v-nand 文章進(jìn)入v-nand技術(shù)社區(qū)

賽昉推出 64 位極低功耗亂序 RISC-V CPU 內(nèi)核 IP 昉?天樞-70

IT之家 8 月 16 日消息，國內(nèi) RISC-V 生態(tài)企業(yè)賽昉科技昨日宣布推的新款 64 位 RISC-V 處理器內(nèi)核產(chǎn)品昉?天樞-70（IT之家注：即 Dubhe-70），適合同時(shí)對(duì)高性能與極低功耗有要求的細(xì)分領(lǐng)域。昉?天樞-70 內(nèi)核采用 9+ 級(jí)流水線、三發(fā)射、超標(biāo)量、亂序執(zhí)行設(shè)計(jì)，支持 RV64GCBH 指令集，在 SPECint2006 基準(zhǔn)測(cè)試中每 GHz 頻率得分為 7.2 分，性能對(duì)標(biāo) Arm Cortex-A72 / A510。賽昉此前已推出“主打極致性能”的昉?天樞-90（
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SiFive宣布推出全新高性能RISC-V數(shù)據(jù)中心處理器，適用于高強(qiáng)度的AI工作負(fù)載

代表RISC-V計(jì)算領(lǐng)域黃金標(biāo)準(zhǔn)的SiFive, Inc.宣布推出全新SiFive Performance P870-D數(shù)據(jù)中心處理器，以滿足客戶對(duì)高度并行的基礎(chǔ)設(shè)施工作負(fù)載（包括視頻流、存儲(chǔ)和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備）的需求。通過與SiFive Intelligence系列中的產(chǎn)品相結(jié)合，數(shù)據(jù)中心架構(gòu)師還可以構(gòu)建一個(gè)極高性能、節(jié)能的計(jì)算子系統(tǒng)並用于AI驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用程序。P870-D以P870的成功經(jīng)驗(yàn)為基礎(chǔ)，支持開放的AMBA CHI協(xié)議，讓客戶在擴(kuò)展集群數(shù)量時(shí)擁有更大的靈活性。這種可擴(kuò)展性允許客戶在提高性能的同時(shí)最大限
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消息稱三星電子確認(rèn)平澤 P4 工廠 1c nm DRAM 內(nèi)存產(chǎn)線投資，目標(biāo)明年 6 月投運(yùn)

IT之家 8 月 12 日消息，韓媒 ETNews 報(bào)道稱，三星電子內(nèi)部已確認(rèn)在平澤 P4 工廠建設(shè) 1c nm DRAM 內(nèi)存產(chǎn)線的投資計(jì)劃，該產(chǎn)線目標(biāo)明年 6 月投入運(yùn)營。平澤 P4 是一座綜合性半導(dǎo)體生產(chǎn)中心，分為四期。在早前規(guī)劃中，一期為 NAND 閃存，二期為邏輯代工，三期、四期為 DRAM 內(nèi)存。三星已在 P4 一期導(dǎo)入 DRAM 生產(chǎn)設(shè)備，但擱置了二期建設(shè)。而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 級(jí)內(nèi)存工藝，各家的 1c nm（或?qū)?yīng)的 1γ nm）產(chǎn)品目前均尚未正式
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1000層3D NAND Flash時(shí)代即將到來

Lam Research 推出低溫蝕刻新技術(shù)，為 1000 層 3D NAND 鋪平道路。
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存儲(chǔ)亮劍！NAND技術(shù)多點(diǎn)突破

人工智能（AI）市場(chǎng)持續(xù)火熱，新興應(yīng)用對(duì)存儲(chǔ)芯片DRAM和NAND需求飆升的同時(shí)，也提出了新的要求。近日恰逢全球存儲(chǔ)會(huì)議FMS 2024（the Future of Memory and Storage）舉行，諸多存儲(chǔ)領(lǐng)域議題與前沿技術(shù)悉數(shù)亮相。其中TrendForce集邦咨詢四位資深分析師針對(duì)HBM、NAND、服務(wù)器等議題展開了深度討論，廓清存儲(chǔ)行業(yè)未來發(fā)展方向。此外，大會(huì)現(xiàn)場(chǎng)，NVM Express組織在會(huì)中發(fā)布了 NVMe 2.1 規(guī)范，進(jìn)一步統(tǒng)一存儲(chǔ)架構(gòu)、簡化開發(fā)流程。另外包括Kioxia
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為 1000 層 NAND 閃存制造鋪平道路，泛林推出新一代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù) Lam Cyro 3.0

