v-nand 文章進(jìn)入v-nand技術(shù)社區(qū)

RISC-V 開源芯片新紀(jì)元：毛德操新書發(fā)布，共筑中國芯未來

RISC-V，作為一種開源的精簡(jiǎn)指令集架構(gòu)，近年來在半導(dǎo)體行業(yè)取得了顯著的發(fā)展。2023年，它被麻省理工科技評(píng)論評(píng)為十大突破性技術(shù)之一，更有機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)未來將與英特爾x86和ARM架構(gòu)形成三分天下的格局。據(jù)機(jī)構(gòu)分析，2023年，RISC-V架構(gòu)芯片的出貨量超過100億顆，僅用12年就走完了傳統(tǒng)架構(gòu)30年的發(fā)展歷程。預(yù)計(jì)未來幾年，RISC-V的采用率將以40%的年復(fù)合增長(zhǎng)率增長(zhǎng)。目前，RISC-V架構(gòu)在我國也吸引了大量的關(guān)注，近年來一直被積極研究、發(fā)展。但是，現(xiàn)如
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毛德操老師《RISC-V CPU芯片設(shè)計(jì)：香山源代碼剖析》新書發(fā)布會(huì)在北京舉辦

2024年6月14日，由浙大網(wǎng)新科技股份有限公司首席科學(xué)家、中國開源軟件推進(jìn)聯(lián)盟專家委員會(huì)副主任委員、著名計(jì)算機(jī)專家毛德操老師撰寫的新書《RISC-V CPU芯片設(shè)計(jì)：香山源代碼剖析》在北京中關(guān)村創(chuàng)新中心正式發(fā)布。中國工程院院士倪光南、北京開源芯片研究院首席科學(xué)家包云崗、中國開源軟件推進(jìn)聯(lián)盟張侃，來自奕斯偉、摩爾線程、中科海芯、進(jìn)迭時(shí)空、中科彼岸、
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Omdia：2027 年 QLC 市場(chǎng)規(guī)模將占整體 NAND 閃存 46.4%，為去年 3.6 倍

IT之家 6 月 14 日消息，韓媒 Sedaily 轉(zhuǎn)述市場(chǎng)分析機(jī)構(gòu) Omdia 的話稱，2027 年 QLC 市場(chǎng)規(guī)模將占到整體 NAND 閃存的 46.4%，僅略低于 TLC 的 51%。作為對(duì)比，Omdia 認(rèn)為 2023 年 QLC 閃存市場(chǎng)份額占比僅有 12.9%，今年這一比例將大幅增至 20.7%。換句話說，未來三年 QLC 在 NAND 市場(chǎng)整體中的占比將在今年的基礎(chǔ)上繼續(xù)提升 1.24 倍，達(dá) 2023 年的 3.6 倍。在 2023 年及以前，QLC 的市場(chǎng)滲透主要
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三星計(jì)劃到2030年推出1000層3D NAND新材料

據(jù)外媒報(bào)道，三星電子正在積極探索“鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）”作為下一代NAND閃存材料，希望這種新材料可以堆疊1000層以上的3D NAND，并實(shí)現(xiàn)pb級(jí)ssd。如果上述材料研發(fā)順利，將能夠在特定條件下表現(xiàn)出鐵電性，有望取代目前在3D NAND堆疊技術(shù)中使用的氧化物薄膜，提升芯片耐用與穩(wěn)定度。據(jù)三星電子高管預(yù)測(cè)，到2030年左右，其3D NAND的堆疊層數(shù)將超過1000層。三星高管Giwook Kim將于今年6月發(fā)表技術(shù)演講，分析鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroel
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晶心科技與Arteris攜手加速RISC-V SoC的采用

亮點(diǎn):-? ?晶心科技與Arteris的合作旨在支持共同客戶越來越多地采用RISC-V SoC。-?? 專注于基于RISC-V的高性能/低功耗設(shè)計(jì)，涉及消費(fèi)電子、通信、工業(yè)應(yīng)用和AI等廣泛市場(chǎng)。-?? 此次合作展示了與領(lǐng)先的晶心RISC-V處理器IP和Arteris芯片互連IP的集成和優(yōu)化解決方案。Arteris, Inc.是一家領(lǐng)先的系統(tǒng) IP 供應(yīng)商，致力于加速片上系統(tǒng)（SoC）的創(chuàng)建，晶心科技（臺(tái)灣證券交易所股票代碼：6533）是RISC-
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三星1000層NAND目標(biāo)，靠它實(shí)現(xiàn)

