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DC/DC轉(zhuǎn)換器空間受限的解決方案
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
- 關(guān)鍵字： DC/DC轉(zhuǎn)換器 寬電流 MOSFET 集成型穩(wěn)壓器
具高級輸入和負載保護功能的10A μModule降壓型穩(wěn)壓器
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
- 關(guān)鍵字： 降壓型穩(wěn)壓器 負載保護 MOSFET LTM4641 μModule
東芝擴大650V碳化硅肖特基勢壘二極管產(chǎn)品陣容
- 東京—東芝公司(TOKYO：6502)旗下的半導(dǎo)體&存儲產(chǎn)品公司今天宣布，該公司將通過添加TO-220F-2L絕緣封裝產(chǎn)品擴大其650V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)系列產(chǎn)品。四款新產(chǎn)品將擴大現(xiàn)有TO-220-2L封裝產(chǎn)品的6A、8A、10A和12A陣容。量產(chǎn)出貨即日啟動?！ BD適合各種應(yīng)用，包括光伏發(fā)電系統(tǒng)用的服務(wù)器電源和功率調(diào)節(jié)器。此外，它還可作為開關(guān)電源中的硅二極管的替換件，能夠?qū)⑿侍嵘?0%(東芝調(diào)查)?！ iC功率器件提供比當前硅器件更加穩(wěn)定的運行，即便是在高電壓
- 關(guān)鍵字： 東芝 SBD SiC
IR新品AUIRFN8403提供緊湊5x6mm PQFN封裝
- 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商——國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)推出汽車級COOLiRFET功率MOSFET AUIRFN8403，適合需要極小占位面積和大電流性能的汽車應(yīng)用，包括泵電機控制和車身控制等?！ ∈褂镁o湊5x6mm PQFN封裝的AUIRFN8403，是IR運用該公司最先進的COOLiRFET 40V溝道技術(shù)的全新器件系列的首款產(chǎn)品，具有3.3 mΩ超低導(dǎo)通電阻和95A大電流承載能力。PQFN封裝具有加長管腳，管腳的端口通過電鍍進行焊接，從而
- 關(guān)鍵字： IR MOSFET COOLiRFET
美國阿肯色大學(xué)設(shè)計工作溫度超過350°C的SiC基集成電路
- 美國阿肯色大學(xué)研究人員已經(jīng)設(shè)計出可在溫度高于350°C (大約660°F)時工作的集成電路。該研究由美國國家科學(xué)基金(NSF)提供資助，研究成果可以提高用于電力電子設(shè)備、汽車和航空航天設(shè)備領(lǐng)域的處理器、驅(qū)動器、控制器和其他模擬與數(shù)字電路的功能，因為所有這些應(yīng)用場合的電子設(shè)備都必須在高溫甚至經(jīng)常在極限溫度下運行。 阿肯色大學(xué)電子工程學(xué)院特聘教授Alan Mantooth說，“堅固性允許這些電路被放置在標準硅基電路部件無法工作的地方。我們設(shè)計了性能優(yōu)越的信號處理電路模
- 關(guān)鍵字： SiC 集成電路
東芝擴大650V碳化硅肖特基勢壘二極管產(chǎn)品陣容
- 東京—東芝公司(TOKYO：6502)旗下的半導(dǎo)體&存儲產(chǎn)品公司今天宣布，該公司將通過添加TO-220F-2L絕緣封裝產(chǎn)品擴大其650V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)系列產(chǎn)品。四款新產(chǎn)品將擴大現(xiàn)有TO-220-2L封裝產(chǎn)品的6A、8A、10A和12A陣容。量產(chǎn)出貨即日啟動?！ BD適合各種應(yīng)用，包括光伏發(fā)電系統(tǒng)用的服務(wù)器電源和功率調(diào)節(jié)器。此外，它還可作為開關(guān)電源中的硅二極管的替換件，能夠?qū)⑿侍嵘?0%(東芝調(diào)查)。 SiC功率器件提供比當前硅器件更加穩(wěn)定的運行，即便是在高電壓
- 關(guān)鍵字： 東芝 SBD SiC
新日本無線變身綜合電子元器件供應(yīng)商
- ]新日本無線的MEMS傳感器累計出貨量突破1億枚，這是新日本無線執(zhí)行董事兼電子元器件事業(yè)部長村田隆明先生今年來訪時帶來的最新消息，同時在SAW濾波器、MOSFET、光電半導(dǎo)體器件、功率半導(dǎo)體器件和最新型運算放大器等各個方面都有了長足的進步。 記得去年七月份村田隆明來到本刊時，詳細介紹了新日本無線將向綜合電子元器件供應(yīng)商轉(zhuǎn)型的發(fā)展戰(zhàn)略，而今表明這一戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型已經(jīng)初步完成。 電子元器件業(yè)務(wù)已占贏收85% 縱觀新日本無線公司歷長達50多年的發(fā)展歷程，可以看到其業(yè)務(wù)構(gòu)成主要是獨特的模擬技術(shù)和微
