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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> sk 海力士

          大陸發(fā)展DRAM 海力士恐首當(dāng)其沖

          •   工研院 IEK認(rèn)為,為替代進口,中國大陸發(fā)展DRAM已勢在必行,未來若中國大陸成功搶進DRAM領(lǐng)域,預(yù)期海力士恐將是最大潛在受害者。   聯(lián)電接受中國大陸福建省晉華集成電路委托,開發(fā)動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)相關(guān)制程技術(shù),引起各界關(guān)注。   工研院產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟與趨勢研究中心(IEK)電子與系統(tǒng)研究組副組長楊瑞臨認(rèn)為,為替代進口,中國大陸發(fā)展DRAM似乎已勢在必行。   楊瑞臨指出,中國大陸目前至少有 5家廠商規(guī)劃投入DRAM發(fā)展,除這次委托聯(lián)電開發(fā)技術(shù)的晉華外,還有武漢新芯,中芯也傳將重操舊業(yè),
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          三星海力士入圍半導(dǎo)體制造商前三甲

          •   北京時間13日 韓聯(lián)社報道,據(jù)美國知名半導(dǎo)體市場調(diào)研機構(gòu)IC Insights13日消息,三星[微博]電子和SK海力士入圍整合元件制造商三甲,而全球十大芯片設(shè)計公司(Fabless)中沒有一家韓國企業(yè)?! ≡?015年整合元件制造商銷售排名中,三星電子(416億美元)和SK海力士(169億美元)分列第二和第三,而英特爾(34.27, -0.50, -1.44%)以503億美元穩(wěn)居榜首。在芯片設(shè)計企業(yè)方面,高通(47.46, -1.11, -2.28%)-CSR排名第一,安華高-博通(57.34, -0
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          紫光入股韓國海力士半導(dǎo)體遭拒

          •   北京時間11月27日下午消息,韓國芯片制造商SK海力士發(fā)言人今天表示,該公司拒絕了紫光集團的合作要約,但并未提供詳細(xì)信息。 最近有媒體報道稱,紫光集團計劃收購海力士最多20%的股權(quán)。但該發(fā)言人拒絕對此置評。 紫光集團發(fā)言人稱,該公司尚未留意相關(guān)事項。        SK海力士股價周三和周四累計大漲8.4%,但周五午盤下跌0.6%。   紫光集團今年早些時候斥資230億美元洽購美光集團,同樣遭到拒絕。但知情人士表示,該公司尚未放棄這項交易。
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          DRAM現(xiàn)貨價跌破2美元 歷史新低

          •   動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)現(xiàn)貨價持續(xù)破底,DDR3 4Gb顆粒現(xiàn)貨均價已跌破2美元大關(guān),達1.96美元,創(chuàng)歷史新低價。   DRAM市場庫存問題依然嚴(yán)重,DRAM現(xiàn)貨價如預(yù)期持續(xù)滑落,據(jù)市調(diào)機構(gòu)集邦科技調(diào)查,DDR3 4Gb顆?,F(xiàn)貨均價滑落至1.96美元,創(chuàng)下歷史新低價。   第4季來DDR3 4Gb顆粒現(xiàn)貨均價下跌約0.16美元,跌幅約7.54%。   南亞科預(yù)期,DRAM價格可望逐步趨于穩(wěn)定,第4季產(chǎn)品價格將較第3季微幅下滑。   只是集邦科技對DRAM后市看法相對保守,表示目前市場已
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          三星、海力士尬產(chǎn)能,韓國存儲器雙雄掀軍備競賽

          •   昨日南韓半導(dǎo)體廠SK 海力士才發(fā)布史上最大擴產(chǎn)計畫,隔天三星即宣布新廠下個月就將成軍啟用,這也宣告記憶體市場正式進入新一輪的軍備競賽。   三星新廠位于首爾南部的水原市,可用于量產(chǎn)DRAM等記憶體或邏輯晶片。消息指出,水原廠部分產(chǎn)線過去幾個月已進行過試產(chǎn),年底將全面啟用。   另外,三星目前在平澤市還有一半導(dǎo)體廠正在興建,三星計畫未來兩年在這座工廠砸下15兆韓圜(125億美元),是韓國史上對單一半導(dǎo)體廠的最大投資案。(koreaherald.com) 在另一方面,海力士昨日盛大宣布,未來十年內(nèi)將投
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          海力士擴產(chǎn) DRAM不妙

