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Wolfspeed 8英寸SiC襯底產(chǎn)線一期工程封頂
- 3月28日消息，當(dāng)?shù)貢r(shí)間3月26日，Wolfspeed宣布第三座工廠——8英寸SiC襯底產(chǎn)線一期工程舉行了封頂儀式。據(jù)了解，該工廠位于貝卡萊納州查塔姆縣，總投資50億美元（約合人民幣356億元），占地面積445英畝，主要生產(chǎn)8英寸SiC單晶襯底。目前，該工廠已有一些長(zhǎng)晶爐設(shè)備進(jìn)場(chǎng)，預(yù)計(jì)2024年底將完成一期工程建設(shè)，2025年上半年開(kāi)始生產(chǎn)，預(yù)計(jì)竣工達(dá)產(chǎn)后Wolfspeed的SiC襯底產(chǎn)量將擴(kuò)大10倍。近期，Wolfspeed與瑞薩電子、英飛凌等公司簽署了客戶(hù)協(xié)議，查塔姆工廠的投建將為這些協(xié)議提供支持，同
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 Wolfspeed SiC 瑞薩 英飛凌
近年來(lái)對(duì)碳化硅（SiC）襯底需求的持續(xù)激增
- 隨著近年來(lái)對(duì)碳化硅（SiC）襯底需求的持續(xù)激增，市場(chǎng)研究公司TrendForce表示，對(duì)于SiC的成本降低呼聲越來(lái)越高，因?yàn)樽罱K產(chǎn)品價(jià)格仍然是消費(fèi)者的關(guān)鍵決定因素。SiC襯底的成本占整個(gè)成本結(jié)構(gòu)的比例最高，約占50%。因此，襯底部分的成本降低和利用率提高尤為關(guān)鍵。由于其成本優(yōu)勢(shì)，大尺寸襯底逐漸開(kāi)始被采用，市場(chǎng)對(duì)其寄予了很高的期望。中國(guó)SiC襯底制造商天科藍(lán)半導(dǎo)體計(jì)算，從4英寸升級(jí)到6英寸可以使單位成本降低50%，從6英寸升級(jí)到8英寸可以再次降低35%。與此同時(shí)，8英寸襯底可以生產(chǎn)更多的芯片，從而減少邊緣浪
- 關(guān)鍵字： SiC 碳化硅
如何通過(guò)SiC增強(qiáng)電池儲(chǔ)能系統(tǒng)？
- 電池可以用來(lái)儲(chǔ)存太陽(yáng)能和風(fēng)能等可再生能源在高峰時(shí)段產(chǎn)生的能量，這樣當(dāng)環(huán)境條件不太有利于發(fā)電時(shí)，就可以利用這些儲(chǔ)存的能量。本文回顧了住宅和商用電池儲(chǔ)能系統(tǒng) (BESS) 的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，然后介紹了安森美 (onsemi) 的EliteSiC方案，可作為硅MOSFET或IGBT開(kāi)關(guān)的替代方案，改善BESS的性能。圖1：BESS 實(shí)施概覽BESS 的優(yōu)勢(shì)最常用的儲(chǔ)能方法有四種，分別是電化學(xué)儲(chǔ)能、化學(xué)儲(chǔ)能、熱儲(chǔ)能和機(jī)械儲(chǔ)能。鋰離子電池是家喻戶(hù)曉的電化學(xué)儲(chǔ)能系統(tǒng)，具有高功率密度、高效率、外形緊湊、模塊化等特點(diǎn)
- 關(guān)鍵字： 安森美 SiC 電池儲(chǔ)能
SiC是如何「拯救」降價(jià)車(chē)企的？
- 進(jìn)入 2024 年，10 多家車(chē)企紛紛宣布降價(jià)。車(chē)企給供應(yīng)商的降價(jià)壓力更大，普遍要求降價(jià) 20%，過(guò)去一般是每年降 3%-5%。有觀點(diǎn)認(rèn)為，車(chē)市降價(jià)是由于新技術(shù)帶來(lái)的成本下降，但從大背景來(lái)看，2 月銷(xiāo)量下滑，或是更多企業(yè)加入價(jià)格戰(zhàn)的不得已選擇。但從另一個(gè)角度來(lái)看，成本的下降確實(shí)會(huì)緩解降價(jià)的壓力，SiC（碳化硅）會(huì)不會(huì)是出路呢？降價(jià)風(fēng)波始末2 月 19 日，可以說(shuō)是一切的開(kāi)始。降價(jià)潮是由比亞迪掀起的，從 2 月 19 日到 3 月 6 日，在春節(jié)假期結(jié)束后的 17 天里，比亞迪密集推出了 13 款主力車(chē)型的
