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          克服疫情,大灣區(qū)首臺全自動化SiC動態(tài)測試系統(tǒng)在北理汽車研究院交付

          • _____日前,泰克攜手方案合作伙伴忱芯科技向北京理工大學(xué)深圳汽車研究院交付了一臺全自動化SiC功率模塊動態(tài)測試系統(tǒng),此為今年度向客戶交付的第五臺SiC功率模塊動態(tài)測試系統(tǒng),亦是大灣區(qū)的首臺全自動化SiC功率模塊動態(tài)測試系統(tǒng)。此系統(tǒng)集成了來自泰克的專門針對第三代半導(dǎo)體測試的硬件設(shè)備,從而解決了“測不準”、“測不全”、“不可靠”這三個難題的挑戰(zhàn)。忱芯作為泰克科技的解決方案合作伙伴,在去年“碳化硅功率半導(dǎo)體及應(yīng)用研討會”上結(jié)成了全范圍的戰(zhàn)略合作聯(lián)盟,進行深度整合資源,圍繞寬禁帶功率半導(dǎo)體測試領(lǐng)域開展全產(chǎn)業(yè)鏈的
          • 關(guān)鍵字: Tektroni  SiC  動態(tài)測試系統(tǒng)  

          ROHM建立8V閘極耐壓150V GaN HEMT量產(chǎn)體制

          • 半導(dǎo)體制造商ROHM已建立150V耐壓GaN HEMT GNE10xxTB系列(GNE1040TB)?的量產(chǎn)體制,該系列產(chǎn)品的閘極耐壓(閘極-源極間額定電壓)高達8V,非常適用于基地臺、數(shù)據(jù)中心等工控設(shè)備和各類型IoT通訊裝置的電源電路。 EcoGaN首波產(chǎn)品 GNE10xxTB系列?有助基地臺和數(shù)據(jù)中心實現(xiàn)低功耗和小型化一般來說,GaN組件具有優(yōu)異的低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)性能,有助降低各種電源功耗和實現(xiàn)外圍組件小型化。但其閘極耐壓很低,因此在開關(guān)工作時的組件可靠性方面尚存在課題。針對該課題,RO
          • 關(guān)鍵字: SiC  GaN  ROHM   

          羅姆SiC評估板測評:快充測試

          • 一、測試工裝準備1、P02SCT3040KR-EVK-001測試板2、電壓源3、示波器4、負載儀二、測試項目進行1、安裝 SIC后的空載波形SiC安裝空載波形空板,空載GS 為100hz 25V 信號2、DCDC 在線測試1)空載測試驅(qū)動空載輸出12V,gs驅(qū)動為200hz總寬度3.6uS的錐形信號2)加載  24轉(zhuǎn)55V  2A dcdc驅(qū)動信號波形如下:帶載 6.6k 15V驅(qū)動信號單脈沖寬度,3uS左右總結(jié)由于輕負載,溫度始終未超過50度。開關(guān)速度方面優(yōu)于硅基產(chǎn)品,以后有對應(yīng)設(shè)備
          • 關(guān)鍵字: SiC  碳化硅  MOSFET  ROHM  

          羅姆SiC評估板測評:射頻熱凝控制儀測試

          • 測試設(shè)備①直流電源由于手上沒有高電壓的直流電源,只能使用一般的電源,且手上只有一個低壓直流穩(wěn)壓源,所以這穩(wěn)壓電源既用于給開發(fā)板電源供電,又用于半橋母線電源。②電子負載半橋電源電源的輸出負載,可恒流或者恒壓或者恒負載,測試電源的帶載能力非常好用。③信號發(fā)生器產(chǎn)生不同頻率的可調(diào)制的方波信號,用于MOS管的驅(qū)動④示波器觀察驅(qū)動信號、輸出信號、MOS管的波形⑤萬用表測量各測試點的電壓⑥溫度巡檢儀測量帶載后MOS管的溫度測試拓撲將說明書中電路按照上述描述修改:兩個直流電源換成CBB電容,在Hvdc母線上加上12V電
          • 關(guān)鍵字: SiC  碳化硅  MOSFET  ROHM  

          羅姆SiC評估板測評:基于碲化鎘弱光發(fā)電玻璃的高效功率變換技術(shù)研究

          • 感謝ROHM公司提供的P02SCT3040KR-EVK-001評估板,有幸參與評估板的測試。拿到評估板的第一感覺就是扎實,評估板四層PCB的板子厚度達到了30mm;高壓區(qū)域也有明顯的標識。
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          SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)解析

