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安森美半導(dǎo)體的碳化硅(SiC)功率模塊 將支持臺達的太陽能光伏逆變器
- 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)，推出一款適用于?太陽能逆變器應(yīng)用?的?全SiC功率模塊?，該產(chǎn)品已被全球領(lǐng)先的電源和熱管理方案供應(yīng)商臺達選用，用于支持其M70A三相光伏組串逆變器。?NXH40B120MNQ系列全SiC功率模塊集成了一個1200 V、40 mΩ SiC MOSFET和具有雙升壓級的1200 V，40 A SiC升壓二極管。 SiC技術(shù)的使用提供了實現(xiàn)太陽能逆變器等應(yīng)用中所要求高能效水平所需的低反向恢復(fù)和快速
- 關(guān)鍵字： MOSFET SiC PIM 光伏逆變器
寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)：快速開關(guān)和顛覆性的仿真環(huán)境
- 寬禁帶?材料實現(xiàn)了較當(dāng)前硅基技術(shù)的飛躍。 它們的大帶隙導(dǎo)致較高的介電擊穿，從而降低了導(dǎo)通電阻(RSP)。 更高的電子飽和速度支持高頻設(shè)計和工作，降低的漏電流和更好的導(dǎo)熱性有助于高溫下的工作。安森美半導(dǎo)體提供圍繞寬禁帶方案的獨一無二的生態(tài)系統(tǒng)，包含從旨在提高強固性和速度的碳化硅(SiC)二極管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC門極驅(qū)動器。 除了硬件以外，我們還提供spice物理模型，幫助設(shè)計人員在仿真中實現(xiàn)其應(yīng)用性能，縮短昂貴的測試周期。我們的預(yù)測性離散建?？梢赃M行系統(tǒng)級仿真
- 關(guān)鍵字： IC RDS(on) CAD MOSFET SiC MOS
臻驅(qū)科技與羅姆成立碳化硅技術(shù)聯(lián)合實驗室
- 中國新能源汽車電驅(qū)動領(lǐng)域高科技公司臻驅(qū)科技（上海）有限公司（以下簡稱“臻驅(qū)科技”）與全球知名半導(dǎo)體廠商ROHM Co., Ltd.（以下簡稱“羅姆”）宣布在中國（上海）自由貿(mào)易區(qū)試驗區(qū)臨港新片區(qū)成立“碳化硅技術(shù)聯(lián)合實驗室”，并于2020年6月9日舉行了揭牌儀式。與IGBT*1等硅（Si）功率元器件相比，碳化硅（SiC）功率元器件具有傳導(dǎo)損耗、開關(guān)損耗*2小、耐溫度變化等優(yōu)勢，作為能夠顯著降低損耗的半導(dǎo)體，在電動汽車車載充電器以及DC/DC轉(zhuǎn)換器等方面的應(yīng)用日益廣泛。自2017年合作以來，臻驅(qū)科技和羅姆就采
- 關(guān)鍵字： MOSEFT SiC
新基建驅(qū)動電力電源變革，ST祭出一攬子解決方案
- 我國正在大力進行新基建，工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、汽車充電樁、5G手機等對電力與電源提出了更高的能效要求。與此同時，SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體材料風(fēng)生水起，奠定了堅實的發(fā)展基礎(chǔ)。充電樁、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、手機需要哪些新電力與電源器件？近日，ST（意法半導(dǎo)體）亞太區(qū)功率分立器件和模擬產(chǎn)品部區(qū)域營銷及應(yīng)用副總裁Francesco MUGGERI接受了電子產(chǎn)品世界記者的采訪，分享了對工業(yè)市場的預(yù)測，并介紹了ST的新產(chǎn)品。ST亞太區(qū) 功率分立器件和模擬產(chǎn)品部 區(qū)域營銷及應(yīng)用副總裁 Francesco MUGGERI1 工業(yè)電源市場
- 關(guān)鍵字： 電源 SiC IGBT GaN
緯湃科技和羅姆攜手打造SiC電源解決方案