- 關(guān)鍵字： SiC
納微半導(dǎo)體與您相約亞洲充電展，最新GaN+SiC技術(shù)展望快充未來(lái)
- 唯一全面專(zhuān)注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體近日宣布將參加于2024年3月20-22日在深圳福田會(huì)展中心舉辦的亞洲充電展，邀請(qǐng)觀眾造訪由最新氮化鎵和碳化硅技術(shù)打造，象征著全電氣化未來(lái)的“納微芯球”展臺(tái)。納微半導(dǎo)體將展出最新的GaNFast?和GeneSiC?應(yīng)用及解決方案，包括：●? ?功率水平更高、以應(yīng)用為導(dǎo)向的GaNSense? Halfbridge半橋氮化鎵技術(shù)●? ?高性能、速度快的第三代高速碳化硅技術(shù)●? &
- 關(guān)鍵字： 納微半導(dǎo)體 亞洲充電展 GaN+SiC 快充
納芯微推出基于創(chuàng)新型振鈴抑制專(zhuān)利的車(chē)規(guī)級(jí)CAN SIC: NCA1462-Q1
- 納芯微宣布推出基于其自研創(chuàng)新型振鈴抑制專(zhuān)利的車(chē)規(guī)級(jí)CAN SIC（信號(hào)改善功能，Signal Improvement Capability）NCA1462-Q1。相比當(dāng)前主流的CAN FD車(chē)載通信方案，NCA1462-Q1在滿(mǎn)足ISO 11898-2:2016標(biāo)準(zhǔn)的前提下，進(jìn)一步兼容CiA 601-4標(biāo)準(zhǔn)，可實(shí)現(xiàn)≥8Mbps的傳輸速率。憑借納芯微專(zhuān)利的振鈴抑制功能，即使在星型網(wǎng)絡(luò)多節(jié)點(diǎn)連接的情況下，NCA1462-Q1仍具有良好的信號(hào)質(zhì)量；此外，超高的EMC表現(xiàn)，更加靈活、低至1.8V的VIO可有效助力工
- 關(guān)鍵字： 納芯微 振鈴抑制 CAN SIC
基于SiC的完整“傻瓜型”逆變器參考設(shè)計(jì)為先進(jìn)電機(jī)應(yīng)用鋪平了道路
- 先進(jìn)電機(jī)應(yīng)用（如高轉(zhuǎn)速、高頻、高功率密度、高溫等）需要相匹配的逆變器支持，但業(yè)界一直為其開(kāi)發(fā)難度所困擾。全球領(lǐng)先的高溫半導(dǎo)體解決方案提供商CISSOID公司近期推出的基于碳化硅（SiC）功率器件的完整逆變器參考設(shè)計(jì)很好地解決了這一問(wèn)題。該參考設(shè)計(jì)整合了CISSOID 公司的SiC高壓功率模塊和相匹配的集成化柵極驅(qū)動(dòng)器，Silicon Mobility公司的控制板和軟件，超低寄生電感的直流母線電容和EMI濾波器，直流和相電流傳感器等其它附件。由此為先進(jìn)電機(jī)應(yīng)用提供了一個(gè)已全面集成的完整“傻瓜型”逆變器開(kāi)發(fā)平
- 關(guān)鍵字： SiC 逆變器 電機(jī) CISSOID Silicon Mobility
Qorvo推出緊湊型E1B封裝的1200V SiC模塊