          • 本文將對SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進行介紹。
          • 關(guān)鍵字: SiC  碳化硅  MOSFET  

          碳化硅MOSFET晶體管的特征

          • 功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要,為進一步實現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化,一直在進行各種改良。
          • 關(guān)鍵字: SiC  碳化硅  MOSFET  

          SiC-SBD與Si-PND的正向電壓比較

          • 本文對二極管最基本的特性–正向電壓VF特性的區(qū)別進行說明。
          • 關(guān)鍵字: SiC  碳化硅  SBD  

          SiC-SBD與Si-PND的反向恢復(fù)特性比較

          • 反向恢復(fù)特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數(shù),所以不僅要比較trr的數(shù)值,還要理解其波形和溫度特性,這樣有助于有效使用二極管。
          • 關(guān)鍵字: SiC  碳化硅  SBD  

          SiC肖特基勢壘二極管的特征,及與Si二極管的比較

          • 繼SiC功率元器件的概述之后,將針對具體的元器件進行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開始。
          • 關(guān)鍵字: 碳化硅  SiC  SBD  肖基特二極管  

          SiC功率元器件的開發(fā)背景和優(yōu)點

          • SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點進行介紹。
          • 關(guān)鍵字: SiC  碳化硅  

          什么是碳化硅?SiC的特性和特征

          • 碳化硅(SiC)是比較新的半導(dǎo)體材料。本文來了解一下它的物理特性和特征。
          • 關(guān)鍵字: SiC  碳化硅  

          ST先進SiC牽引電機逆變器解決方案

          • 意法半導(dǎo)體(ST)作為全球領(lǐng)先的汽車半導(dǎo)體供應(yīng)商之一,多年前就開始布局新能源汽車領(lǐng)域,在2019年正式成立新能源車技術(shù)創(chuàng)新中心,推出了SiC牽引電機逆變器的整體解決方案。該方案按照功能安全IS026262標準流程開發(fā),滿足ASIL D等級。基于AutoSAR的軟件架構(gòu)和模型化的軟件算法,為客戶前期方案評估和后續(xù)開發(fā)提供了便利,大大縮短了整個研發(fā)周期。
          • 關(guān)鍵字: SiC  碳化硅  牽引逆變器  

          ST第三代碳化硅技術(shù)問世 瞄準汽車與工業(yè)市場應(yīng)用

          • 電源與能源管理對人類社會未來的永續(xù)發(fā)展至關(guān)重要。意法半導(dǎo)體汽車和離散組件產(chǎn)品部(ADG)執(zhí)行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo MERLI說明,從圖二可以看到由于全球能源需求正在不斷成長,我們必須控制碳排放,并將氣溫上升控制在1.5度以下,減排對此非常重要,但要實現(xiàn)這些要有科技的支持,包括可再生能源的利用,ST對此也有制定一些具體的目標。?圖二圖三顯示的是一些關(guān)于如何利用電力科技實現(xiàn)各種節(jié)能目標的具體數(shù)據(jù),圖中是對全球電力消耗狀況的統(tǒng)計。僅就工業(yè)領(lǐng)域來說,如果能將電力利用效率提升1%,
          • 關(guān)鍵字: ST  碳化硅  汽車  工業(yè)  SiC  

          ST:發(fā)展碳化硅技術(shù) 關(guān)鍵在掌控整套產(chǎn)業(yè)鏈

          • 電源與能源管理對人類社會未來的永續(xù)發(fā)展至關(guān)重要。意法半導(dǎo)體汽車和離散組件產(chǎn)品部(ADG)執(zhí)行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo MERLI指出,由于全球能源需求正在不斷成長,我們必須控制碳排放,并將氣溫上升控制在1.5度以下,減排對此非常重要,但要實現(xiàn)這些要有科技的支持,包括可再生能源的利用,ST對此也有制定一些具體的目標。 意法半導(dǎo)體汽車和離散組件產(chǎn)品部(ADG)執(zhí)行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo MERLI僅就工業(yè)領(lǐng)域來說,如果能將電力利用效率提升1%,就能節(jié)省95.
          • 關(guān)鍵字: ST  GaN  SiC  
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