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SiC生長(zhǎng)過(guò)程及各步驟造成的缺陷
- 眾所周知,提高 SiC 晶圓質(zhì)量對(duì)制造商來(lái)說(shuō)非常重要,因?yàn)樗苯記Q定了 SiC 器件的性能,從而決定了生產(chǎn)成本。然而,具有低缺陷密度的 SiC 晶圓的生長(zhǎng)仍然非常具有挑戰(zhàn)性。SiC 晶圓制造的發(fā)展已經(jīng)完成了從100毫米(4英寸)到150毫米(6英寸)晶圓的艱難過(guò)渡,正在向8英寸邁進(jìn)。SiC 需要在高溫環(huán)境下生長(zhǎng),同時(shí)具有高剛性和化學(xué)穩(wěn)定性,這導(dǎo)致生長(zhǎng)的 SiC 晶片中晶體和表面缺陷的密度很高,導(dǎo)致襯底質(zhì)量和隨后制造的外延層質(zhì)量差?。本篇文章主要總結(jié)了?SiC 生長(zhǎng)過(guò)程及各步驟造成的缺陷
- 關(guān)鍵字: SiC 晶圓
Transphorm發(fā)布兩款4引腳TO-247封裝器件,針對(duì)高功率服務(wù)器、可再生能源、工業(yè)電力轉(zhuǎn)換領(lǐng)域擴(kuò)展產(chǎn)品線
- 加利福尼亞州戈萊塔 – 2024 年 1 月 17 日 — 全球領(lǐng)先的氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體供應(yīng)商 Transphorm, Inc.(納斯達(dá)克:TGAN)今日宣布推出兩款采用 4 引腳 TO-247 封裝(TO-247-4L)的新型 SuperGaN? 器件。新發(fā)布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分別具有 35 毫歐和 50 毫歐的導(dǎo)通電阻,并配有一個(gè)開爾文源極端子,以更低的能量損耗為客戶實(shí)現(xiàn)更全面的開關(guān)功能。新
- 關(guān)鍵字: Transphorm 高功率服務(wù)器 工業(yè)電力轉(zhuǎn)換 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 碳化硅 SiC
安森美:緊握第三代半導(dǎo)體市場(chǎng),助力產(chǎn)業(yè) 轉(zhuǎn)型與可持續(xù)發(fā)展
- 1 轉(zhuǎn)型成功的2023得益于成功的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型,在汽車和工業(yè)市場(chǎng)增長(zhǎng)的 推動(dòng)下,安森美在 2023 年前 3 季度的業(yè)績(jī)都超預(yù)期。 其中,第一季度由先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS) 和能源基 礎(chǔ)設(shè)施終端市場(chǎng)帶來(lái)的收入均同比增長(zhǎng)約 50%,在第 二季度汽車業(yè)務(wù)收入超 10 億美元,同比增長(zhǎng) 35%,創(chuàng) 歷史新高,第三季度汽車和工業(yè)終端市場(chǎng)都實(shí)現(xiàn)創(chuàng)紀(jì)錄 收入。安森美大中華區(qū)銷售副總裁Roy Chia2 深入布局碳化硅領(lǐng)域在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域,安森美專注于 SiC,重點(diǎn)聚 焦于汽車、能源、電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施等應(yīng)
- 關(guān)鍵字: 安森美 第三代半導(dǎo)體 碳化硅 SiC
SiC 長(zhǎng)期供貨,理想簽協(xié)議
- 意法半導(dǎo)體與理想汽車簽署碳化硅長(zhǎng)期供貨協(xié)議。
- 關(guān)鍵字: SiC
SiC仿真攻略手冊(cè)——詳解物理和可擴(kuò)展仿真模型功能!