- 中國(guó) 北京，2024 年 2 月 29 日——全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo?（納斯達(dá)克代碼：QRVO）近日宣布推出四款采用緊湊型 E1B 封裝的 1200V 碳化硅（SiC）模塊，其中兩款為半橋配置，兩款為全橋配置，導(dǎo)通電阻 RDS(on) 最低為 9.4mΩ。全新的高效率 SiC 模塊非常適合電動(dòng)汽車(chē)充電站、儲(chǔ)能、工業(yè)電源和太陽(yáng)能等應(yīng)用。Qorvo SiC 電源產(chǎn)品線市場(chǎng)總監(jiān) Ramanan Natarajan 表示：“該全新系列中的模塊可以取代多達(dá)四個(gè)分立式 SiC FET，從而簡(jiǎn)化
- 關(guān)鍵字： Qorvo 1200V SiC模塊 SiC
內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的AC-DC轉(zhuǎn)換器IC，助推工廠智能化
- 本文的關(guān)鍵要點(diǎn)各行各業(yè)的工廠都在擴(kuò)大生產(chǎn)線的智能化程度，在生產(chǎn)線上的裝置和設(shè)備旁邊導(dǎo)入先進(jìn)信息通信設(shè)備的工廠越來(lái)越多。要將高壓工業(yè)電源線的電力轉(zhuǎn)換為信息通信設(shè)備用的電力，需要輔助設(shè)備用的高效率電源，而采用內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的AC-DC轉(zhuǎn)換器IC可以輕松構(gòu)建這種高效率的輔助電源。各行各業(yè)加速推進(jìn)生產(chǎn)線的智能化如今，從汽車(chē)、半導(dǎo)體到食品、藥品和化妝品等眾多行業(yè)的工廠，既需要進(jìn)一步提升生產(chǎn)效率和產(chǎn)品品質(zhì)，還需要推進(jìn)無(wú)碳生產(chǎn)（降低功耗和減少溫室氣體排放）。在以往的制造業(yè)中，提高工廠的生產(chǎn)效率和
- 關(guān)鍵字： 電力轉(zhuǎn)換 SiC MOSFET
安森美碳化硅技術(shù)專(zhuān)家“把脈”汽車(chē)產(chǎn)業(yè)2024年新風(fēng)向
- 回首2023年，盡管全球供應(yīng)鏈面臨多重挑戰(zhàn)，但我們看到了不少閃光點(diǎn)，比如AIGC的熱潮、汽車(chē)電子的火爆，以及物聯(lián)網(wǎng)的小跑落地……今天，安森美(onsemi)碳化硅技術(shù)專(zhuān)家牛嘉浩先生為大家?guī)?lái)了他對(duì)過(guò)去一年的經(jīng)驗(yàn)總結(jié)和對(duì)新一年的展望期盼。汽車(chē)產(chǎn)業(yè)鏈中的困難與挑戰(zhàn)在過(guò)去一年中，汽車(chē)芯片短缺、全球供應(yīng)鏈的復(fù)雜性和不確定性及市場(chǎng)需求的變化，可能是汽車(chē)產(chǎn)業(yè)鏈最為棘手的難題，汽車(chē)制造商需要不斷調(diào)整生產(chǎn)和采購(gòu)策略以應(yīng)對(duì)潛在的風(fēng)險(xiǎn)和瓶頸。隨著更多傳統(tǒng)車(chē)企和新興造車(chē)勢(shì)力進(jìn)入新能源汽車(chē)市場(chǎng)，競(jìng)爭(zhēng)壓力加大，汽車(chē)制造商需要不斷提
- 關(guān)鍵字： 智能電源 智能感知 汽車(chē)領(lǐng)域 SiC
意法半導(dǎo)體:SiC新工廠今年投產(chǎn),豐沛產(chǎn)能滿(mǎn)足井噴市場(chǎng)需求
- 回首2023，碳化硅和氮化鎵行業(yè)取得了哪些進(jìn)步？出現(xiàn)了哪些變化？2024將迎來(lái)哪些新機(jī)遇和新挑戰(zhàn)？為更好地解讀產(chǎn)業(yè)格局，探索未來(lái)的前進(jìn)方向，行家說(shuō)三代半、行家極光獎(jiǎng)聯(lián)合策劃了《行家瞭望——2024，火力全開(kāi)》專(zhuān)題報(bào)道。本期嘉賓是意法半導(dǎo)體亞太區(qū)功率分立和模擬產(chǎn)品器件部市場(chǎng)和應(yīng)用副總裁Francesco MUGGERI（沐杰勵(lì)）。全工序SiC工廠今年投產(chǎn)第4代SiC MOS即將量產(chǎn)行家說(shuō)三代半：據(jù)《2023碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書(shū)》統(tǒng)計(jì)，2023年全球新發(fā)布碳化硅主驅(qū)車(chē)型又新增了40多款，預(yù)計(jì)明年部分