三星電子計(jì)劃實(shí)現(xiàn)“PB級(jí)”存儲(chǔ)器目標(biāo)。三星高層曾預(yù)期，V-NAND在2030年疊加千層以上。最新消息指出，三星考慮用新“鐵電”材料鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）實(shí)現(xiàn)目標(biāo)，且可能是關(guān)鍵。目前，三星已經(jīng)推出了290層的堆疊第九代V-NAND快閃存儲(chǔ)器，而據(jù)業(yè)內(nèi)消息，三星計(jì)劃于明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆疊技術(shù)，堆疊層數(shù)將達(dá)到驚人的430層。三星的目標(biāo)是盡快實(shí)現(xiàn)超過1000 TB的存儲(chǔ)容量里程碑，為大數(shù)據(jù)、云計(jì)算等領(lǐng)域的發(fā)展提供強(qiáng)大的存儲(chǔ)支持。最新消息是，KAIST的研究
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三星1000層NAND目標(biāo)，靠它實(shí)現(xiàn)？

三星電子計(jì)劃實(shí)現(xiàn)“PB級(jí)”存儲(chǔ)器目標(biāo)。三星高層曾預(yù)期，V-NAND在2030年疊加千層以上。最新消息指出，三星考慮用新“鐵電”材料鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）實(shí)現(xiàn)目標(biāo)，且可能是關(guān)鍵。目前，三星已經(jīng)推出了290層的堆疊第九代V-NAND快閃存儲(chǔ)器，而據(jù)業(yè)內(nèi)消息，三星計(jì)劃于明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆疊技術(shù)，堆疊層數(shù)將達(dá)到驚人的430層。三星的目標(biāo)是盡快實(shí)現(xiàn)超過1000 TB的存儲(chǔ)容量里程碑，為大數(shù)據(jù)、云計(jì)算等領(lǐng)域的發(fā)展提供強(qiáng)大的存儲(chǔ)支持。最新消息是，KAIST的
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與 AI 共舞，RISC-V 芯片加速落地生根

環(huán)顧當(dāng)下芯片產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵詞，RISC-V 一定位列其中。自計(jì)算機(jī)誕生以來，指令集架構(gòu)一直是計(jì)算機(jī)體系結(jié)構(gòu)中的核心概念之一。目前市場(chǎng)上主流的指令集架構(gòu)兩大巨頭是 x86 和 ARM，前者基本壟斷了 PC、筆記本電腦和服務(wù)器領(lǐng)域，后者則在智能手機(jī)和移動(dòng)終端市場(chǎng)占據(jù)主導(dǎo)地位。近年來，隨著全球?qū)π酒灾骺煽匦枨蟮脑鲩L(zhǎng)以及物聯(lián)網(wǎng)、邊緣計(jì)算等領(lǐng)域的需求不斷擴(kuò)大，RISC-V 在學(xué)術(shù)界和工業(yè)界得到了廣泛關(guān)注和應(yīng)用，逐漸成為第三大指令集架構(gòu)。2023 年，RISC-V 架構(gòu)在更多實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景中得以落地生根，從物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、邊
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SK海力士開發(fā)新一代移動(dòng)端NAND閃存解決方案“ZUFS 4.0”

· 作為業(yè)界最高性能產(chǎn)品，將于今年第3季度開始量產(chǎn)并搭載于端側(cè)AI手機(jī)· 與前一代產(chǎn)品相比，長(zhǎng)期使用所導(dǎo)致的性能下降方面實(shí)現(xiàn)大幅改善，其使用壽命也提升40%· “繼HBM后，也在NAND閃存解決方案領(lǐng)域引領(lǐng)面向AI的存儲(chǔ)器市場(chǎng)”2024年5月9日，SK海力士宣布，公司開發(fā)出用于端側(cè)（On-Device）AI*的移動(dòng)端NAND閃存解決方案產(chǎn)品“ZUFS**（Zoned UFS）4.0”。SK海力士表示：“ZUFS 4.0為新一代移動(dòng)端NAND閃存解決方案產(chǎn)品，其產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)業(yè)界最高
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SK海力士試圖用低溫蝕刻技術(shù)生產(chǎn)400多層的3D NAND

在-70°C 下工作的蝕刻工具有獨(dú)特的性能。
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第二季DRAM合約價(jià)漲幅上修至13~18%；NAND Flash約15~20%