IT之家 8 月 1 日消息，泛林集團(tuán) Lam Research 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日宣布推出面向 3D NAND 閃存制造的第三代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù) Lam Cyro 3.0。泛林集團(tuán)全球產(chǎn)品部高級(jí)副總裁 Sesha Varadarajan 表示：Lam Cryo 3.0 為（我們的）客戶實(shí)現(xiàn) 1000 層 3D NAND 鋪平了道路。泛林低溫蝕刻已被用于 500 萬片晶圓的生產(chǎn)，而我們的最新技術(shù)是 3D NAND 生產(chǎn)領(lǐng)域的一項(xiàng)突破。它能以埃米級(jí)精度創(chuàng)建高深寬比（IT之家注：High Aspect R
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RISC與CISC

CISC（復(fù)雜指令集計(jì)算）和RISC（精簡指令集計(jì)算）是兩種不同的計(jì)算機(jī)指令集架構(gòu)。CISC（Complex Instruction Set Computing）復(fù)雜指令集：CISC架構(gòu)設(shè)計(jì)了大量的復(fù)雜指令，每條指令可以完成較為復(fù)雜的操作。較少的指令數(shù)：因?yàn)槊織l指令可以完成較多的操作，所以總體的指令數(shù)較少。內(nèi)存使用效率高：由于指令的復(fù)雜性，單個(gè)指令可以在較少的時(shí)鐘周期內(nèi)完成任務(wù)，從而減少內(nèi)存帶寬的占用。硬件實(shí)現(xiàn)復(fù)雜：實(shí)現(xiàn)這些復(fù)雜指令需要更復(fù)雜的硬件邏輯。常見應(yīng)用：早期的計(jì)算機(jī)和一些特定應(yīng)用中使用較多，如x
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消息指 SK 海力士加速 NAND 研發(fā)，400+ 層閃存明年末量產(chǎn)就緒

IT之家 8 月 1 日消息，韓媒 ETNews 報(bào)道稱，SK 海力士將加速下一代 NAND 閃存的開發(fā)，計(jì)劃 2025 年末完成 400+ 層堆疊 NAND 的量產(chǎn)準(zhǔn)備，2026 年二季度正式啟動(dòng)大規(guī)模生產(chǎn)。SK 海力士此前在 2023 年展示了 321 層堆疊 NAND 閃存的樣品，并稱這一顆粒計(jì)劃于 2025 上半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)?！?SK 海力士 321 層 NAND 閃存按照韓媒的說法，SK 海力士未來兩代 NAND 的間隔將縮短至約 1 年，明顯短于業(yè)界平均水平。IT之家注：從代際發(fā)布間隔
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消息稱 SK 海力士考慮推動(dòng) NAND 業(yè)務(wù)子公司 Solidigm 在美 IPO

IT之家 7 月 29 日消息，綜合外媒《韓國經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》（Hankyung）與 Blocks & Files 報(bào)道，SK 海力士考慮推動(dòng) NAND 閃存與固態(tài)硬盤子公司 Solidigm 在美 IPO。SK 海力士于 2020 年 10 月宣布收購英特爾 NAND 與 SSD 業(yè)務(wù)，而 Solidigm 是 SK 海力士于 2021 年底完成收購第一階段后成立的獨(dú)立美國子公司?！?Solidigm D5-P5336，E1.L 規(guī)格，61.44TB由于內(nèi)外部因素的共同影響，Sol
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長江存儲(chǔ)再度“亮劍”，在美國起訴美光侵犯其 11 項(xiàng)專利

IT之家 7 月 22 日消息，據(jù)外媒 Tomshardware 報(bào)道，中國 3D NAND 閃存制造商長江存儲(chǔ)，日前再次將美光告上法院，在美國加州北區(qū)指控美光侵犯了長江存儲(chǔ)的 11 項(xiàng)專利，涉及 3D NAND Flash 和 DRAM 產(chǎn)品。長江存儲(chǔ)還要求法院命令美光停止在美國銷售侵權(quán)的存儲(chǔ)產(chǎn)品，并支付專利使用費(fèi)。長江存儲(chǔ)指控稱，美光的 96 層（B27A）、128 層（B37R）、176 層（B47R）和 232 層（B58R）3D NAND Flash，以及美光的一些 DDR5 SDRA
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openKylin 成功在 RISC-V 平臺(tái)運(yùn)行微信、WPS 等 X86 架構(gòu)軟件

