v-nand 文章 進入v-nand技術(shù)社區(qū)
鎧俠產(chǎn)能滿載 傳7月量產(chǎn)最先進NAND Flash產(chǎn)品
- 《科創(chuàng)板日報》4日訊，鎧俠產(chǎn)線稼動率據(jù)悉已在6月回升至100%水準、且將在7月內(nèi)量產(chǎn)最先進存儲芯片(NAND Flash)產(chǎn)品，借此開拓因生成式AI普及而急增的數(shù)據(jù)存儲需求。據(jù)悉，鎧俠將開始量產(chǎn)的NAND Flash產(chǎn)品堆疊218層數(shù)據(jù)存儲元件，和現(xiàn)行產(chǎn)品相比，存儲容量提高約50%，寫入數(shù)據(jù)時所需的電力縮減約30%。 (MoneyDJ）
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RISC-V CPU進入mini-ITX主板
- Milk-V 宣布推出 Jupiter，這是一款預(yù)裝了 RISC-V 處理器的迷你 ITX 主板。作為一家受人尊敬的微控制器和 RISC-V 產(chǎn)品供應(yīng)商，Milk-V 與即將發(fā)貨的 Jupiter 一起帶來了“適合所有人的 RISC-V”。Milk-V Jupiter 的核心是 SpacemiT K1 或 M1 處理器，這是由八個 SpacemiT X60 CPU 內(nèi)核驅(qū)動的處理器。處理器及其內(nèi)核的規(guī)格因您的來源而異;我們的最佳估計是，K1 和 M1 是幾乎相同的 CPU，其內(nèi)核在 1.6 到
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半導(dǎo)體設(shè)計迎來「開源潮」
- 越來越多的企業(yè)開始采用開源規(guī)格。
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中國移動發(fā)布安全MCU芯片：40納米工藝、極其安全
- 7月1日消息，近日，中國移動旗下的中移芯昇發(fā)布了一款大容量低功耗+PUF+物理防側(cè)信道攻擊的安全MCU芯片“CM32M435R”，采用40納米功耗工藝，基于業(yè)界領(lǐng)先的高性能32位RISC-V內(nèi)核，綜合性能達到國內(nèi)領(lǐng)先水平。它有三個主要特點：一是高安全。雙核設(shè)計，安全子系統(tǒng)由安全內(nèi)核獨立控制，具備更高安全等級。同時支持物理防克隆PUF、TEE和防側(cè)信道攻擊，支持豐富的加密算法。二是高性能。主頻高達120MHz，F(xiàn)lash容量達到512KB，SRAM容量達到144KB，并支持USB、以太網(wǎng)、SDIO、DCMI
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奕斯偉計算公司在最新的RISC-V邊緣計算SoC中將SiFive CPU、Imagination GPU和自有NPU結(jié)合集成
- 今天，北京奕斯偉計算技術(shù)股份有限公司（以下簡稱“奕斯偉計算”）與Imagination Technologies和SiFive聯(lián)合宣布，奕斯偉EIC77系列SoC中的圖形和計算加速功能由Imagination的GPU IP、SiFive的CPU IP，以及奕斯偉計算的專有神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)單元NPU無縫集成而成?！癆I時代，面對千行百業(yè)被重塑的巨大機遇，奕斯偉計算正在構(gòu)建基于RISC-V的智能計算未來，”奕斯偉計算副董事長王波表示，“算力是AI的核心驅(qū)動力，我們已推出EIC77系列SoC，以滿足客戶更多應(yīng)用場景的不
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NAND市場，激戰(zhàn)打響
- 隨著人工智能（AI）相關(guān)半導(dǎo)體對高帶寬存儲（HBM）需求的推動，NAND 閃存市場也感受到了這一趨勢的影響。目前，NAND 閃存市場的競爭正在加劇，存儲巨頭三星和 SK 海力士正加緊努力，以提升 NAND 產(chǎn)品的性能和容量。兩大巨頭輪番出手三星投產(chǎn)第九代 V-NAND 閃存今年 4 月，三星宣布其第九代 V-NAND 1Tb TLC 產(chǎn)品開始量產(chǎn)，這將有助于鞏固其在 NAND 閃存市場的卓越地位。那么 V-NAND 閃存是什么呢？眾所周知，平面 NAND 閃存不僅有 SLC、MLC 和 TLC 類型之分，
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鎧俠結(jié)束減產(chǎn)？兩座NAND工廠開工率提高至100%
- 據(jù)日經(jīng)新聞報道，鑒于市場正在復(fù)蘇，日本存儲芯片廠商鎧俠已結(jié)束持續(xù)20個月的減產(chǎn)行動，且貸方同意提供新的信貸額度。報道稱，鎧俠于6月份將位于三重縣四日市和巖手縣北上市的兩座NAND工廠的生產(chǎn)線開工率提高至100%。而隨著業(yè)務(wù)好轉(zhuǎn)，債權(quán)銀行已同意為6月份到期的5,400億日元（34.3億美元）貸款進行再融資。他們還將設(shè)立總額為2,100億日元的新信貸額度。2022年10月，為應(yīng)對需求低迷的市場環(huán)境，鎧俠發(fā)布聲明稱，將調(diào)整四日市和北上市NAND Flash晶圓廠的生產(chǎn)，將晶圓生產(chǎn)量減少約30%，并表示會繼續(xù)根據(jù)
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RISC-V 開源芯片新紀元：毛德操新書發(fā)布，共筑中國芯未來