據(jù)TrendForce集邦咨詢最新預(yù)估，第二季DRAM合約價(jià)季漲幅將上修至13~18%；NAND Flash合約價(jià)季漲幅同步上修至約15~20%，全線產(chǎn)品僅eMMC/UFS價(jià)格漲幅較小，約10%。403地震發(fā)生前，TrendForce集邦咨詢?cè)阮A(yù)估，第二季DRAM合約價(jià)季漲幅約3~8%；NAND Flash為13~18%，相較第一季漲幅明顯收斂，當(dāng)時(shí)從合約價(jià)先行指標(biāo)的現(xiàn)貨價(jià)格就可看出，現(xiàn)貨價(jià)已出現(xiàn)連續(xù)走弱，上漲動(dòng)能低落、交易量降低等情況。究其原因，主要是除了AI以外的終端需求不振，尤其筆電、智能手機(jī)
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累計(jì)上漲100%還不停！消息稱SK海力士將對(duì)內(nèi)存等漲價(jià) 至少上調(diào)20%

5月6日消息，供應(yīng)鏈爆料稱，SK海力士將對(duì)旗下LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5等產(chǎn)品提價(jià)，漲幅均有15%-20%。按照消息人士的說法，海力士DRAM產(chǎn)品價(jià)格從去年第四季度開始逐月上調(diào)，目前已累計(jì)上漲約60%-100%不等，下半年漲幅將趨緩?？恐鎯?chǔ)漲價(jià)，三星電子2024年第一季營業(yè)利潤(rùn)達(dá)到了6.606萬億韓元。財(cái)報(bào)顯示，三星電子一季度存儲(chǔ)業(yè)務(wù)營收17.49萬億韓元，環(huán)比增長(zhǎng)11%，同比暴漲96%，在整體的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營收當(dāng)中的占比高達(dá)75.58%。三星表示，一季度存儲(chǔ)市場(chǎng)總體需求強(qiáng)勁，特別是生
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美光率先量產(chǎn)面向客戶端和數(shù)據(jù)中心的200+層QLC NAND產(chǎn)品

Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布，美光232層QLC NAND現(xiàn)已量產(chǎn)，并在部分?Crucial?英睿達(dá)固態(tài)硬盤（SSD）中出貨。與此同時(shí)，美光?2500 NVMeTM?SSD?也已面向企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)客戶量產(chǎn)，并向?PC OEM?廠商出樣。這些進(jìn)展彰顯了美光在?NAND?技術(shù)領(lǐng)域的長(zhǎng)期領(lǐng)導(dǎo)地位。美光?232?層?QLC NAND?可為移動(dòng)
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2024中關(guān)村論壇年會(huì)亮相10項(xiàng)重大科技成果

據(jù)中國科協(xié)官微消息，4月25日，2024中關(guān)村論壇年會(huì)開幕式舉行，10項(xiàng)重大科技成果集體亮相。其中：北京量子信息科學(xué)研究院聯(lián)合中國科學(xué)院物理研究所、清華大學(xué)等團(tuán)隊(duì)，宣布完成大規(guī)模量子云算力集群建設(shè)，實(shí)現(xiàn)了5塊百比特規(guī)模量子芯片算力資源和經(jīng)典算力資源的深度融合，總物理比特?cái)?shù)達(dá)到590，綜合指標(biāo)進(jìn)入國際第一梯隊(duì)。清華大學(xué)戴瓊海團(tuán)隊(duì)突破傳統(tǒng)芯片架構(gòu)中的物理瓶頸，研制出國際首個(gè)全模擬光電智能計(jì)算芯片。據(jù)介紹，該芯片具有高速度、低功耗的特點(diǎn)，在智能視覺目標(biāo)識(shí)別任務(wù)方面的算力是目前高性能商用芯片的3000余倍，能效提
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第三代“香山”RISC-V 開源高性能處理器核亮相，性能進(jìn)入全球第一梯隊(duì)

IT之家 4 月 25 日消息，在今日的 2024 中關(guān)村論壇年會(huì)開幕式重大成果發(fā)布環(huán)節(jié)，多項(xiàng)重大科技成果集體亮相。第三代“香山”RISC-V 開源高性能處理器核亮相，性能進(jìn)入全球第一梯隊(duì)。據(jù)介紹，第五代精簡(jiǎn)指令集（RISC-V）正在引領(lǐng)新一輪處理器芯片技術(shù)與產(chǎn)業(yè)的變革浪潮。中國科學(xué)院計(jì)算技術(shù)研究所、北京開源芯片研究院開發(fā)出第三代“香山”開源高性能 RISC-V 處理器核，是在國際上首次基于開源模式、使用敏捷開發(fā)方法、聯(lián)合開發(fā)的處理器核，性能水平進(jìn)入全球第一梯隊(duì)，成為國際開源社區(qū)性能最強(qiáng)、最活躍
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