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          以中國帶動(dòng)世界 意法半導(dǎo)體搶占新能源汽車制高點(diǎn)

          • 意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics) 以“意法半導(dǎo)體,科技始之于你”為主題亮相2021年慕尼黑上海電子展,展示其行業(yè)領(lǐng)先的智能出行、電源和能源管理、物聯(lián)網(wǎng)和5G產(chǎn)品及解決方案。 作為意法半導(dǎo)體重要的業(yè)務(wù)領(lǐng)域之一,此次展臺的焦點(diǎn)是一輛智能電動(dòng)轎跑小鵬P7,這款先進(jìn)的新能源智能汽車的車輛控制單元(VCU)中采用意法半導(dǎo)體的先進(jìn)的多功能芯片L9788,這是首個(gè)集成CAN FD收發(fā)器的U-chip解決方案,符合最高的功能性安全標(biāo)準(zhǔn),產(chǎn)品競爭優(yōu)勢包括節(jié)省物料清單(BOM)成本、減少印刷電路板(PCB)
          • 關(guān)鍵字: 意法半導(dǎo)體  SiC  BMS  

          電動(dòng)汽車BMS的技術(shù)趨勢及恩智浦的解決方案

          • 1? ?電動(dòng)汽車BMS的技術(shù)趨勢對恩智浦而言,我們所觀察到的電動(dòng)汽車制造商在規(guī)劃整個(gè)車型電氣化過程中正在面對如下挑戰(zhàn),這也代表了現(xiàn)在技術(shù)發(fā)展的趨勢。1)? ?電池成本的持續(xù)降低是電動(dòng)車普及以及車廠盈利的重要決勝點(diǎn)。除電芯降本外,還需要不斷優(yōu)化電子電氣以及機(jī)械架構(gòu),并制作支持自動(dòng)化組裝的生產(chǎn)線,這樣才能提高生產(chǎn)效率。2)? ?延長里程需要提高比能量,縮短充電時(shí)間則要增加比功率,在逐漸挑戰(zhàn)比能量和比功率極限的過程中,電池管理功能安全的等級、診斷的精度
          • 關(guān)鍵字: BMS  SiC  

          SiC在電動(dòng)汽車的功率轉(zhuǎn)換中扮演越來越重要的角色

          • 1? ?中國新能源汽車市場的需求特點(diǎn)首先,中國的電動(dòng)化發(fā)展速度很快,中國企業(yè)的創(chuàng)新力旺盛,而且直接從傳統(tǒng)汽車向新能源汽車過渡,沒有美國或歐洲企業(yè)所面臨的復(fù)雜的“技術(shù)遺產(chǎn)”問題。相比歐美,新興的中國車企更期待新能源汽車。在中國,功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)在汽車中的應(yīng)用非常廣泛,這就是為什么ST專注于與中國客戶合作開發(fā)電源管理系統(tǒng)。ST汽車和分立器件產(chǎn)品部大眾市場業(yè)務(wù)拓展負(fù)責(zé)人公司戰(zhàn)略辦公室成員Giovanni Luca SARICA2? ?SiC在成本上有優(yōu)勢嗎SiC解決方案的成本
          • 關(guān)鍵字: 新能源汽車  SiC  

          TI為何把首款GaN FET定位于汽車和工業(yè)應(yīng)用

          • GaN(氮化鎵)作為新一代半導(dǎo)體材料,正有越來越廣泛的應(yīng)用。近日,德州儀器(TI)宣布其首款帶集成驅(qū)動(dòng)器、內(nèi)部保護(hù)和有源電源管理的GaN FET,分別面向車用充電器和工業(yè)電源,可以實(shí)現(xiàn)2倍的功率密度和高達(dá)99%的效率。TI如何看待GaN在汽車和工業(yè)方面的機(jī)會(huì)?此次GaN FET的突破性技術(shù)是什么?為此,電子產(chǎn)品世界記者線上采訪了TI高壓電源應(yīng)用產(chǎn)品業(yè)務(wù)部GaN功率器件產(chǎn)品線經(jīng)理Steve Tom。TI高壓電源應(yīng)用產(chǎn)品業(yè)務(wù)部GaN功率器件產(chǎn)品線經(jīng)理Steve Tom1? ?GaN在電源領(lǐng)
          • 關(guān)鍵字: GaN  FET  SiC  

          推動(dòng)更快、更安全、更高效EV充電器的技術(shù)

          • 隨著電動(dòng)汽車(EV)數(shù)量的增加,對創(chuàng)建更加節(jié)能的充電基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)的需求也在日益增長,如此便可更快地為車輛充電。與先前的電動(dòng)汽車相比,新型電動(dòng)汽車具有更高的行駛里程和更大的電池容量,因此需要開發(fā)快速直流充電解決方案以滿足快速充電要求。150 kW或200 kW的充電站約需要30分鐘才能將電動(dòng)汽車充電至80%,行駛大約250 km。根據(jù)聯(lián)合充電系統(tǒng)和Charge de Move標(biāo)準(zhǔn), 快速DC充電站 可提供高達(dá)400 kW的功率。今天,我們將研究驅(qū)動(dòng)更快、更安全、更高效的充電器的半導(dǎo)體技術(shù)
          • 關(guān)鍵字: EV  SiC  IGBT  MOSEFT  CMTI  

