng)域。 e絡(luò)盟大中華區(qū)區(qū)域銷售總監(jiān)朱偉弟表示：“e絡(luò)盟擁有來自全球領(lǐng)先供應(yīng)商的豐富產(chǎn)品系列，可充分滿足廣大用戶對最新技術(shù)的需求，幫助他們進行產(chǎn)品開發(fā)與制造。此次新增的幾款威世Super 12系列創(chuàng)新型產(chǎn)品均為全球最佳產(chǎn)品。用戶可通過e絡(luò)盟升級版網(wǎng)站，更加快捷地查看
- 關(guān)鍵字： e絡(luò)盟 MOSFET
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