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集邦咨詢：需求持續(xù)擴張，2019年中國功率半導體市場規(guī)模逾2,900億元
- Mar. 7, 2019 ---- 全球市場研究機構(gòu)集邦咨詢在最新《中國半導體產(chǎn)業(yè)深度分析報告》中指出，受益于新能源汽車、工業(yè)控制等終端市場需求大量增加，MOSFET、IGBT等多種產(chǎn)品持續(xù)缺貨和漲價，帶動了2018年中國功率半導體市場規(guī)模大幅成長12.76%至2,591億元人民幣。其中功率分立器件市場規(guī)模為1,874億元人民幣，較2017年同比成長14.7%;電源管理IC市場規(guī)模為717億元人民幣，較2017年同比增長8%。 集邦咨詢分析師謝瑞峰指出，功率半導體作為需求驅(qū)動型的產(chǎn)業(yè)，2019年
- 關鍵字： IGBT SiC
碳化硅MOSFET的短路實驗性能與有限元分析法熱模型的開發(fā)
- 本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量，并借助一個穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實和比較測量值，對短路行為的動態(tài)變化進行深度評估。
- 關鍵字： 碳化硅(SiC)MOSFET 短路 熱模型
Power Integrations推出全新SCALE-iDriver SiC-MOSFET門極驅(qū)動器，可最大程度提高效率及安全性
- 深耕于中高壓逆變器應用門極驅(qū)動器技術領域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號：POWI)今日推出SIC1182K SCALE-iDriver? —— 這是一款市售可提供高效率、單通道碳化硅(SiC) MOSFET門極驅(qū)動器，可提供最大峰值輸出門極電流且無需外部推動級。新品件經(jīng)過設定后可支持不同的門極驅(qū)動電壓，來滿足市售SiC-MOSFET的需求;其主要應用包括不間斷電源(UPS)、光伏系統(tǒng)、伺服驅(qū)動器、電焊機和電源。 SIC1182K可在125°C結(jié)溫下提供8
- 關鍵字： Power Integrations SiC-MOSFET
第三代半導體又有新成員？氧化鎵有什么優(yōu)點？
- 目前，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導體受到的關注度越來越高，它們在未來的大功率、高溫、高壓應用場合將發(fā)揮傳統(tǒng)的硅器件無法實現(xiàn)的作用。特別是在未來三大新興應用領域(汽車、5G和物聯(lián)網(wǎng))之一的汽車方面，會有非常廣闊的發(fā)展前景。 然而，SiC和GaN并不是終點，最近，氧化鎵(Ga2O3)再一次走入了人們的視野，憑借其比SiC和GaN更寬的禁帶，該種化合物半導體在更高功率的應用方面具有獨特優(yōu)勢。因此，近幾年關于氧化鎵的研究又熱了起來。 實際上，氧化鎵并不是很新的技術，多年前就
- 關鍵字： 半導體 SiC GaN
北汽新能源聯(lián)手羅姆半導體，推動SiC產(chǎn)品技術研發(fā)
- 11月30日，北汽新能源(北汽藍谷 600733)與羅姆半導體集團合作成立SiC產(chǎn)品技術聯(lián)合實驗室。北汽新能源執(zhí)行副總經(jīng)理陳上華與羅姆半導體集團董事末永良明現(xiàn)場簽署了合作協(xié)議書，并共同為SiC產(chǎn)品技術聯(lián)合試驗室揭牌。 該聯(lián)合實驗室的成立，是北汽新能源在新能源汽車領域不斷加強自主技術實力的重要舉措，聯(lián)合實驗室成立后，北汽新能源將可以與羅姆半導體集團共同深入到碳化硅等新技術的預研中，并圍繞碳化硅的新產(chǎn)品進行全面合作開發(fā)?！ 〗陙恚許iC為代表的第三代功率半導體材料，已經(jīng)被廣泛應用在新能源
- 關鍵字： 北汽新能源 羅姆半導體 SiC
使用SiC技術攻克汽車挑戰(zhàn)
- 摘要 – 在未來幾年投入使用SiC技術來應對汽車電子技術挑戰(zhàn)是ECSEL JU 的WInSiC4AP項目所要達到的目標之一。ECSEL JU和ESI協(xié)同為該項目提供資金支持，實現(xiàn)具有重大經(jīng)濟和社會影響的優(yōu)勢互補的研發(fā)活動。由DTSMNS(Distretto Tecnologico Sicilia Micro e Nano Sistemi)牽頭，20個項目合作方將在技術研究、制造工藝、封裝測試和應用方面展開為期36個月的開發(fā)合作。本文將討論本項目中與汽車相關的內(nèi)容，重點介紹有關SiC技術和封
- 關鍵字： SiC WInSiC4AP
ROHM推出1700V 250A全SiC功率模塊
