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Diodes全新100V MOSFET優(yōu)化以太網(wǎng)供電應(yīng)用

　　Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DMN10H120SFG MOSFET作為符合IEEE 802.3標(biāo)準(zhǔn)的48V以太網(wǎng)供電 (PoE) 系統(tǒng)的開(kāi)關(guān)，能夠通過(guò)以太網(wǎng)線(xiàn)纜向無(wú)線(xiàn)接入點(diǎn)、VoIP網(wǎng)絡(luò)電話(huà)、銷(xiāo)售點(diǎn)終端、呼叫系統(tǒng)、IP網(wǎng)絡(luò)監(jiān)控鏡頭及樓房管理設(shè)備等終端應(yīng)用供電。　　在局域網(wǎng)路由器及中跨設(shè)備等供電設(shè)備內(nèi)，100V N通道MOSFET把電源接到五類(lèi)或六類(lèi)網(wǎng)線(xiàn)。然后網(wǎng)線(xiàn)就會(huì)借由消除供終端設(shè)備內(nèi)的電源降低成本，并提供電力和數(shù)據(jù)。該器件還保障了終端用戶(hù)，因?yàn)橐蕴W(wǎng)
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業(yè)界首款全SiC功率模塊問(wèn)世：開(kāi)關(guān)效率提升10倍

　　集LED照明解決方案、化合物半導(dǎo)體材料、功率器件和射頻于一體的全球著名制造商和行業(yè)領(lǐng)先者CREE公司于近日推出一款全碳化硅半橋功率模塊 CAS300M17BM2。業(yè)界首款全碳化硅1.7kV功率模塊的誕生更加確立了CREE公司在碳化硅功率模塊技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。該模塊不但能在高頻下工作還具有極低的功耗，非常適用于高功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)和并網(wǎng)逆變器等應(yīng)用。目前世強(qiáng)已獲授權(quán)代理SiC系列產(chǎn)品。　　圖：CAS300M17BM2模塊外觀圖　　世強(qiáng)代理的CAS300M17BM2 碳化硅功率模塊采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)
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性?xún)r(jià)比：SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一點(diǎn)點(diǎn)

　　Si MOSFET管因?yàn)槠漭斎胱杩垢?，隨著其反向耐壓的提高，通態(tài)電阻也急劇上升，從而限制了其在高壓場(chǎng)合的應(yīng)用。SiC作為一種寬禁代半導(dǎo)體器件，具有飽和電子漂移速度高、電場(chǎng)擊穿強(qiáng)度高、介電常數(shù)低和熱導(dǎo)率高等特性。世強(qiáng)代理的Wolfspeed的SiC MOSFET管具有阻斷電壓高、工作頻率高且耐高溫能力強(qiáng)，同時(shí)又具有通態(tài)電阻低和開(kāi)關(guān)損耗小等特點(diǎn)，是高頻高壓場(chǎng)合功率密度提高和效率提高的應(yīng)用趨勢(shì)。　　SiC與Si性能對(duì)比　　簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，SiC主要在以下3個(gè)方面具有明顯的優(yōu)勢(shì)為:擊穿電壓強(qiáng)度高(10倍于S
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用于功率開(kāi)關(guān)的電阻-電容(RC)緩沖電路設(shè)計(jì)

　　功率開(kāi)關(guān)是所有功率轉(zhuǎn)換器的核心組件。功率開(kāi)關(guān)的工作性能直接決定了產(chǎn)品的可靠性和效率。若要提升功率轉(zhuǎn)換器開(kāi)關(guān)電路的性能，可在功率開(kāi)關(guān)上部署緩沖器，抑制電壓尖峰，并減幅開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí)電路電感產(chǎn)生的振鈴。正確設(shè)計(jì)緩沖器可提升可靠性和效率，并降低EMI。在各種不同類(lèi)型的緩沖器中，電阻電容(RC)緩沖器是最受歡迎的緩沖器電路。本文介紹功率開(kāi)關(guān)為何需要使用緩沖器。此外還提供一些實(shí)用小技巧，助您實(shí)現(xiàn)最優(yōu)緩沖器設(shè)計(jì)。　　　　圖1：四種基本的功率開(kāi)關(guān)電路　　有多種不同的拓?fù)溆糜诠β兽D(zhuǎn)換器、
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學(xué)習(xí)總結(jié)之電路是計(jì)算出來(lái)的

　　簡(jiǎn)介：不斷的思考，不斷的理解，不斷的總結(jié)!希望大家堅(jiān)持下去! 　　1、CS單管放大電路　　共源級(jí)單管放大電路主要用于實(shí)現(xiàn)輸入小信號(hào)的線(xiàn)性放大，即獲得較高的電壓增益。在直流分析時(shí)，根據(jù)輸入的直流柵電壓即可提供電路的靜態(tài)工作點(diǎn)，而根據(jù)MOSFET的I-V特性曲線(xiàn)可知，MOSFET的靜態(tài)工作點(diǎn)具有較寬的動(dòng)態(tài)范圍，主要表現(xiàn)為MOS管在飽和區(qū)的VDS具有較寬的取值范圍，小信號(hào)放大時(shí)輸入的最小電壓為VIN-VTH，最大值約為VDD，假設(shè)其在飽和區(qū)可以完全表現(xiàn)線(xiàn)性特性，并且實(shí)現(xiàn)信號(hào)的最大限度放大【理想條件下】
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如何降低MOSFET損耗并提升EMI性能