          •   全球第二大DRAM廠南韓SK海力士昨(25)日宣布,規(guī)劃斥資31兆韓元(約259.4億美元、約新臺幣8,300億元),在南韓興建兩座新廠,預(yù)計2024年前竣工。近期DRAM價格好不容易出現(xiàn)止跌訊號,市場憂心,SK海力士大舉擴產(chǎn),長期將再度使得產(chǎn)業(yè)陷入供過于求。   外電指出,投資人正密切留意記憶體廠新的資本投資,因為大規(guī)模的支出可能導(dǎo)致供給過剩,或引爆價格戰(zhàn),這對三星、SK海力士、華亞科(3474)、南亞科等業(yè)者都將不利。   受市場憂心SK海力士大舉擴產(chǎn)影響,南亞科昨天股價在臺股大漲逾265點下
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          三星大敵當(dāng)前,海力士、SanDisk專利訴訟戰(zhàn)大和解

          •   南韓記憶體大廠SK 海力士與美國同業(yè)SanDisk不打不相識,海力士周三宣布,與美國同業(yè)SanDisk的官司已在庭外達成和解,與此同時,雙方還將擴大專利合作,正式成為伙伴關(guān)系。   SanDisk去年按鈴控告旗下某職員于2008年跳槽后,將機密泄漏給海力士,但在雙方達成和解后,SanDisk已同意撤回官司。 海力士與SanDisk不僅一笑泯恩仇,還進一步就專利授權(quán)取得新協(xié)議。聲明稿指出,海力士將支付SanDisk 權(quán)利金,并供應(yīng)DRAM予SanDisk,時間將持續(xù)至2023年。 海力士與東芝的官司去
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          海力士拼獲利,3D NAND快閃存儲器9月量產(chǎn)出貨

          •   南韓記憶體大廠SK 海力士周二宣布加入三星、東芝與美光等強敵之列,其3D NAND 快閃記憶體第三季將正式進入量產(chǎn)階段,預(yù)計9月開始對客戶出貨。   快閃記憶體量產(chǎn)在2D平面微縮制程已遭遇瓶頸,因此走向3D立體堆疊已是大勢所趨。據(jù)日經(jīng)新聞報導(dǎo),海力士將優(yōu)先推出固態(tài)硬碟(SSD)用36層記憶體晶片試市場水溫后,48層產(chǎn)品明年才會投產(chǎn)。 海力士(SK Hynix)上周公布第二季財報遜于預(yù)期,受PC用DRAM需求低迷影響,當(dāng)季營業(yè)利潤僅1.37兆韓圜,低于分析師預(yù)估的1.44兆韓圜。 由于PC本季市況依舊
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          海力士高頻寬存儲器封裝圖文揭密

          •   過去幾個月來,TechInsights的拆解團隊一直在尋找海力士(Hynix)的高頻寬記憶體(HBM),最近終于取得了這款據(jù)稱可克服DDR4/DDR5型SDRAM頻寬限制的記憶體。   海力士的高頻寬記憶體(HBM)很新,而且能夠克服DDR4型SDRAM的頻寬限制,甚至達到某種程度的DDR5型記憶體頻寬。該技術(shù)堆疊了四個DRAM晶片以及一個邏輯晶片,一片一片地堆疊起來,并利用矽穿孔(TSV)與微凸塊接合實現(xiàn)晶片至晶片間連接。        圖1:HBM模組橫截面示意圖   (來
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          海力士高頻寬存儲器封裝揭密