IT之家 7 月 19 日消息，眾所周知，在新的指令集架構(gòu)發(fā)展初期，往往采用兼容其他架構(gòu)軟件的方法來拓展自身生態(tài)體系，如蘋果公司的 Rosetta 2 和微軟的 Arm64EC，都是將 X86 架構(gòu)軟件運(yùn)行在 ARM 架構(gòu)的系統(tǒng)之上。RISC-V 作為一個(gè)新興的指令集架構(gòu)，亟需軟件生態(tài)的快速發(fā)展與拓展。為此，openKylin（開放麒麟）社區(qū) RISC-V SIG 開展了二進(jìn)制翻譯相關(guān)工作，參與開源項(xiàng)目 box64 的研發(fā)。截至目前，已提交合并 20 余個(gè) PR，增加了 GTK3、nettle
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中國開放指令生態(tài)（RISC-V）聯(lián)盟廣東省珠海中心揭牌

據(jù)珠海高新區(qū)消息，7月17日，中國開放指令生態(tài)（RISC-V）聯(lián)盟（英文縮寫為CRVA）廣東省珠海中心成立大會(huì)在珠海高新區(qū)舉辦。會(huì)上，CRVA廣東省珠海中心在珠海高新區(qū)揭牌成立。CRVA廣東省珠海中心是在中國開放指令生態(tài)（RISC-V）聯(lián)盟的指導(dǎo)下，由珠海中科先進(jìn)技術(shù)研究院、珠海南方集成電路設(shè)計(jì)服務(wù)中心、中山大學(xué)微電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院、北京師范大學(xué)珠海分校信息技術(shù)學(xué)院、北京理工大學(xué)珠海學(xué)院信息學(xué)院、進(jìn)迭時(shí)空（珠海）科技有限公司、珠海全志科技股份有限公司、極海微電子科技股份有限公司8家單位共同發(fā)起。珠海中科先
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為什么QLC可能是NAND閃存的絕唱？

NAND 閃存已經(jīng)達(dá)到了一定的密度極限，無法再進(jìn)一步擴(kuò)展。
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2024 WAIC智能芯片及多模態(tài)大模型論壇

人工智能芯片研發(fā)及基礎(chǔ)算力平臺(tái)公司愛芯元智宣布，7月5日在2024世界人工智能大會(huì)上成功舉辦“芯領(lǐng)未來丨智能芯片及多模態(tài)大模型論壇”。論壇以“引領(lǐng)人工智能革新造就普惠智能生活”為主題，匯聚了芯片、大模型、智能制造等領(lǐng)域的專家與意見領(lǐng)袖，共同分享大模型時(shí)代的創(chuàng)新機(jī)遇及落地成果。愛芯元智提出打造基于邊端智能的AI處理器的產(chǎn)品主張，并突出強(qiáng)調(diào)其“更經(jīng)濟(jì)、更高效、更環(huán)?！钡南冗M(jìn)優(yōu)勢(shì)。分論壇上，愛芯元智正式發(fā)布“愛芯通元AI處理器”，展示了智能芯片與大模型深度融合的技術(shù)應(yīng)用與商業(yè)生態(tài)。云邊端加速一體化，更經(jīng)濟(jì)、更
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三星發(fā)布了其首款60TB固態(tài)硬盤，能否搶占先機(jī)？

內(nèi)存和存儲(chǔ)芯片制造商三星發(fā)布了其首款容量高達(dá)60TB的企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤（SSD），專為滿足企業(yè)用戶的需求而設(shè)計(jì)。得益于全新主控，三星表示未來甚至可以制造120TB的固態(tài)硬盤。對(duì)比2020年發(fā)布的上一代BM1733，BM1733采用了第5代V-NAND技術(shù)的QLC閃存、堆疊層數(shù)為96層、最大容量為15.36TB，顯然BM1743的存儲(chǔ)密度有了大幅度提升。三星以往的固態(tài)硬盤容量上限為32TB，此次推出的BM1743固態(tài)硬盤則將容量提升至了驚人的60TB。值得注意的是，目前三星在該細(xì)分市場(chǎng)將面臨的競(jìng)爭(zhēng)相對(duì)較少，因
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