          UnitedSiC與益登科技簽署分銷協(xié)議

          • 領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商 UnitedSiC 近日宣布與益登科技簽署代理協(xié)議,益登科技是總部位于臺灣的半導(dǎo)體產(chǎn)品主要分銷商和解決方案供應(yīng)商。益登科技將與UnitedSiC合作,助其將產(chǎn)品推向亞洲市場,為包括電動(dòng)汽車、電池充電、IT基礎(chǔ)設(shè)施、可再生能源和電路保護(hù)等高增長應(yīng)用領(lǐng)域的客戶提供產(chǎn)品方案。UnitedSiC全球銷售和營銷副總裁Yalcin BulutUnitedSiC全球銷售和營銷副總裁Yalcin Bulut 表示:“亞洲市場正在迅速崛起,急需采用能夠?qū)崿F(xiàn)新產(chǎn)品差異化的新技術(shù)。益登的
          • 關(guān)鍵字: SiC  電動(dòng)汽車  

          安森美全面布局碳化硅市場:汽車、新能源、5G

          • 目前,碳化硅市場正處于快速增長中,根據(jù)各大咨詢機(jī)構(gòu)統(tǒng)計(jì),碳化硅在電源的功率因數(shù)校正(PFC)、太陽能逆變器、光伏逆變器、不間斷電源、5G、通信電源、高頻開關(guān)電源等領(lǐng)域都擁有非常廣闊的市場。與傳統(tǒng)硅材料相比,新一代的寬禁帶半導(dǎo)體材料碳化硅可提供高場強(qiáng)、高能隙,以及高電子移動(dòng)速度和熱導(dǎo)率,讓下一代半導(dǎo)體器件的性能得到革命性提升。
          • 關(guān)鍵字: 安森美  SiC  碳化硅  

          安森美半導(dǎo)體的碳化硅(SiC)功率模塊 將支持臺達(dá)的太陽能光伏逆變器

          • 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor),推出一款適用于?太陽能逆變器應(yīng)用?的?全SiC功率模塊?,該產(chǎn)品已被全球領(lǐng)先的電源和熱管理方案供應(yīng)商臺達(dá)選用,用于支持其M70A三相光伏組串逆變器。?NXH40B120MNQ系列全SiC功率模塊集成了一個(gè)1200 V、40 mΩ SiC MOSFET和具有雙升壓級的1200 V,40 A SiC升壓二極管。 SiC技術(shù)的使用提供了實(shí)現(xiàn)太陽能逆變器等應(yīng)用中所要求高能效水平所需的低反向恢復(fù)和快速
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  SiC  PIM  光伏逆變器  

          寬禁帶生態(tài)系統(tǒng):快速開關(guān)和顛覆性的仿真環(huán)境

          • 寬禁帶?材料實(shí)現(xiàn)了較當(dāng)前硅基技術(shù)的飛躍。 它們的大帶隙導(dǎo)致較高的介電擊穿,從而降低了導(dǎo)通電阻(RSP)。 更高的電子飽和速度支持高頻設(shè)計(jì)和工作,降低的漏電流和更好的導(dǎo)熱性有助于高溫下的工作。安森美半導(dǎo)體提供圍繞寬禁帶方案的獨(dú)一無二的生態(tài)系統(tǒng),包含從旨在提高強(qiáng)固性和速度的碳化硅(SiC)二極管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC門極驅(qū)動(dòng)器。 除了硬件以外,我們還提供spice物理模型,幫助設(shè)計(jì)人員在仿真中實(shí)現(xiàn)其應(yīng)用性能,縮短昂貴的測試周期。我們的預(yù)測性離散建模可以進(jìn)行系統(tǒng)級仿真
          • 關(guān)鍵字: IC  RDS(on)  CAD  MOSFET  SiC  MOS  

          臻驅(qū)科技與羅姆成立碳化硅技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室

          • 中國新能源汽車電驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域高科技公司臻驅(qū)科技(上海)有限公司(以下簡稱“臻驅(qū)科技”)與全球知名半導(dǎo)體廠商ROHM Co., Ltd.(以下簡稱“羅姆”)宣布在中國(上海)自由貿(mào)易區(qū)試驗(yàn)區(qū)臨港新片區(qū)成立“碳化硅技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”,并于2020年6月9日舉行了揭牌儀式。與IGBT*1等硅(Si)功率元器件相比,碳化硅(SiC)功率元器件具有傳導(dǎo)損耗、開關(guān)損耗*2小、耐溫度變化等優(yōu)勢,作為能夠顯著降低損耗的半導(dǎo)體,在電動(dòng)汽車車載充電器以及DC/DC轉(zhuǎn)換器等方面的應(yīng)用日益廣泛。自2017年合作以來,臻驅(qū)科技和羅姆就采
          • 關(guān)鍵字: MOSEFT  SiC  

