sic-mosfet 文章進(jìn)入sic-mosfet技術(shù)社區(qū)

SiC耐壓更高，適合工控和EV

　　SiC是這兩年剛剛興起的，主要用在工控/工業(yè)上，例如產(chǎn)線機(jī)器人、逆變器、伺服等。車輛方面，主要是電動(dòng)車(EV)，此外還有工廠車間的搬運(yùn)車等特種車。　　相比IGBT，SiC有一些特點(diǎn)，可以做到高頻;做成模塊后，由于適應(yīng)適應(yīng)高頻，外圍器件例如電感你可以減小。因此電壓方面，ROHM推薦1200V的產(chǎn)品，這可體現(xiàn)出耐高壓的特點(diǎn)。　　現(xiàn)在ROHM SiC模塊中，300A是量產(chǎn)中最大的電流(如圖)，由幾個(gè)芯片并聯(lián)在一起的。如果一個(gè)芯片40A左右，就需要約七八個(gè)芯片并聯(lián)，面積只有單個(gè)芯片那么大。絕緣層是由氧
關(guān)鍵字： ROHM SiC

IEGT與SiC降低損耗

　　東芝在工業(yè)領(lǐng)域推出大功率器件——IEGT以及SiC相關(guān)產(chǎn)品。這些產(chǎn)品可以廣泛用到電氣機(jī)車牽引、可再生能源、電力傳輸、工業(yè)變頻、電動(dòng)汽車等工業(yè)領(lǐng)域，這些領(lǐng)域?qū)p小噪聲、裝置體積以及能耗的要求越來越高?！　|芝是全球第一個(gè)商業(yè)化生產(chǎn)IGBT器件的廠家，率先導(dǎo)入了“門級(jí)注入增強(qiáng)”技術(shù)以降低IGBT靜態(tài)損耗，用該技術(shù)注冊(cè)了東芝大功率IGBT的專用商標(biāo)---“IEGT”?！　|芝電子(中國)公司副董事長野村尚司　　目前東芝提供從1700V~4500V的高耐壓產(chǎn)品系列。通過使用高耐壓、高結(jié)溫的IEGT及SiC材料
關(guān)鍵字： IEGT SiC

SiC功率半導(dǎo)體接合部的自我修復(fù)現(xiàn)象，有望改善產(chǎn)品壽命

　　大阪大學(xué)和電裝2016年3月28日宣布，在日本新能源及產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開發(fā)機(jī)構(gòu)(NEDO)的項(xiàng)目下，發(fā)現(xiàn)了有望提高碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體長期可靠性的接合材料自我修復(fù)現(xiàn)象。研究人員發(fā)現(xiàn)，在高溫的設(shè)備工作環(huán)境下，用作接合材料的銀燒結(jié)材料自行修復(fù)了龜裂，這大大提高了SiC半導(dǎo)體在汽車等領(lǐng)域的應(yīng)用可能性。　　此次的SiC接合使用銀膏燒結(jié)粘接法，該方法使用微米級(jí)和亞微米級(jí)的混合銀顆粒膏，以250℃低溫在空氣環(huán)境實(shí)施30分鐘接合工藝，獲得了裸片粘接構(gòu)造。與常見的使用納米顆粒施加高壓的接合方法相比有很多優(yōu)點(diǎn)，包
關(guān)鍵字： SiC 功率半導(dǎo)體

功率MOSFET在正激式驅(qū)動(dòng)電路中的應(yīng)用簡析

　　功率MOSFET在目前一些大功率電源的產(chǎn)品設(shè)計(jì)中得到了廣泛的應(yīng)用，此前本文曾經(jīng)就幾種常見的MOSFET電路設(shè)計(jì)類型進(jìn)行了簡單總結(jié)和介紹。在今天的文章中，本文將會(huì)就這一功率器件的另一種應(yīng)用方式，即有隔離變壓器存在的互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)電路，進(jìn)行簡要分析?！　∮懈綦x變壓器的互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)電路作為一種比較常見的驅(qū)動(dòng)電路形式，在目前的家電產(chǎn)品設(shè)計(jì)中應(yīng)用較多，其典型電路結(jié)構(gòu)如圖1(a)所示。在圖1(a)所給出的電路結(jié)構(gòu)中，V1、V2為互補(bǔ)工作，電容C起隔離直流的作用，T1為高頻、高磁率的磁環(huán)或磁罐。　　
關(guān)鍵字： MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路