- 過(guò)去,仿真的基礎(chǔ)是行為和具有基本結(jié)構(gòu)的模型。這些模型使用的公式我們?cè)趯W(xué)校都學(xué)過(guò),它們主要適用于簡(jiǎn)單集成電路技術(shù)中使用的器件。但是,當(dāng)涉及到功率器件時(shí),這些簡(jiǎn)單的模型通常無(wú)法預(yù)測(cè)與為優(yōu)化器件所做的改變相關(guān)的現(xiàn)象。當(dāng)今大多數(shù)功率器件不是橫向結(jié)構(gòu),而是垂直結(jié)構(gòu),它們使用多個(gè)摻雜層來(lái)處理大電場(chǎng)。柵極從平面型變?yōu)闇喜坌?,引入了更?fù)雜的結(jié)構(gòu),如超級(jí)結(jié),并極大地改變了MOSFET的行為?;維pice模型中提供的簡(jiǎn)單器件結(jié)構(gòu)沒(méi)有考慮所有這些非線性因素。現(xiàn)在,通過(guò)引入物理和可擴(kuò)展建模技術(shù),安森美(onsemi)使仿真精度
- 關(guān)鍵字: 功率器件 Spice模型 SiC 仿真
SiC MOSFET用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的優(yōu)勢(shì)
- 低電感電機(jī)有許多不同應(yīng)用,包括大氣隙電機(jī)、無(wú)槽電機(jī)和低泄露感應(yīng)電機(jī)。它們也可被用在使用PCB定子而非繞組定子的新電機(jī)類型中。這些電機(jī)需要高開關(guān)頻率(50-100kHz)來(lái)維持所需的紋波電流。然而,對(duì)于50kHz以上的調(diào)制頻率使用絕緣柵雙極晶體管(IGBT)無(wú)法滿足這些需求,如果是380V系統(tǒng),硅MOSFET耐壓又不夠,這就為寬禁帶器件開創(chuàng)了新的機(jī)會(huì)。在我們的傳統(tǒng)印象中,電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)往往采用IGBT作為開關(guān)器件,而SiC MOSFET作為高速器件往往與光伏和電動(dòng)汽車充電等需要高頻變換的應(yīng)用相關(guān)聯(lián)。但在特定的
- 關(guān)鍵字: 英飛凌 SiC MOSFET
SiC是否會(huì)成為下一代液晶
- 碳化硅作為下一代功率半導(dǎo)體的本命,進(jìn)入了全面的市場(chǎng)拓展階段。加上面向再生能源的市場(chǎng),汽車使用市場(chǎng)的增長(zhǎng)比最初的預(yù)想早了一年多,功率半導(dǎo)體的投資增長(zhǎng)也顯示出SiC的一方面。不久前,行業(yè)也有研究在300mm的SIC增產(chǎn)的動(dòng)向。然而,解決SiC容量增強(qiáng)問(wèn)題現(xiàn)在成為主流。這一趨勢(shì)不僅限于日本和歐洲的功率半導(dǎo)體制造商。美國(guó)和中國(guó)之間的摩擦導(dǎo)致了SiC的國(guó)產(chǎn)化和量產(chǎn)化,這也是影響SIC的一方面。據(jù)電子器件行業(yè)報(bào)道,2023年9月7日,該公司表示,“中國(guó)SiC市場(chǎng)全方位戰(zhàn)略已擴(kuò)大工業(yè)化加速進(jìn)入公司約100家?!敝袊?guó)Si
- 關(guān)鍵字: SIC,液晶,半導(dǎo)體
Power Integrations推出具有快速短路保護(hù)功能且適配62mm SiC和IGBT模塊的門極驅(qū)動(dòng)器
- 美國(guó)加利福尼亞州圣何塞,2023年12月12日訊 – 深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達(dá)克股票代號(hào):POWI)今日推出全新系列的即插即用型門極驅(qū)動(dòng)器,新驅(qū)動(dòng)器適配額定耐壓在1700V以內(nèi)的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模塊和硅IGBT模塊,具有增強(qiáng)的保護(hù)功能,可確保安全可靠的工作。SCALE?-2 2SP0230T2x0雙通道門極驅(qū)動(dòng)器可在不到2微秒的時(shí)間內(nèi)部署短路保護(hù)功能,保護(hù)緊湊型SiC MOSFET免受過(guò)電流的損壞。新驅(qū)動(dòng)器還具有高
- 關(guān)鍵字: Power Integrations 短路保護(hù) SiC IGBT模塊 門極驅(qū)動(dòng)器