　　摘要：本文主要闡述了MOSFET在模塊電源中的應(yīng)用，分析了MOSFET損耗特點(diǎn)，提出了優(yōu)化方法;并且闡述了優(yōu)化方法與EMI之間的關(guān)系。　　關(guān)鍵詞：MOSFET 損耗分析 EMI　　金升陽(yáng)R3 　　一、引言　　MOSFET作為主要的開(kāi)關(guān)功率器件之一，被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對(duì)其分析，有利于優(yōu)化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是一味的減少M(fèi)OSFET的損耗及其他方面的損耗，反而會(huì)引起更嚴(yán)重的EMI問(wèn)題，導(dǎo)致整個(gè)系統(tǒng)不能穩(wěn)定工作。所以需要在減少M(fèi)OSFET的損耗
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Power Integrations新推出的725 V InnoSwitch-EP IC為輔助和待機(jī)電源帶來(lái)革命性變化

　　關(guān)注高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日發(fā)布InnoSwitch™-EP系列恒壓/恒流離線(xiàn)反激式開(kāi)關(guān)IC。新的IC產(chǎn)品系列采用集成式725 V MOSFET、同步整流和精確的次級(jí)反饋檢測(cè)控制，因此可提供出色的多路輸出交叉調(diào)整率，同時(shí)提供全面的輸入電壓保護(hù)和即時(shí)動(dòng)態(tài)響應(yīng)，并且空載功耗低于10 mW。InnoSwitch-EP IC還采用Power Integrations創(chuàng)新的FluxLink™技術(shù)，可設(shè)計(jì)出無(wú)需光耦的高效率、高精度和
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意法半導(dǎo)體（ST）的先進(jìn)60V功率MOSFET為提高同步整流電路能效量身定制

　　意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST)的槽柵結(jié)構(gòu)低壓MOSFETs STripFET™ F7系列將新增60V的產(chǎn)品線(xiàn)，可協(xié)助電信、服務(wù)器和臺(tái)式PC機(jī)的電源以及工業(yè)電源和太陽(yáng)能微逆變器的直流-直流(DC/DC)電源轉(zhuǎn)換器達(dá)到嚴(yán)格的能效標(biāo)準(zhǔn)要求，最大限度提升電源功率密度。　　STripFET F7 MOSFET不僅大幅提高了晶體管的導(dǎo)通能效和開(kāi)關(guān)性能，還簡(jiǎn)化了通道間的槽柵結(jié)構(gòu)(trench-gate structure)，實(shí)現(xiàn)極低的導(dǎo)通電阻、電容和柵電荷量，并取得
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業(yè)界首款900V SiC MOSFET,導(dǎo)通電阻65 mΩ

　　SiC市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者Cree(科銳公司)近期推出了首款能夠突破業(yè)界SiC功率器件技術(shù)的900V MOSFET平臺(tái)。該款升級(jí)版平臺(tái)，基于Cree的SiC平面技術(shù)從而擴(kuò)展了產(chǎn)品組合，能夠應(yīng)對(duì)市場(chǎng)更新的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，可用于更高直流母線(xiàn)電壓。且領(lǐng)先于900V超結(jié)Si基MOSFET技術(shù)，擴(kuò)大了終端系統(tǒng)的功率范圍，在更高溫度時(shí)仍能提供低導(dǎo)通電阻Rds(on)，大大減小了熱管理系統(tǒng)的尺寸，很好地解決了散熱及顯著降額的問(wèn)題。與目前的Si基方案相比， 900V SiC MOSFET平臺(tái)為電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)者提供了更多的創(chuàng)新空間，方便
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SiC功率模塊關(guān)鍵在價(jià)格，核心在技術(shù)

　　日前，碳化硅(SiC)技術(shù)全球領(lǐng)導(dǎo)者半導(dǎo)體廠商Cree宣布推出采用 SiC材料可使感應(yīng)加熱效率達(dá)到99%的Vds最大值為1.2KV、典型值為5.0 m?半橋雙功率模塊CAS300M12BM2。該款產(chǎn)品目標(biāo)用途包括感應(yīng)加熱設(shè)備、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、太陽(yáng)能和風(fēng)能逆變器、UPS和開(kāi)關(guān)電源以及牽引設(shè)備等。　　世強(qiáng)代理的CAS300M12BM2外殼采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的62mm x 106mm x 30mm，封裝則采用Half-Bridge Module，具有超低損耗、高頻率特性以及易于并聯(lián)等特點(diǎn)。漏極電流方面，連續(xù)通電時(shí)
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EV/HEV市場(chǎng)可期 SiC/GaN功率器件步入快車(chē)道