- 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向以戶外發(fā)電系統(tǒng)和充放電測試儀等評估裝置為首的工業(yè)設備用電源的逆變器和轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出實現(xiàn)業(yè)界頂級※可靠性的額定值保證1700V 250A的全SiC功率模塊“BSM250D17P2E004”。(※截至2018年11月13日 ROHM調(diào)查數(shù)據(jù)) 近年來，由于SiC產(chǎn)品的節(jié)能效果優(yōu)異，以1200V耐壓為主的SiC產(chǎn)品在汽車和工業(yè)設備等領域的應用日益廣泛。隨著各種應用的多功能化和高性能化發(fā)展，系統(tǒng)呈高電壓化發(fā)展趨勢，1700V耐壓產(chǎn)品的需求日益旺盛。然而，受
- 關鍵字： ROHM SiC
基本半導體成功主辦第二屆中歐第三代半導體高峰論壇
- 10月24日，由青銅劍科技、基本半導體、中歐創(chuàng)新中心聯(lián)合主辦的第二屆中歐第三代半導體高峰論壇在深圳會展中心成功舉行?！ ”緦酶叻逭搲偷谌雽w產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟達成戰(zhàn)略合作，與第十五屆中國國際半導體照明論壇暨2018國際第三代半導體論壇同期舉行，來自中國、歐洲及其他國家的專家學者、企業(yè)領袖同臺論劍，給現(xiàn)場觀眾帶來了一場第三代半導體產(chǎn)業(yè)的盛宴?！ ×⒆銍H產(chǎn)業(yè)發(fā)展形勢，從全球視角全面探討第三代半導體發(fā)展的現(xiàn)狀與趨勢、面臨的機遇與挑戰(zhàn)，以及面向未來的戰(zhàn)略與思考是中歐第三代半導體高峰論壇舉辦的宗旨。目
- 關鍵字： 基本半導體 3D SiC JBS二極管 4H 碳化硅PIN二極管 第三代半導體 中歐論壇
SiC和GaN系統(tǒng)設計工程師不再迷茫
- SiC和GaN MOSFET技術的出現(xiàn)，正推動著功率電子行業(yè)發(fā)生顛覆式變革。這些新材料把整個電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的效率提高了多個百分點，而這在幾年前是不可想象的?！ ≡诂F(xiàn)實世界中，沒有理想的開關特性。但基于新材料、擁有超低開關損耗的多種寬禁帶器件正在出現(xiàn)，既能實現(xiàn)低開關損耗，又能處理超高速率dv/dt轉(zhuǎn)換，并支持超快速開關頻率，使得這些新技術既成就了DC/DC轉(zhuǎn)換器設計工程師的美夢，但同時也變成了他們的惡夢。 比如一名設計工程師正在開發(fā)功率轉(zhuǎn)換應用，如逆變器或馬達驅(qū)動控制器，或者正在設
- 關鍵字： SiC GaN
CISSOID和泰科天潤（GPT）達成戰(zhàn)略合作協(xié)議， 攜手推動碳化硅功率器件的廣泛應用
- 高溫與長壽命半導體解決方案領先供應商CISSOID和中國碳化硅(SiC)功率器件產(chǎn)業(yè)化倡導者泰科天潤半導體科技(北京)有限公司(GPT)今日共同宣布：雙方已達成戰(zhàn)略合作伙伴關系，將共同開展研發(fā)項目，推動碳化硅功率器件在工業(yè)各領域尤其是新能源汽車領域?qū)崿F(xiàn)廣泛應用。 CISSOID和泰科天潤簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議 泰科天潤是中國首家第三代半導體材料碳化硅器件制造與應用解決方案提供商，既是碳化硅芯片的龍頭企業(yè)，也是支撐高端制造業(yè)的新興力量。CISSOID公司來自比利時，是高溫半導體解決方案的領導者，專為極端溫
- 關鍵字： CISSOID SiC
基本半導體推出高性能碳化硅肖特基二極管（SiC JBS）
- 碳化硅(SiC)功率器件的出現(xiàn)大大提升了半導體器件的性能，對電力電子行業(yè)的發(fā)展具有重要意義。作為最先實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的 SiC 器件，SiC JBS能提供近乎理想的動態(tài)性能，基本半導體自主研發(fā)的650 -1700V 3D SiC?系列碳化硅肖特基二極管(SiC JBS)已火熱上市，憑借其優(yōu)越性能廣受市場追捧。 SiC JBS產(chǎn)品優(yōu)勢 作為單極型器件，SiC JBS在工作過程中沒有少數(shù)載流子儲存，其反向恢復電流主要取決于耗盡層結(jié)電容，反向恢復電荷以及反向恢復損耗比Si超快恢復二極管要低一到兩個數(shù)量級。更重
- 關鍵字： 基本半導體 SiC
sic介紹
SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導體材料，具有多種同素異構(gòu)類型。其典型結(jié)構(gòu)可分為兩類：一類是閃鋅礦結(jié)構(gòu)的立方SiC晶型，稱為3C或β－SiC，這里3指的是周期性次序中面的數(shù)目；另一類是六角型或菱形結(jié)構(gòu)的大周期結(jié)構(gòu)，其中典型的有6H、4H、15R等，統(tǒng)稱為α－SiC。與Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環(huán)境，并具有極好的抗輻射性能.
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