“四兩撥千斤”,寬禁帶技術(shù)如何顛覆性創(chuàng)新
- 在半導(dǎo)體行業(yè),新的材料技術(shù)有“四兩撥千斤”的魔力,輕輕松松帶來(lái)顛覆性變革。具有先天性能優(yōu)勢(shì)的寬禁帶半導(dǎo)體材料脫穎而出。在整個(gè)能源轉(zhuǎn)換鏈中,寬禁帶半導(dǎo)體的節(jié)能潛力可為實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)期的全球節(jié)能目標(biāo)作出貢獻(xiàn)。寬禁帶技術(shù)將推動(dòng)電力電子器件提高效率、提高密度、縮小尺寸、減輕重量、降低總成本,因此將在數(shù)據(jù)中心、智能樓宇、個(gè)人電子設(shè)備等應(yīng)用場(chǎng)景中為能效提升作出貢獻(xiàn)。寬禁帶材料讓應(yīng)用性能炸裂,怎么做到的?寬禁帶材料的優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在:? 與傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體材料相比,寬禁帶產(chǎn)品具有更寬更高的禁帶寬度、電場(chǎng)強(qiáng)度,更高的擊穿
- 關(guān)鍵字: GaN 寬禁帶 SiC
Nexperia首款SiC MOSFET提高了工業(yè)電源開關(guān)應(yīng)用的安全性、穩(wěn)健性和可靠性標(biāo)準(zhǔn)
- 奈梅亨,2023年11月30日:基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET,并發(fā)布兩款采用3引腳TO-247封裝的1200 V分立器件,RDS(on)分別為40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品,隨后Nexperia將持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容,推出多款具有不同RDS(on)的器件,并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。這次推出的兩款器件可用性高,可滿足電動(dòng)
- 關(guān)鍵字: Nexperia SiC MOSFET 工業(yè)電源開關(guān)
三菱電機(jī)將與安世攜手開發(fā)SiC功率半導(dǎo)體
- 11月,日本三菱電機(jī)、安世半導(dǎo)體(Nexperia)宣布,將聯(lián)合開發(fā)高效的碳化硅(SiC)MOSFET分立產(chǎn)品功率半導(dǎo)體。雙方將聯(lián)手開發(fā),將促進(jìn)SiC寬禁帶半導(dǎo)體的能效和性能提升至新高度,同時(shí)滿足對(duì)高效分立式功率半導(dǎo)體快速增長(zhǎng)的需求。目前芯片供應(yīng)量尚未確認(rèn),預(yù)計(jì)最早將于2023年內(nèi)開始供應(yīng)。公開消息顯示,安世半導(dǎo)體總部位于荷蘭,目前是中國(guó)聞泰科技的子公司。11月初,安世半導(dǎo)體被迫轉(zhuǎn)手出售其于2021年收購(gòu)的英國(guó)NWF晶圓廠。盡管同屬功率半導(dǎo)體公司,三菱電機(jī)與安世半導(dǎo)體的側(cè)重點(diǎn)不同,前者以“多個(gè)離散元件組合
- 關(guān)鍵字: 三菱電機(jī) 安世 SiC 功率半導(dǎo)體
理想自研芯片進(jìn)展曝光:在新加坡設(shè)立辦公室,團(tuán)隊(duì)規(guī)模已超160人
- 11 月 21 日消息,據(jù)晚點(diǎn) LatePost 報(bào)道,在芯片自研方面,理想同時(shí)在研發(fā)用于智能駕駛場(chǎng)景的 AI 推理芯片,和用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)控制器的 SiC 功率芯片。報(bào)道稱,理想目前正在新加坡組建團(tuán)隊(duì),從事 SiC 功率芯片的研發(fā)。在職場(chǎng)應(yīng)用 LinkedIn 上,已經(jīng)可以看到理想近期發(fā)布的五個(gè)新加坡招聘崗位,包括:總經(jīng)理、SiC 功率模塊故障分析 / 物理分析專家、SiC 功率模塊設(shè)計(jì)專家、SiC 功率模塊工藝專家和 SiC 功率模塊電氣設(shè)計(jì)專家。報(bào)道還稱,用于智能駕駛的 AI 推理芯片是理想目前的研發(fā)重