　　根據(jù)Yole Development預(yù)測(cè)，功率晶體管將從硅晶徹底轉(zhuǎn)移至碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)基板，以期能在更小的空間中實(shí)現(xiàn)更高功率。　　在最新出版的“GaN與SiC器件驅(qū)動(dòng)電力電子應(yīng)用”(GaN and SiC Devices for Power Electronics Applications)報(bào)告中，Yole Development指出，促進(jìn)這一轉(zhuǎn)型的巨大驅(qū)動(dòng)力量之一來(lái)自電動(dòng)車(chē)(EV)與混合動(dòng)力車(chē)(HEV)產(chǎn)業(yè)。Yole預(yù)期EV/HEV產(chǎn)業(yè)將持續(xù)大力推動(dòng)Si
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全新英飛凌功率MOSFET系列使電動(dòng)工具更緊湊耐用

　　DIY工具，比如無(wú)線(xiàn)電鉆和電鋸必須方便使用且經(jīng)久耐用。因此，其所用的電子元件必須緊湊、堅(jiān)固。英飛凌科技股份公司擴(kuò)展StrongIRFET™ Power MOSFET產(chǎn)品系列，推出同時(shí)滿(mǎn)足緊湊和耐用要求的解決方案。新推出的邏輯電平 StrongIRFET™ 器件可以直接由單片機(jī)驅(qū)動(dòng)，節(jié)省空間和降低成本。此外，StrongIRFET™十分堅(jiān)固耐用，幫助延長(zhǎng)電子產(chǎn)品的使用壽命。　　經(jīng)過(guò)實(shí)驗(yàn)證明StrongIRFET系列器件能夠最大限度提高電動(dòng)工具的能效。這次邏輯電
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e絡(luò)盟為醫(yī)療、消費(fèi)電子及可替代能源等應(yīng)用領(lǐng)域新增五款業(yè)內(nèi)首選的威世Super 12系列創(chuàng)新產(chǎn)品

　　e絡(luò)盟日前宣布新增多款來(lái)自全球半導(dǎo)體和分立器件領(lǐng)先供應(yīng)商威世2015 Super 12系列的創(chuàng)新型無(wú)源元件和半導(dǎo)體產(chǎn)品，其中包括電容、電阻及MOSFET，適用于醫(yī)療、消費(fèi)電子、可替代能源、工業(yè)、電信、計(jì)算及汽車(chē)電子等各種應(yīng)用領(lǐng)域。　　e絡(luò)盟大中華區(qū)區(qū)域銷(xiāo)售總監(jiān)朱偉弟表示：“e絡(luò)盟擁有來(lái)自全球領(lǐng)先供應(yīng)商的豐富產(chǎn)品系列，可充分滿(mǎn)足廣大用戶(hù)對(duì)最新技術(shù)的需求，幫助他們進(jìn)行產(chǎn)品開(kāi)發(fā)與制造。此次新增的幾款威世Super 12系列創(chuàng)新型產(chǎn)品均為全球最佳產(chǎn)品。用戶(hù)可通過(guò)e絡(luò)盟升級(jí)版網(wǎng)站，更加快捷地查看
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Fairchild推出業(yè)內(nèi)首款8x8 Dual Cool封裝的中壓MOSFET

　　全球領(lǐng)先的高性能功率半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Fairchild (NASDAQ: FCS) 推出了其行業(yè)領(lǐng)先的中壓MOSFET產(chǎn)品，采用了8x8 Dual Cool封裝。這款新型Dual Cool 88 MOSFET為電源轉(zhuǎn)換工程師替換體積大的D2-PAK封裝提供了卓越的產(chǎn)品，在尺寸縮減了一半的同時(shí)，提供了更高功率密度和更佳效率，且通過(guò)在封裝上下表面同時(shí)流動(dòng)的氣流提高了散熱性能。　　Castle Creations, Inc首席執(zhí)行官Patrick Castillo說(shuō)：“在我們?yōu)槊恳晃?/li>
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矢野經(jīng)濟(jì)研究所：SiC功率半導(dǎo)體將在2016年形成市場(chǎng)

　　矢野經(jīng)濟(jì)研究所2014年8月4日公布了全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的調(diào)查結(jié)果。　　 ? 　　全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模的推移變化和預(yù)測(cè)(出處：矢野經(jīng)濟(jì)研究所) (點(diǎn)擊放大) 　　2013年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模(按供貨金額計(jì)算)比上年增長(zhǎng)5.9%，為143.13億美元。雖然2012年為負(fù)增長(zhǎng)，但2013年中國(guó)市場(chǎng)的需求恢復(fù)、汽車(chē)領(lǐng)域的穩(wěn)步增長(zhǎng)以及新能源領(lǐng)域設(shè)備投資的擴(kuò)大等起到了推動(dòng)作用。　　預(yù)計(jì)2014年仍將繼續(xù)增長(zhǎng)，2015年以后白色家電、汽車(chē)及工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的需求有望擴(kuò)大。矢野經(jīng)濟(jì)研究
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