入門必看的MOSFET小功率驅(qū)動(dòng)電路知識(shí)分享

　　功率器件MOSFET是目前應(yīng)用頻率最高的電子元件之一，也是很多電子工程師在入門學(xué)習(xí)時(shí)的重點(diǎn)方向。如果設(shè)計(jì)得當(dāng)，MOSFET驅(qū)動(dòng)電路可以幫助工程師快速、高效、節(jié)能的完成電路系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，本文在這里將會(huì)分享一種比較常見的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方案，該方案尤其適用于小功率電路系統(tǒng)的采用?！　∠聢D中，圖1(a)所展示的是一種目前業(yè)內(nèi)比較常用的小功率MOSFET驅(qū)動(dòng)電路，這一電路系統(tǒng)的特點(diǎn)是簡單可靠，且設(shè)計(jì)成本比較低，尤其適用于不要求隔離的小功率開關(guān)設(shè)備。圖1(b)所示驅(qū)動(dòng)電路開關(guān)速度很快，驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)，為防
關(guān)鍵字： MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路

電源的六大酷領(lǐng)域及動(dòng)向

節(jié)能環(huán)保離不開高能效、高密度的功率器件、模塊，以及各種高精度、低能耗的控制和模擬芯片等。在此，本文選取了六大熱門領(lǐng)域：電力電子器件、汽車電源、USB Type-C供受電、無線充電、能量收集、數(shù)據(jù)中心電源，邀請(qǐng)部分領(lǐng)軍企業(yè)介紹了技術(shù)市場(chǎng)動(dòng)向及新產(chǎn)品。
關(guān)鍵字： SiC IGBT 汽車電池 USB Type-C 無線充電能量收集數(shù)據(jù)中心 201604

Diodes 40V車用MOSFET適用于電機(jī)控制應(yīng)用

　　Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的兩款40V車用MOSFET DMTH4004SPSQ及DMTH4005SPSQ溫度額定值高達(dá)+175°C，非常適合在高溫環(huán)境下工作。DMTH4004SPSQ旨在滿足水泵和燃油泵等超過750W的高功率無刷直流電機(jī)應(yīng)用的要求;DMTH4005SPSQ則適用于低功率無刷直流應(yīng)用，包括備用泵和暖通空調(diào)系統(tǒng)。　　DMTH4004SPSQ及DMTH4005SPSQ為滿足三相無刷直流電機(jī)控制應(yīng)用的嚴(yán)格要求，
關(guān)鍵字： Diodes MOSFET

ROHM亮相"2016慕尼黑上海電子展" 豐富產(chǎn)品與技術(shù)吸引觀眾駐足

　　全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM現(xiàn)身在上海新國際博覽中心舉辦的“2016慕尼黑上海電子展(electronica China 2016)”。在本次展會(huì)上展出了ROHM所擅長的模擬電源、以業(yè)界領(lǐng)先的SiC(碳化硅)元器件為首的功率元器件、種類繁多的汽車電子產(chǎn)品、以及能夠?yàn)镮oT(物聯(lián)網(wǎng))的發(fā)展做出貢獻(xiàn)的傳感器網(wǎng)絡(luò)技術(shù)和小型元器件等品類眾多，并且融入了最尖端技術(shù)的產(chǎn)品。這些高新領(lǐng)先的技術(shù)、強(qiáng)勢(shì)多元化的產(chǎn)品、多種熱門應(yīng)用解決方案，吸引了眾多業(yè)內(nèi)外人士駐足及交流?！　?nbsp;
關(guān)鍵字： ROHM SiC

Fairchild新一代PowerTrench MOSFET提供一流性能

　　全球領(lǐng)先的高性能功率半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Fairchild (NASDAQ: FCS) 在2016年APEC上發(fā)布了新一代100V N溝道Power MOSFET旗艦產(chǎn)品——FDMS86181 100V屏蔽柵極PowerTrench? MOSFET。 FDMS86181是Fairchild新一代PowerTrench MOSFET系列的首款器件，能夠使需要100V MOSFET的電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和其他應(yīng)用
關(guān)鍵字： Fairchild MOSFET