- 關(guān)鍵字： MEMS MOSFET 濾波器
IR為工業(yè)應(yīng)用推出大罐式DirectFET MOSFET系列
- 球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出大罐式DirectFET MOSFET系列，適用于要求極低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 的工業(yè)應(yīng)用，包括大功率直流電機，直流/交流逆變器，以及動態(tài)ORing熱插拔和電熔絲等大電流開關(guān)應(yīng)用。 全新7mm x 9mm x 0.7mm大罐式封裝器件提供卓越的導(dǎo)通電阻性能，從而實現(xiàn)較低的導(dǎo)通損耗和更理想的系統(tǒng)效率。這款大罐式產(chǎn)品與中罐式和小罐式DirectFET器件相似，具備
- 關(guān)鍵字： IR MOSFET DirectFET
東芝電子攜多款功率器件產(chǎn)品參加PCIM 2014
- 日本半導(dǎo)體制造商株式會社東芝(Toshiba)旗下東芝半導(dǎo)體&存儲產(chǎn)品公司宣布，將參加在上海舉行的“上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會”(PCIM Asia 2014 )。本次展會于2014年6月17日至19日在上海世博展覽館拉開帷幕，東芝半導(dǎo)體&存儲產(chǎn)品公司此次將展示其最新的、應(yīng)用在電力領(lǐng)域的技術(shù)和產(chǎn)品?！ ≌故井a(chǎn)品簡介: 1. IEGT (Injection Enhanced Gate Transistor) 東芝在IGBT的基礎(chǔ)上成功研發(fā)出“注入增強”(IE：Inject
- 關(guān)鍵字： 東芝 IEGT SiC
EPC瞄準氮化鎵功率器件市場興起機遇
- 功率器件一直都是由材料引導(dǎo)技術(shù)革新，硅材質(zhì)的MOSFET已經(jīng)應(yīng)用多年，現(xiàn)在面臨在功率密度、工作溫度和更高電壓方面的技術(shù)挑戰(zhàn)，而解決這一問題最根本的辦法是采用更高性能的材料。 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)是首家推出替代功率MOSFET器件的增強型氮化鎵(eGaN)場效應(yīng)晶體管的公司，他們希望借助技術(shù)優(yōu)勢快速推廣其技術(shù)和產(chǎn)品，并于未來數(shù)年間取代硅功率MOSFET器件及IGBT，搶奪超過百億美元的功率轉(zhuǎn)換市場份額。 增強型氮化鎵(eGaN)場效應(yīng)晶體管作為寬頻隙器件，其優(yōu)勢包括具有更高功率密度、更
- 關(guān)鍵字： MOSFET EPC eGaN 201406
Vishay榮獲《電子產(chǎn)品世界》2013年度電源產(chǎn)品獎
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，該公司的Si8851EDB TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET榮獲《電子產(chǎn)品世界》雜志的2013年度電源產(chǎn)品獎。 《電子產(chǎn)品世界》年度電源產(chǎn)品獎評選已經(jīng)舉行了11年，面向全球的電源供應(yīng)商征集參選產(chǎn)品。五個門類的最佳產(chǎn)品獎和最佳應(yīng)用獎的獲獎產(chǎn)品是通過在線投票，以及《電子產(chǎn)品世界》的編輯、專家和工程師的嚴格評審選出的。Vishay的Si8851EDB能夠在便攜式計算設(shè)備中顯著提高效率
- 關(guān)鍵字： Vishay MOSFET 電子產(chǎn)品世界
美高森美發(fā)布用于高壓工業(yè)應(yīng)用的創(chuàng)新SiC MOSFET系列 繼續(xù)保持在碳化硅解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位
- 致力于提供功率、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)方案的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC) 推出全新碳化硅(Silicon Carbide, SiC) MOSFET產(chǎn)品系列 ─ 1200V解決方案。這系列創(chuàng)新SiC MOSFET器件設(shè)計用于效率至關(guān)重要的大功率工業(yè)應(yīng)用，包括用于太陽能逆變器、電動汽車、焊接和醫(yī)療設(shè)備的解決方案。 美高森美擁有利用SiC半導(dǎo)體市場增長的良好條件，據(jù)市場研究機構(gòu)Yole Développement預(yù)計，從201
- 關(guān)鍵字： 美高森美 MOSFET SiC
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