          新基建驅(qū)動(dòng)電力電源變革,ST祭出一攬子解決方案

          • 我國正在大力進(jìn)行新基建,工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、汽車充電樁、5G手機(jī)等對電力與電源提出了更高的能效要求。與此同時(shí),SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體材料風(fēng)生水起,奠定了堅(jiān)實(shí)的發(fā)展基礎(chǔ)。充電樁、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、手機(jī)需要哪些新電力與電源器件?近日,ST(意法半導(dǎo)體)亞太區(qū)功率分立器件和模擬產(chǎn)品部區(qū)域營銷及應(yīng)用副總裁Francesco MUGGERI接受了電子產(chǎn)品世界記者的采訪,分享了對工業(yè)市場的預(yù)測,并介紹了ST的新產(chǎn)品。ST亞太區(qū) 功率分立器件和模擬產(chǎn)品部 區(qū)域營銷及應(yīng)用副總裁 Francesco MUGGERI1 工業(yè)電源市場
          • 關(guān)鍵字: 電源  SiC  IGBT  GaN  

          Microchip推出3kW瞬態(tài)電壓抑制二極管陣列產(chǎn)品,實(shí)現(xiàn)嚴(yán)苛環(huán)境下出色的電路保護(hù)

          • 航空航天系統(tǒng)依賴于引擎控制單元、環(huán)境控制、儀器和執(zhí)行器中的數(shù)字和邏輯功能與電路才能完成關(guān)鍵的工作。數(shù)據(jù)中心、5G基礎(chǔ)設(shè)施和通信系統(tǒng)同樣依賴于復(fù)雜的電路,而這些電路需要得到妥善保護(hù)。即便有閃電、太陽活動(dòng)和電磁事故引起的電壓浪涌和尖峰,系統(tǒng)仍必須保持連續(xù)運(yùn)行。Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)今日宣布推出其最新瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)垂直陣列產(chǎn)品組合 — MDA3KP瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)。?該3kW二極管系列擁有超過25款產(chǎn)品,具有不同的篩選級別、極性和認(rèn)證標(biāo)
          • 關(guān)鍵字: TVS  SBD  ESD  EFT  MSL  RTCA  

          緯湃科技和羅姆攜手打造SiC電源解決方案

          • 汽車電動(dòng)化領(lǐng)域的領(lǐng)先供應(yīng)商——緯湃科技(以下簡稱“Vitesco”)近日宣布選擇SiC功率元器件的領(lǐng)軍企業(yè)——羅姆(以下簡稱“ROHM”)作為其SiC技術(shù)的首選供應(yīng)商,并就電動(dòng)汽車領(lǐng)域電力電子技術(shù)簽署了開發(fā)合作協(xié)議(2020年6月起生效)。通過使用SiC功率元器件,大陸集團(tuán)旗下的Vitesco將能夠進(jìn)一步提高電動(dòng)汽車用電力電子器件的效率。由于SiC功率元器件具有高效率等特性,因而可以更有效地利用電動(dòng)汽車電池的電能。這將非常有助于延長電動(dòng)汽車的續(xù)航里程并削減電池體積。Vitesco電氣化技術(shù)事業(yè)部執(zhí)行副總裁
          • 關(guān)鍵字: SiC  電氣  

          聚焦“寬禁帶”半導(dǎo)體——SiC與GaN的興起與未來

          • 隨著硅與化合物半導(dǎo)體材料在光電子、電力電子和射頻微波等領(lǐng)域器件性能的提升面臨瓶頸,不足以全面支撐新一代信息技術(shù)的可持續(xù)發(fā)展......
          • 關(guān)鍵字: 寬禁帶  半導(dǎo)體  SiC  GaN  

          碳化硅發(fā)展勢頭強(qiáng) 英飛凌650V CoolSiC MOSFET推高創(chuàng)新浪潮

          • 近期,多家公司發(fā)布了碳化硅(SiC)方面的新產(chǎn)品。作為新興的第三代半導(dǎo)體材料之一,碳化硅具備哪些優(yōu)勢,現(xiàn)在的發(fā)展程度如何?不久前,碳化硅的先驅(qū)英飛凌科技公司推出了650V的CoolSiC? MOSFET,值此機(jī)會(huì),電子產(chǎn)品世界訪問了英飛凌電源管理及多元化市場事業(yè)部大中華區(qū)開關(guān)電源應(yīng)用高級市場經(jīng)理陳清源先生。英飛凌,電源管理及多元化市場事業(yè)部,大中華區(qū),開關(guān)電源應(yīng)用,高級市場經(jīng)理,陳清源碳化硅與氮化鎵、硅材料的關(guān)系碳化硅MOSFET是一種新器件,它的出現(xiàn)使一些以前硅材料很難被應(yīng)用的電源轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu),例如電流連續(xù)
          • 關(guān)鍵字: SiC  UPS  
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