怎樣降低MOSFET損耗并提升EMI性能

　　一、引言　　MOSFET作為主要的開關(guān)功率器件之一，被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對(duì)其分析，有利于優(yōu)化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是一味的減少M(fèi)OSFET的損耗及其他方面的損耗，反而會(huì)引起更嚴(yán)重的EMI問題，導(dǎo)致整個(gè)系統(tǒng)不能穩(wěn)定工作。所以需要在減少M(fèi)OSFET的損耗的同時(shí)需要兼顧模塊電源的EMI性能?！　《?、開關(guān)管MOSFET的功耗分析　　　　MOSFET的損耗主要有以下部分組成：1.通態(tài)損耗;2.導(dǎo)通損耗;3.關(guān)斷損耗;4.驅(qū)動(dòng)
關(guān)鍵字： MOSFET EMI

【E課堂】MOSFET管驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)總結(jié)

　　關(guān)于MOSFET很多人都不甚理解，這次小編再帶大家仔細(xì)梳理一下，也許對(duì)于您的知識(shí)系統(tǒng)更加全面。下面是對(duì)MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié)，其中參考了一些資料?！　≡谑褂肕OS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)也是不允許的?！　?、MOS管種類和結(jié)構(gòu)　　MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N
關(guān)鍵字： MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路

同步降壓 MOSFET 電阻比的正確選擇

　　進(jìn)行這種折中處理可得到一個(gè)用于 FET 選擇的非常有用的起始點(diǎn)。通常，作為設(shè)計(jì)過程的一個(gè)組成部分，你會(huì)有一套包括了輸入電壓范圍和期望輸出電壓的規(guī)范，并且需要選擇一些 FET。另外，如果你是一名 IC 設(shè)計(jì)人員，你還會(huì)有一定的預(yù)算，其規(guī)定了 FET 成本或者封裝尺寸。這兩種輸入會(huì)幫助您選擇總 MOSFET 芯片面積。之后，這些輸入可用于對(duì)各個(gè) FET 面積進(jìn)行效率方面的優(yōu)化。　　　　圖 1 傳導(dǎo)損耗與 FET 電阻比和占空比相關(guān) 　　首先，F(xiàn)ET 電阻與其面積成反比例關(guān)系。
關(guān)鍵字： MOSFET

看懂MOSFET數(shù)據(jù)表，第5部分—開關(guān)參數(shù)

　　最后，我們來到了這個(gè)試圖破解功率MOSFET數(shù)據(jù)表的“看懂MOSFET數(shù)據(jù)表”博客系列的收尾部分。在這個(gè)博客中，我們將花時(shí)間看一看MOSFET數(shù)據(jù)表中出現(xiàn)的某些其它混合開關(guān)參數(shù)，并且檢查它們對(duì)于總體器件性能的相關(guān)性(或者與器件性能沒什么關(guān)系)。　　另一方面，諸如FET固有體二極管的輸出電荷 (QOSS) 和反向恢復(fù)電荷(Qrr) 等開關(guān)參數(shù)是造成很多高頻電源應(yīng)用中大部分FET開關(guān)損耗的關(guān)鍵因素。不好意思，我說的這些聽起來有點(diǎn)兒前言不搭后語，不過設(shè)計(jì)人員在根據(jù)這些參數(shù)比較不同
關(guān)鍵字： MOSFET 二極管

估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升——第 2 部分

　　在《估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升——第 1 部分》中，我們討論了如何設(shè)計(jì)溫升問題的電路類似方法。我們把熱源建模成了電流源。根據(jù)系統(tǒng)組件的物理屬性，計(jì)算得到熱阻和熱容。遍及整個(gè)網(wǎng)絡(luò)的各種電壓代表各個(gè)溫度?！　”疚闹?，我們把圖 1 所示模型的瞬態(tài)響應(yīng)與圖 3 所示公開刊發(fā)的安全工作區(qū)域(SOA 曲線)部分進(jìn)行了對(duì)比。　　　　圖 1 將散熱容加到&nb
關(guān)鍵字： MOSFET 電路板

估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升——第 1 部分

　　在本文中，我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法。　　熱插拔電路用于將電容輸入設(shè)備插入通電的電壓總線時(shí)限制浪涌電流。這樣做的目的是防止總線電壓下降以及連接設(shè)備運(yùn)行中斷。通過使用一個(gè)串聯(lián)組件逐漸延長新連接電容負(fù)載的充電時(shí)間，熱插拔器件可以完成這項(xiàng)工作。結(jié)果，該串聯(lián)組件具有巨大的損耗，并在充電事件發(fā)生期間產(chǎn)生溫升。大多數(shù)熱插拔設(shè)備的制造廠商都建議您查閱安全工作區(qū)域 (SOA) 曲線，以便設(shè)備免受過應(yīng)力損害。圖 1 所示
關(guān)鍵字： MOSFET