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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> sic-mosfet

          凌力爾特推出反激式副邊同步整流器驅(qū)動器 LT8309

          • 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出反激式副邊同步整流器驅(qū)動器 LT8309,該器件采用 MOSFET 取代了輸出二極管,無需使用散熱器就可允許高達 10A 的輸出電流。
          • 關(guān)鍵字: 凌力爾特  LT8309  MOSFET  

          下一代晶體管技術(shù)何去何從

          • 電子技術(shù)發(fā)展至今,主要在拼什么?功耗、成本、快速性成為很多公司對外宣傳的殺手锏,那么在這個速食的時代,下一代晶體管技術(shù)又將何去何從呢?
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  晶體管  

          凌力爾特推出大功率兩相單輸出同步升壓型 DC/DC 控制器

          • 2014 年 2 月 19 日,凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出大功率兩相單輸出同步升壓型 DC/DC 控制器 LTC3784,該器件采用高效率 N 溝道 MOSFET 取代了整流升壓二極管。
          • 關(guān)鍵字: 凌力爾特  LTC3784  DC/DC  MOSFET  

          模擬電子—從放大器說起(四):反饋

          • 在了解了三極管/MOSFET的原理之后,就可以涉及具體的電路來放大信號了。但是剛一拿起鉛筆和稿紙就發(fā)現(xiàn)一個非常現(xiàn)實的問題那就是三極管或者是MOSFET的放大倍數(shù)都不是那么穩(wěn)定的,例如說三極管的電流增益Beta就是受到工藝影響非常大的一個指標,如果我們要對信號進行非常精準的放大僅僅依靠三極管的原生放大倍數(shù)肯定是不行的。
          • 關(guān)鍵字: 三極管  MOSFET  放大器  電路  增益  

          飛兆全新中壓MOSFET采用空間節(jié)省型封裝可優(yōu)化電能應(yīng)用

          • 2014年2月13日,許多終端應(yīng)用 – 比如IP電話、電機控制電路、有源鉗位開關(guān)和負載開關(guān) – 需要以更小的尺寸提供更高的能效,以便滿足制造商的要求。飛兆半導(dǎo)體開發(fā)了FDMC86xxxP系列P溝道PowerTrench? MOSFET,在尺寸減小的同時可實現(xiàn)卓越的開關(guān)速度和功耗性能。
          • 關(guān)鍵字: 飛兆  MOSFET  

          Vishay推出具有業(yè)內(nèi)最低RDS(on)的P溝道MOSFET

          • 2014 年 1 月22 日,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP,擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
          • 關(guān)鍵字: Vishay  MOSFET  Si7157DP  

          省毫瓦以增里程;提升汽車CAN總線能效以增強燃油經(jīng)濟性

          • 對于傳統(tǒng)乘用車而言,油箱是唯一的實際能源來源,故制造商們尋求在包括電子系統(tǒng)在內(nèi)的所有汽車系統(tǒng)中節(jié)能,以進一步改善燃油經(jīng)濟性及二氧化碳(CO2)排放。隨著汽車中增添的電子系統(tǒng)的數(shù)量不斷增多,以增強汽車性能及安全性,并為購買者提供有吸引力的新功能,汽車中每個電子控制單元(ECU)的節(jié)能效果較低的話,就會使總油耗大幅增加。
          • 關(guān)鍵字: CAN  SBC  MOSFET  轉(zhuǎn)換器  ECU  

          電子元器件科普小知識:功率MOSFET的基礎(chǔ)知識

          • 什么是功率MOSFET我們都懂得如何利用二極管來實現(xiàn)開關(guān),但是,我們只能對其進行開關(guān)操作,而不能逐漸控制信號流。...
          • 關(guān)鍵字: 電子元器件  MOSFET  

          非傳統(tǒng)MOSFET方案提高功率CMOS器件功效的方法

          • 衷于從縮小晶體管來提高密度和性能。在相同的成本上具有更快的速度、更大的內(nèi)存,是一件多么美妙的事情!越來...
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  CMOS器件  

          基于功率場效應(yīng)管(MOSFET)的結(jié)構(gòu)工作原理及應(yīng)用

          • 本文將介紹功率MOSFET(場效應(yīng)管)的結(jié)構(gòu)、工作原理及基本工作電路。什么是MOSFET(場效應(yīng)管)“MOSFET(場效應(yīng)...
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  工作原理  應(yīng)用  

          開關(guān)電源設(shè)計中MOSFET驅(qū)動技術(shù)詳解

          • MOSFET作為功率開關(guān)管,已經(jīng)是是開關(guān)電源領(lǐng)域的絕對主力器件。雖然MOSFET作為電壓型驅(qū)動器件,其驅(qū)動表面上看來...
          • 關(guān)鍵字: 開關(guān)電源  MOSFET  驅(qū)動技術(shù)  

          節(jié)能技術(shù)獲支持 功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進黃金期

          •   據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會的相關(guān)人士透露,有關(guān)促進半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的綱要性文件已草擬完畢,目前正在進行部際協(xié)調(diào)。獲悉,政策扶持的重點將主要集中于集成電路的設(shè)計和制造方面,尤其是本土自主核心產(chǎn)業(yè)龍頭企業(yè),功率半導(dǎo)體將迎來重要戰(zhàn)略機遇期和黃金發(fā)展期。   功率半導(dǎo)體是節(jié)能減排的關(guān)鍵技術(shù)和基礎(chǔ)技術(shù),被大量應(yīng)用于消費類電子、新能源汽車、光伏發(fā)電、風(fēng)電、工業(yè)控制和國防裝備。2013年以來我國大部分地區(qū)霧霾天氣頻發(fā),在這種背景下,大規(guī)模使用功率半導(dǎo)體來提高能源效率、促進節(jié)能減排,也成為半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的重要方向。   
          • 關(guān)鍵字: 功率半導(dǎo)體產(chǎn)  MOSFET  

          SiC元件“真命天子” 溝道MOSFET即將實用化

          • 高品質(zhì)的150mm口徑SiC基板已經(jīng)實現(xiàn)。我們將利用這種基板,在2015年投產(chǎn)“溝道型”SiCMOSFET’。在‘CEATECJ...
          • 關(guān)鍵字: SiC元件  MOSFET  

          預(yù)驅(qū)動器和MOSFET控制功率負載的電路設(shè)計

          • 隨著汽車電子設(shè)備的不斷增多,如自動變速箱,電動后視鏡折疊、中控自動門鎖等高級功能的普及,我們電控模塊的驅(qū)動...
          • 關(guān)鍵字: 預(yù)驅(qū)動器  MOSFET  控制功率  

          MOSFET封裝伸援助之手 滿足芯片組移動新功能

          • 面臨為需求若渴的移動設(shè)備市場提供新功能壓力的設(shè)計人員正在充分利用全新亞芯片級封裝(sub-CSP)技術(shù)的優(yōu)勢,...
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  封裝  
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