- 關(guān)鍵字： 意法半導(dǎo)體 SiC
臻驅(qū)科技擬投超6億元新增SiC功率模塊項(xiàng)目
- 2月1日消息，近日，浙江嘉興平湖市政府公示了“年產(chǎn)90萬(wàn)片功率模塊、45萬(wàn)片PCBA板和20萬(wàn)臺(tái)電機(jī)控制器”建設(shè)項(xiàng)目規(guī)劃批前公告。據(jù)披露，該項(xiàng)目建設(shè)單位為臻驅(qū)科技的全資子公司——臻驅(qū)半導(dǎo)體（嘉興）有限公司，臻驅(qū)半導(dǎo)體擬投約資6.45億元在平湖市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)新明路南側(cè)建造廠房用于生產(chǎn)及研發(fā)等，項(xiàng)目建筑面積達(dá)45800m2。公開(kāi)資料顯示，臻驅(qū)科技成立于2017年，是一家提供國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體及新能源汽車(chē)驅(qū)動(dòng)解決方案的公司，總部位于上海浦東，在上海臨港、廣西柳州、浙江平湖及德國(guó)亞?。ˋachen）等地布局了多家子
- 關(guān)鍵字： 功率模塊 碳化硅 SiC
Qorvo? 推出D2PAK 封裝 SiC FET，提升 750V 電動(dòng)汽車(chē)設(shè)計(jì)性能
- 中國(guó) 北京，2024 年 1 月 30 日——全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo?（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今日宣布一款符合車(chē)規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的碳化硅（SiC）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）產(chǎn)品；在緊湊型 D2PAK-7L 封裝中實(shí)現(xiàn)業(yè)界卓越的 9mΩ 導(dǎo)通電阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作為 Qorvo 全新引腳兼容 SiC FET 系列的首款產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻值最高可達(dá) 60mΩ，非常適合車(chē)載充電器、DC/DC
- 關(guān)鍵字： Qorvo SiC FET 電動(dòng)汽車(chē)
sic介紹
SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導(dǎo)體材料，具有多種同素異構(gòu)類(lèi)型。其典型結(jié)構(gòu)可分為兩類(lèi)：一類(lèi)是閃鋅礦結(jié)構(gòu)的立方SiC晶型，稱(chēng)為3C或β－SiC，這里3指的是周期性次序中面的數(shù)目；另一類(lèi)是六角型或菱形結(jié)構(gòu)的大周期結(jié)構(gòu)，其中典型的有6H、4H、15R等，統(tǒng)稱(chēng)為α－SiC。與Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環(huán)境，并具有極好的抗輻射性能.
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