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ROHM發(fā)布2015年度第一季度(4~6月)財務報告
- ROHM Co., Ltd.(總部：日本 京都，社長 澤村諭，下稱"ROHM")發(fā)布了2015年度第一季度(4~6月)的業(yè)績。 第一季度銷售額為949億2千萬日元(去年同比增長7.4%)，營業(yè)利潤為115億6千7百萬日元(去年同比增長24.7%)。 縱觀電子行業(yè)，在IT相關(guān)市場方面，雖然智能手機和可穿戴設備等市場的行情仍然在持續(xù)走高，然而一直以來都保持持續(xù)增長的平板電腦的普及率的上升勢頭大幅下降，個人電腦市場呈現(xiàn)低迷態(tài)勢。在AV相關(guān)市場方面，雖然4K電視(※1)等高附加
- 關(guān)鍵字： ROHM SiC
專利設計發(fā)功 ROHM量產(chǎn)溝槽式SiC-MOSFET
- SiC-MOSFET技術(shù)新突破。羅姆半導體(ROHM)近日研發(fā)出采用溝槽(Trench)結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET，并已建立完整量產(chǎn)機制。新推出的溝槽式SiC-MOSFET和平面型SiC-MOSFET相比，可降低50%導通電阻，大幅降低太陽能發(fā)電用功率調(diào)節(jié)器和工業(yè)用變流器等設備的功率損耗。 羅姆半導體功率元件制造部部長伊野和英(左2)表示，新發(fā)布的溝槽式SiC-MOSFET采用該公司獨有的雙溝槽結(jié)構(gòu)專利，目前已開始量產(chǎn)。 羅姆半導體應用設計支援部課長蘇建榮表示，相對于Si-IGBT，SiC
- 關(guān)鍵字： ROHM SiC-MOSFET
高精度的功率轉(zhuǎn)換效率測量
- 目前，電動汽車和工業(yè)馬達的可變速馬達驅(qū)動系統(tǒng)，其低損耗·高效率·高頻率的性能正在不斷進化。因為使用了以低電阻、高速開關(guān)為特點的SiC和GaN等新型功率元件的PWM變頻器和AC/DC轉(zhuǎn)換器、DC/DC轉(zhuǎn)換器，其應用系統(tǒng)的普及正在不斷加速。構(gòu)成這些系統(tǒng)的變頻器·轉(zhuǎn)換器·馬達等裝置的開發(fā)與測試則需要相較以前有著更高精度、更寬頻帶、更高穩(wěn)定性的能夠迅速測量損耗和效率的測量系統(tǒng)。 各裝置的損耗和效率與裝置的輸入功率和輸出功率同時測量，利用它們的差和比
- 關(guān)鍵字： SiC GaN 電流傳感器
高頻開關(guān)電源原理
- 導讀：本文主要介紹的是高頻開關(guān)電源的原理，感興趣的盆友們快來學習一下吧~~~很漲姿勢的哦~~~ 1.高頻開關(guān)電源原理--簡介 高頻開關(guān)電源，其英文名稱為Switching Mode Power Supply，又稱交換式電源、開關(guān)變換器以及開關(guān)型整流器SMR，它是一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置。其功能是將一個位準的電壓，透過不同形式的架構(gòu)轉(zhuǎn)換為用戶端所需求的電壓或電流。它主要是通過MOSFET或IGBT的高頻工作，開關(guān)頻率一般控制在50-100kHz范圍內(nèi)，實現(xiàn)高效率和小型化。 2.高頻開關(guān)電源原
- 關(guān)鍵字： 開關(guān)電源 MOSFET 高頻開關(guān)電源原理
一款專為SiC Mosfet設計的DC-DC模塊電源