- RISC-V，作為一種開源的精簡指令集架構(gòu)，近年來在半導(dǎo)體行業(yè)取得了顯著的發(fā)展。2023年，它被麻省理工科技評論評為十大突破性技術(shù)之一，更有機構(gòu)預(yù)測未來將與英特爾x86和ARM架構(gòu)形成三分天下的格局。據(jù)機構(gòu)分析，2023年，RISC-V架構(gòu)芯片的出貨量超過100億顆，僅用12年就走完了傳統(tǒng)架構(gòu)30年的發(fā)展歷程。預(yù)計未來幾年，RISC-V的采用率將以40%的年復(fù)合增長率增長。 目前，RISC-V架構(gòu)在我國也吸引了大量的關(guān)注，近年來一直被積極研究、發(fā)展。但是，現(xiàn)如
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三星計劃到2030年推出1000層3D NAND新材料
- 據(jù)外媒報道，三星電子正在積極探索“鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）”作為下一代NAND閃存材料，希望這種新材料可以堆疊1000層以上的3D NAND，并實現(xiàn)pb級ssd。如果上述材料研發(fā)順利，將能夠在特定條件下表現(xiàn)出鐵電性，有望取代目前在3D NAND堆疊技術(shù)中使用的氧化物薄膜，提升芯片耐用與穩(wěn)定度。據(jù)三星電子高管預(yù)測，到2030年左右，其3D NAND的堆疊層數(shù)將超過1000層。三星高管Giwook Kim將于今年6月發(fā)表技術(shù)演講，分析鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroel
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晶心科技與Arteris攜手加速RISC-V SoC的采用
- 亮點:-? ?晶心科技與Arteris的合作旨在支持共同客戶越來越多地采用RISC-V SoC。-?? 專注于基于RISC-V的高性能/低功耗設(shè)計，涉及消費電子、通信、工業(yè)應(yīng)用和AI等廣泛市場。-?? 此次合作展示了與領(lǐng)先的晶心RISC-V處理器IP和Arteris芯片互連IP的集成和優(yōu)化解決方案。Arteris, Inc.是一家領(lǐng)先的系統(tǒng) IP 供應(yīng)商，致力于加速片上系統(tǒng)（SoC）的創(chuàng)建，晶心科技（臺灣證券交易所股票代碼：6533）是RISC-
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三星1000層NAND目標，靠它實現(xiàn)
- 三星電子計劃實現(xiàn)“PB級”存儲器目標。三星高層曾預(yù)期，V-NAND在2030年疊加千層以上。最新消息指出，三星考慮用新“鐵電”材料鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）實現(xiàn)目標，且可能是關(guān)鍵。目前，三星已經(jīng)推出了290層的堆疊第九代V-NAND快閃存儲器，而據(jù)業(yè)內(nèi)消息，三星計劃于明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆疊技術(shù)，堆疊層數(shù)將達到驚人的430層。三星的目標是盡快實現(xiàn)超過1000 TB的存儲容量里程碑，為大數(shù)據(jù)、云計算等領(lǐng)域的發(fā)展提供強大的存儲支持。最新消息是，KAIST的研究
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三星1000層NAND目標，靠它實現(xiàn)？
- 三星電子計劃實現(xiàn)“PB級”存儲器目標。三星高層曾預(yù)期，V-NAND在2030年疊加千層以上。最新消息指出，三星考慮用新“鐵電”材料鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）實現(xiàn)目標，且可能是關(guān)鍵。目前，三星已經(jīng)推出了290層的堆疊第九代V-NAND快閃存儲器，而據(jù)業(yè)內(nèi)消息，三星計劃于明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆疊技術(shù)，堆疊層數(shù)將達到驚人的430層。三星的目標是盡快實現(xiàn)超過1000 TB的存儲容量里程碑，為大數(shù)據(jù)、云計算等領(lǐng)域的發(fā)展提供強大的存儲支持。最新消息是，KAIST的
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與 AI 共舞，RISC-V 芯片加速落地生根
- 環(huán)顧當下芯片產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵詞，RISC-V 一定位列其中。自計算機誕生以來，指令集架構(gòu)一直是計算機體系結(jié)構(gòu)中的核心概念之一。目前市場上主流的指令集架構(gòu)兩大巨頭是 x86 和 ARM，前者基本壟斷了 PC、筆記本電腦和服務(wù)器領(lǐng)域，后者則在智能手機和移動終端市場占據(jù)主導(dǎo)地位。近年來，隨著全球?qū)π酒灾骺煽匦枨蟮脑鲩L以及物聯(lián)網(wǎng)、邊緣計算等領(lǐng)域的需求不斷擴大，RISC-V 在學(xué)術(shù)界和工業(yè)界得到了廣泛關(guān)注和應(yīng)用，逐漸成為第三大指令集架構(gòu)。2023 年，RISC-V 架構(gòu)在更多實際應(yīng)用場景中得以落地生根，從物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、邊
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歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對v-nand的理解，并與今后在此搜索v-nand的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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