- 關(guān)鍵字: 理想 自研芯片 新能源汽車 智能駕駛 AI 推理芯片 驅(qū)動(dòng)電機(jī) 控制器 SiC 功率芯片。
Nexperia與三菱電機(jī)就SiC MOSFET分立產(chǎn)品達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系
- Nexperia近日宣布與三菱電機(jī)公司建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,共同開發(fā)碳化硅(SiC) MOSFET分立產(chǎn)品。Nexperia和三菱電機(jī)都是各自行業(yè)領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè),雙方聯(lián)手開發(fā),將促進(jìn)SiC寬禁帶半導(dǎo)體的能效和性能提升至新高度,同時(shí)滿足對(duì)高效分立式功率半導(dǎo)體快速增長(zhǎng)的需求。三菱電機(jī)的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品有助于客戶在汽車、家用電器、工業(yè)設(shè)備和牽引電機(jī)等眾多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)大幅節(jié)能。該公司提供的高性能SiC模塊產(chǎn)品性能可靠,在業(yè)界享有盛譽(yù)。日本備受贊譽(yù)的高速新干線列車采用了這些模塊,并以出色的效率、安全性和可靠性聞名遐邇。N
- 關(guān)鍵字: Nexperia 三菱電機(jī) SiC MOSFET
三菱電機(jī)和Nexperia合作開發(fā)SiC功率半導(dǎo)體
- 三菱電機(jī)將與Nexperia(安世)合力開發(fā)SiC芯片,通過(guò)SiC功率模塊來(lái)積累相關(guān)技術(shù)經(jīng)驗(yàn)。東京--(美國(guó)商業(yè)資訊)--三菱電機(jī)株式會(huì)社(Mitsubishi Electric Corporation,TOKYO: 6503)今天宣布,將與Nexperia B.V.建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,共同開發(fā)面向電力電子市場(chǎng)的碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體。三菱電機(jī)將利用其寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)開發(fā)并提供SiC MOSFET芯片,Nexperia將使用這些芯片開發(fā)SiC分離器件。電動(dòng)汽車市場(chǎng)正在全球范圍內(nèi)擴(kuò)大,并有助于推動(dòng)Si
- 關(guān)鍵字: 三菱電機(jī) 安世 SiC
電裝5億美元入股這家SiC公司
- 11月6日,株式會(huì)社電裝(Denso)宣布對(duì)Coherent的子公司SiC襯底制造商Silicon Carbide LLC注資5億美元,入股后,電裝將獲得該公司12.5%的股權(quán)。電裝本次投資將確保6英寸和8英寸SiC襯底的長(zhǎng)期穩(wěn)定采購(gòu)。關(guān)于本次投資,市場(chǎng)方面早有相關(guān)消息傳出。今年9月底有報(bào)道稱,電裝、三菱電機(jī)等多家企業(yè)對(duì)投資Coherent的SiC業(yè)務(wù)感興趣,并且已經(jīng)就收購(gòu)Coherent的SiC業(yè)務(wù)少數(shù)股權(quán)進(jìn)行過(guò)討論。分拆SiC業(yè)務(wù)能夠給投資者提供更多投資機(jī)會(huì),同時(shí)也是對(duì)SiC發(fā)展前景的看好,Coher
- 關(guān)鍵字: 電裝 SiC
sic介紹
SiC是一種Ⅳ-Ⅳ族化合物半導(dǎo)體材料,具有多種同素異構(gòu)類型。其典型結(jié)構(gòu)可分為兩類:一類是閃鋅礦結(jié)構(gòu)的立方SiC晶型,稱為3C或β-SiC,這里3指的是周期性次序中面的數(shù)目;另一類是六角型或菱形結(jié)構(gòu)的大周期結(jié)構(gòu),其中典型的有6H、4H、15R等,統(tǒng)稱為α-SiC。與Si相比,SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環(huán)境,并具有極好的抗輻射性能.
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