- 汽車電動化領(lǐng)域的領(lǐng)先供應(yīng)商——緯湃科技(以下簡稱“Vitesco”)近日宣布選擇SiC功率元器件的領(lǐng)軍企業(yè)——羅姆(以下簡稱“ROHM”)作為其SiC技術(shù)的首選供應(yīng)商,并就電動汽車領(lǐng)域電力電子技術(shù)簽署了開發(fā)合作協(xié)議(2020年6月起生效)。通過使用SiC功率元器件,大陸集團旗下的Vitesco將能夠進一步提高電動汽車用電力電子器件的效率。由于SiC功率元器件具有高效率等特性,因而可以更有效地利用電動汽車電池的電能。這將非常有助于延長電動汽車的續(xù)航里程并削減電池體積。Vitesco電氣化技術(shù)事業(yè)部執(zhí)行副總裁
- 關(guān)鍵字： SiC 電氣
碳化硅發(fā)展勢頭強 英飛凌650V CoolSiC MOSFET推高創(chuàng)新浪潮
- 近期，多家公司發(fā)布了碳化硅（SiC）方面的新產(chǎn)品。作為新興的第三代半導(dǎo)體材料之一，碳化硅具備哪些優(yōu)勢，現(xiàn)在的發(fā)展程度如何？不久前，碳化硅的先驅(qū)英飛凌科技公司推出了650V的CoolSiC? MOSFET，值此機會，電子產(chǎn)品世界訪問了英飛凌電源管理及多元化市場事業(yè)部大中華區(qū)開關(guān)電源應(yīng)用高級市場經(jīng)理陳清源先生。英飛凌,電源管理及多元化市場事業(yè)部,大中華區(qū),開關(guān)電源應(yīng)用,高級市場經(jīng)理,陳清源碳化硅與氮化鎵、硅材料的關(guān)系碳化硅MOSFET是一種新器件，它的出現(xiàn)使一些以前硅材料很難被應(yīng)用的電源轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)，例如電流連續(xù)
- 關(guān)鍵字： SiC UPS
ROHM的SiC功率元器件被應(yīng)用于UAES的電動汽車車載充電器
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC功率元器件（SiC MOSFET*1）被應(yīng)用于中國汽車行業(yè)一級綜合性供應(yīng)商——聯(lián)合汽車電子有限公司（United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ，總部位于中國上海市，以下簡稱“UAES公司”）的電動汽車車載充電器（On Board Charger，以下簡稱“OBC”）。UAES公司預(yù)計將于2020年10月起向汽車制造商供應(yīng)該款OBC。與IGBT*2等Si（硅）功率元器件相比，SiC功率元器件是一種能
- 關(guān)鍵字： OBC SiC MOSFET
安森美半導(dǎo)體推出新的900 V和 1200 V SiC MOSFET用于高要求的應(yīng)用
- 近日，推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON），推出另兩個碳化硅（SiC） MOSFET系列，擴展了其寬禁帶（WBG）器件系列。?這些新器件適用于各種高要求的高增長應(yīng)用，包括太陽能逆變器、電動汽車（EV）車載充電、不間斷電源（UPS）、服務(wù)器電源和EV充電樁，提供的性能水平是硅（Si）?MOSFET根本無法實現(xiàn)的。安森美半導(dǎo)體的新的1200伏（V）和900 V N溝道SiC MOSFET提供比硅更快的開關(guān)性能和更高的可靠性?？焖俦菊鞫?/li>
- 關(guān)鍵字： SiC WBG
CISSOID宣布推出用于電動汽車的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模塊
- 各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID近日宣布，將繼續(xù)致力于應(yīng)對汽車和工業(yè)市場的挑戰(zhàn)，并推出用于電動汽車的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模塊（IPM）平臺。這項新的智能功率模塊技術(shù)提供了一種一體化解決方案，即整合了內(nèi)置柵極驅(qū)動器的三相水冷式碳化硅MOSFET模塊。這個全新的可擴展平臺同時優(yōu)化了功率開關(guān)的電氣、機械和散熱設(shè)計及其臨界控制，對于電動汽車（EV）整車廠和愿意快速采用基于碳化硅的逆變器以實現(xiàn)更高效、更簡潔電機驅(qū)動的電動機制造商而言，該平臺可以幫助他們加快產(chǎn)品上市時間。該可擴展
- 關(guān)鍵字： SiC IPM
電機的應(yīng)用趨勢及控制解決方案