- SiC Mosfet具有耐高壓、低功耗、高速開關(guān)的特質(zhì)，極大地提升了太陽能逆變器的電源轉(zhuǎn)換效率，拉長新能源汽車的可跑里程，應用在高頻轉(zhuǎn)換器上，為重型電機、工業(yè)設備帶來高效率、大功率、高頻率優(yōu)勢。。。。。。。據(jù)調(diào)查公司Yole developmet統(tǒng)計，SiC Mosfet現(xiàn)有市場容量為9000萬美元，估計在2013-2020年SiC Mosfet市場將每年增長39%。由此可預見，SiC即將成為半導體行業(yè)的新寵! SiC Mosfet對比Si IGBT主要有以下優(yōu)勢： i. 低導通電阻RDS
- 關(guān)鍵字： SiC Mosfet DC-DC
世界首家！ROHM開始量產(chǎn)采用溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET
- 全球知名半導體制造商ROHM近日于世界首家開發(fā)出采用溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET，并已建立起了完備的量產(chǎn)體制。與已經(jīng)在量產(chǎn)中的平面型SiC-MOSFET相比，同一芯片尺寸的導通電阻可降低50%，這將大幅降低太陽能發(fā)電用功率調(diào)節(jié)器和工業(yè)設備用電源、工業(yè)用逆變器等所有相關(guān)設備的功率損耗。 另外，此次開發(fā)的SiC-MOSFET計劃將推出功率模塊及分立封裝產(chǎn)品，目前已建立起了完備的功率模塊產(chǎn)品的量產(chǎn)體制。前期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣)，后期工序的生產(chǎn)基地為
- 關(guān)鍵字： ROHM SiC-MOSFET
Diodes優(yōu)化互補式MOSFET提升降壓轉(zhuǎn)換器功率密度
- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出互補式雙 MOSFET組合DMC1028UFDB，旨在提升直流-直流轉(zhuǎn)換器的功率密度。新產(chǎn)品把N通道MOSFET及P通道MOSFET集成到單一DFN2020封裝。器件設計針對負載點轉(zhuǎn)換器，為專用集成電路提供從3.3V下降到1V的核心電壓。目標應用包括以太網(wǎng)絡控制器、路由器、網(wǎng)絡接口控制器、交換機、數(shù)字用戶線路適配器、以及服務器和機頂盒等設備的處理器。 降壓轉(zhuǎn)換器可利用獨立的脈沖寬度調(diào)制控制器及外部MOSFET來提升設計靈活性，
- 關(guān)鍵字： Diodes MOSFET
宜普電源轉(zhuǎn)換公司擴大具有寬間距、以小尺寸實現(xiàn)大電流承載能力的氮化鎵場效應晶體管（eGaN FET）系列
- 宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出3個采用具有更寬間距連接的布局的氮化鎵場效應晶體管(eGaN FET)。這些產(chǎn)品采用具有1 mm間距的焊球，進一步擴大EPC的“寬間距”器件系列。更寬闊的間距可在器件的底部放置額外及較大的通孔，使得器件以超小型尺寸(2.6 mm x 4.6 mm)實現(xiàn)大電流承載能力。 與具有相同的電阻的先進硅功率MOSFET器件相比，這些全新晶體管的尺寸小很多及其開關(guān)性能高出很多倍，是高頻DC/DC轉(zhuǎn)換器、DC/DC及AC/DC轉(zhuǎn)換器的同步整流應用、馬達驅(qū)動器及D
- 關(guān)鍵字： 宜普電源 MOSFET
基于DSP的雙電動機同步控制平臺設計
- 引言 長期以來，電動機作為機械能和電能的轉(zhuǎn)換裝置，在各個領域得到了廣泛應用。無刷直流電動機綜合了直流電動機和交流電動機的優(yōu)點，既具有交流電動機結(jié)構(gòu)簡單、運行可靠、維護方便的特點，又具有直流電動機運行效率高、調(diào)速性能好的優(yōu)點。正是這些優(yōu)點使得無刷直流電動機在當今國民經(jīng)濟的很多領域得到了廣泛的應用。無刷直流電動機采用電子換向裝置，根據(jù)位置傳感器檢測到的位置信號，通過DSP(數(shù)字信號處理器)產(chǎn)生一定的邏輯控制PWM波形來驅(qū)動電動機，實現(xiàn)無刷直流電動機的平穩(wěn)運轉(zhuǎn)。近年來，隨著工業(yè)的快速發(fā)展，對產(chǎn)品性能的