          •   過去幾個月來,TechInsights的拆解團隊一直在尋找海力士(Hynix)的高頻寬記憶體(HBM),最近終于取得了這款據(jù)稱可克服DDR4/DDR5型SDRAM頻寬限制的記憶體。   海力士的高頻寬記憶體(HBM)很新,而且能夠克服DDR4型SDRAM的頻寬限制,甚至達到某種程度的DDR5型記憶體頻寬。該技術(shù)堆疊了四個DRAM晶片以及一個邏輯晶片,一片一片地堆疊起來,并利用矽穿孔(TSV)與微凸塊接合實現(xiàn)晶片至晶片間連接。   圖1顯示四個DRAM晶片與一個邏輯晶片堆疊并固定至中介層晶片。該中介
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          拼年底量產(chǎn)3D NAND、傳SK海力士大買設(shè)備

          •   記憶體大廠整軍經(jīng)武,準(zhǔn)備展開新一波大戰(zhàn)!據(jù)傳三星電子和SK 海力士 (SK Hynix )將大買設(shè)備,積極投資3D NAND Flash;另外DRAM也將轉(zhuǎn)進新制程,拉高戰(zhàn)力。   韓媒etnews 6日報導(dǎo),記憶體大廠爭相量產(chǎn)3D NAND Flash,新制程和傳統(tǒng)NAND Flash相比,差別在于從平面改為立體,能層層堆疊,提高效能。據(jù)了解,由2D轉(zhuǎn)進3D NAND Flash,顯影制程不變,但是金屬化和刻蝕步驟將分別增加50~60%、30~40%,需要采購不少新設(shè)備。據(jù)了解,三星最早量產(chǎn)3D
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          三星移動DRAM市占破5成,臺廠邊緣化、海力士也挨打

          • 三星移動終端受挫,但是呢人家在DRAM領(lǐng)域悶聲發(fā)大財。
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          突破細(xì)微化極限!東芝攜手海力士研發(fā)納米壓印技術(shù)

          •   全球第2大NAND型快閃存儲器 (Flash Memory)廠商東芝 ( Toshiba )5日發(fā)布新聞稿宣布,為加快次世代半導(dǎo)體露光技術(shù)「納米壓印技術(shù)(Nano-imprint Lithography;NIL)」的研發(fā)腳步,已和南韓半導(dǎo)體大廠SK 海力士 (SK Hynix )正式簽署契約,雙方技術(shù)人員將自2015年4月起透過東芝橫濱事業(yè)所攜手研發(fā)NIL制程的關(guān)鍵技術(shù),目標(biāo)為在2017年實用化。   東芝于去年12月和SK海力士(SK Hynix)就NAND Flash侵權(quán)案一事達成和解,海力士(
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          DRAM樂觀 NAND有隱憂

          •   記憶體市況今年將不同調(diào);動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)市場可望維持穩(wěn)定獲利,儲存型快閃記憶體(NAND Flash)市場則有隱憂。   DRAM市場步入由三星(Samsung)、海力士(Hynix)及美光(Micron)三強鼎立的寡占局面,各DRAM廠去年不僅全面獲利,并且是豐收的一年。   臺塑集團旗下DRAM廠南亞科去年可望首度賺進超過1個股本;美光與南亞科合資的華亞科去年獲利也可望突破新臺幣400億元,將創(chuàng)歷史新高紀(jì)錄。   NAND Flash市場競爭、變化相對激烈,且難以預(yù)料;去年下半
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          研調(diào)預(yù)估:8寸晶圓 明年產(chǎn)能續(xù)滿載

          •   今年以來8寸產(chǎn)能滿載話題延燒,市場看好聯(lián)電、世界明年8寸產(chǎn)能可望持續(xù)吃緊。研調(diào)機構(gòu)IC Insights出具報告指出,韓國、臺灣在全球8寸廠中仍將扮演領(lǐng)導(dǎo)地位。其中韓國掌控全球8寸產(chǎn)能達35%,臺灣則占21%。   IC Insights指出,韓國的8寸產(chǎn)能主要來自三星與海力士兩大廠商,其中光是三星就占了全球8寸產(chǎn)能的24%。若是排除存儲器的部分、僅考量晶圓代工的 8寸產(chǎn)能,韓國則占全球的28%。IC Insights指出,三星、海力士在海外也都有8寸的產(chǎn)能,其中海力士最大的8寸廠就在中國大陸,三星
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