- 顧偉俊? （羅姆半導(dǎo)體（上海）有限公司?技術(shù)中心?現(xiàn)場應(yīng)用工程師）摘? 要：介紹了電機的應(yīng)用趨勢，以及MCU、功率器件的產(chǎn)品動向。 關(guān)鍵詞：電機；BLDC；MCU；SiC；IPM1? 電機的應(yīng)用趨勢?隨著智能家居、工業(yè)自動化、物流自動化等概念的 普及深化，在與每個人息息相關(guān)的家電領(lǐng)域、車載領(lǐng) 域以及工業(yè)領(lǐng)域，各類電機在技術(shù)方面都出現(xiàn)了新的 需求。?在家電領(lǐng)域，電器的 智能化需要電器對人機交 流產(chǎn)生相應(yīng)的反饋。例如 掃地機器人需要掃描計算 空間，規(guī)劃路線，然后執(zhí) 行移動以及相應(yīng)
- 關(guān)鍵字： 202003 電機 BLDC MCU SiC IPM
碳化硅（SiC）功率器件或在電動汽車領(lǐng)域一決勝負
- 電力電子器件的發(fā)展歷史大致可以分為三個大階段：硅晶閘管（可控硅）、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和剛顯露頭角的碳化硅（SiC）系列大功率半導(dǎo)體器件。碳化硅屬于第三代半導(dǎo)體材料，與普通的硅材料相比，碳化硅的優(yōu)勢非常突出，它不僅克服了普通硅材料的某些缺點，在功耗上也有非常好的表現(xiàn)，因而成為電力電子領(lǐng)域目前最具前景的半導(dǎo)體材料。正因為如此，已經(jīng)有越來越多的半導(dǎo)體企業(yè)開始進入SiC市場。到2023年，SiC功率半導(dǎo)體市場預(yù)計將達到15億美元。SiC器件的供應(yīng)商包括Fuji、英飛凌、Littelfuse、三菱、安森
- 關(guān)鍵字： 碳化硅、SiC、功率器件、電動汽車
英飛凌650V CoolSiC MOSFET系列為更多應(yīng)用帶來最佳可靠性和性能水平
- 近日，英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）進一步擴展其碳化硅（SiC）產(chǎn)品組合，推出650V器件。其全新發(fā)布的CoolSiC? MOSFET滿足了包括服務(wù)器、電信和工業(yè)SMPS、太陽能系統(tǒng)、能源存儲和電池化成、不間斷電源（UPS）、電機控制和驅(qū)動以及電動汽車充電在內(nèi)的大量應(yīng)用與日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求?！半S著新產(chǎn)品的發(fā)布，英飛凌完善了其600V/650V細分領(lǐng)域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合，”英飛凌電源管理及多元化市場事業(yè)部高壓轉(zhuǎn)換業(yè)務(wù)高級總監(jiān)St
- 關(guān)鍵字： SiC MOSFET
如何利用 SiC 打造更好的電動車牽引逆變器
- 在本文中，我們將調(diào)查電動車牽引逆變器采用 SiC 技術(shù)的優(yōu)勢。我們將展示在各種負荷條件下逆變器的能效是如何提升的，包括從輕負荷到滿負荷。使用較高的運行電壓與高效的 1200V SiC FET 可以幫助降低銅損。還可以提高逆變器開關(guān)頻率，以對電機繞組輸出更理想的正弦曲線波形和降低電機內(nèi)的鐵損。預(yù)計在所有這些因素的影響下，純電動車的單次充電行駛里程將提高 5-10%，同時，降低的損耗還能簡化冷卻問題。簡介近期的新聞表明，純電動車?(BEV) 的數(shù)量增加得比之前的預(yù)期要快。這促使汽車制造商（包括現(xiàn)有制
- 關(guān)鍵字： SiC BEV 牽引逆變器
sic介紹
SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導(dǎo)體材料，具有多種同素異構(gòu)類型。其典型結(jié)構(gòu)可分為兩類：一類是閃鋅礦結(jié)構(gòu)的立方SiC晶型，稱為3C或β－SiC，這里3指的是周期性次序中面的數(shù)目；另一類是六角型或菱形結(jié)構(gòu)的大周期結(jié)構(gòu)，其中典型的有6H、4H、15R等，統(tǒng)稱為α－SiC。與Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環(huán)境，并具有極好的抗輻射性能.
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