- 關(guān)鍵字： DSP MOSFET
高壓浪涌抑制器取代笨重的無源組件
- 1 MIL-STD-1275D 的要求 MIL-STD-1275D 定義了各種情況，最重要的是，對穩(wěn)定狀態(tài)工作、啟動干擾、尖峰、浪涌和紋波情況做出了規(guī)定。MIL-STD-1275D 針對 3 種獨立的“工作模式”制定了對上述每一種情況的要求：啟動模式、正常運行模式和僅發(fā)動機模式。 在描述尖峰、浪涌、紋波以及其他要求的細節(jié)之前，先來看一下工作模式。毫不奇怪，“啟動模式”描述的是引擎啟動時發(fā)生的情況;“正常運行模式”描述的
- 關(guān)鍵字： 凌力爾特 MIL-STD-1275D 浪涌 MOSFET 紋波
COOLiRFETTM 5x6mm PQFN平臺提供了高效率、高功率密度并降低了系統(tǒng)成本
- 目前世界每年所生產(chǎn)的800萬輛汽車之中，傳統(tǒng)的12V電池系統(tǒng)仍然是主導技術(shù)，用來為電動汽車提供電源，汽車電氣化的趨勢會繼續(xù)加重12V電池系統(tǒng)的負擔。現(xiàn)在，總負載已經(jīng)輕松達到3 kW或更高。更具創(chuàng)新性的信息娛樂系統(tǒng)(例如數(shù)字視頻和觸摸屏);更復雜的安全特性，如電子駐車制動器(EPB)，防抱死制動系統(tǒng)(ABS);和節(jié)油功能，如電子動力轉(zhuǎn)向(EPS)，起停微混合，48V板網(wǎng)結(jié)構(gòu)……，都能將功率要求提到更高的水平。另一方面，嚴格的整體要求主要在于促進降低油耗，混合和電動汽車迅速增長
- 關(guān)鍵字： COOLiRFET MOSFET DPAK PQFN 硅片
BCM硬件設計的平臺化和半導體化(下)
- 接上篇 4 設計趨勢 目前BCM設計技術(shù)日新月異，主要的趨勢是平臺化靈活性更高，集成度更高和分布式設計者三大方向。另外隨著ISO26262安全規(guī)范的推行，關(guān)于功能安全的考慮在BCM設計中將會得到更多的體現(xiàn)。 4.1 集成度和靈活性 隨著汽車電子的發(fā)展，目前BCM設計的趨勢是平臺化和高集成度化兩個趨勢。平臺化SBC、SPI器件、共用ADC，以及高低邊可配等。 主要通過器件的兼容性來實現(xiàn)。集成度主要是提高器件的集成度，例如采用系統(tǒng)基礎芯片將電源、CAN收發(fā)器、LIN收發(fā)器集成到一個
- 關(guān)鍵字： BCM ECU LED 負載 MOSFET SPI
BCM硬件設計的平臺化和半導體化(中)
- 接上篇 2.2 驅(qū)動類型 在BCM設計中涉及到許多負載，對應不同的負載會采用不同的驅(qū)動類型，主要包括開關(guān)驅(qū)動和LED驅(qū)動兩類。 2.2.1 開關(guān)驅(qū)動 驅(qū)動類型主要是從驅(qū)動負載的電路拓撲加以考慮，主要有高邊驅(qū)動、低邊驅(qū)動、半橋驅(qū)動和全橋驅(qū)動(包括兩相全橋和三相全橋)四種，如圖8所示。 這四種拓撲常采用開關(guān)器件來實現(xiàn)，開關(guān)器件種類很多，其中常見的有機械開關(guān)和半導體開關(guān)兩種，出于能效和壽命方面的優(yōu)勢，目前半導體開關(guān)是BCM設計中的主流選擇。半導體開關(guān)中有三極管、MOSFET和I
- 關(guān)鍵字： BCM ECU LED 負載 MOSFET MCU
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