vd-mosfet 文章 進(jìn)入vd-mosfet技術(shù)社區(qū)
MOSFET控制器有助提升PSU效率
- Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8,其額定電壓為25V,適用于90W及以上的筆記本和便攜式電腦的電源設(shè)計(jì)。這款新品能取代返馳式轉(zhuǎn)換器內(nèi)效率較低的肖特基二極管,并通過減少多達(dá)70%的整流器損耗,有效提升最高達(dá)3.5%的電源效率。因此,該器件有助電源供應(yīng)系統(tǒng)更容易達(dá)到能源之星V2.0所規(guī)定的電源平均效率需達(dá)到87%的評(píng)級(jí)要求。
- 關(guān)鍵字: Diodes MOSFET ZXGD3104N8
Diodes封裝MOSFET有助于實(shí)現(xiàn)低溫操作
- Diodes公司推出首款采用微型DFN1212-3封裝MOSFET。該器件的結(jié)點(diǎn)至環(huán)境熱阻(Rthj-a)為130oC/W,能在持續(xù)狀態(tài)下支持高達(dá)1W的功率耗散,相比于占位面積相同、Rthi-a性能為280oC/W的SOT723封裝,能實(shí)現(xiàn)更低溫度運(yùn)行。 這款無鉛DFN1212-3封裝MOSFET與采用SOT723封裝的MOSFET一樣,印刷電路板(PCB)面積為1.44mm2,并具備0.5mm的狹小離板高度,但后者的熱效率則較低。這對(duì)采用DFN1212-3封裝的MOSFET
- 關(guān)鍵字: Diodes MOSFET
汽車HID前燈鎮(zhèn)流器及PFC控制解決方案
- 英飛凌汽車HID前燈鎮(zhèn)流器及PFC控制解決方案主要由5個(gè)MOSFET、2個(gè)高電壓驅(qū)動(dòng)器、1個(gè)PFC控制器和1個(gè)HID燈鎮(zhèn)流...
- 關(guān)鍵字: HID燈鎮(zhèn)流器 MOSFET 高電壓驅(qū)動(dòng)器
UCC27321高速驅(qū)動(dòng)MOSFET芯片的應(yīng)用設(shè)計(jì)
- UCC27321高速驅(qū)動(dòng)MOSFET芯片的應(yīng)用設(shè)計(jì),1 引言
隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展,各種新型的驅(qū)動(dòng)芯片層出不窮,為驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)提供了更多的選擇和設(shè)計(jì)思路,外圍電路大大減少,使得MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路愈來愈簡潔,.性能也獲得到了很大地提高。其中UCC27321 - 關(guān)鍵字: 應(yīng)用 設(shè)計(jì) 芯片 MOSFET 高速 驅(qū)動(dòng) UCC27321
智能MOSFET驅(qū)動(dòng)器提升數(shù)字控制電源性能的設(shè)計(jì)方案
- 在電源系統(tǒng)中,MOSFET驅(qū)動(dòng)器一般僅用于將PWM控制IC的輸出信號(hào)轉(zhuǎn)換為高速的大電流信號(hào),以便以最快的速度打開和關(guān)閉MOSFET。由于驅(qū)動(dòng)器IC與MOSFET的位置相鄰,所以就需要增加智能保護(hù)功能以增強(qiáng)電源的可靠性?! CD
- 關(guān)鍵字: MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 數(shù)字控制電源 設(shè)計(jì)方案
飛兆半導(dǎo)體鋰離子電池組保護(hù)設(shè)計(jì)解決方案
- 便攜產(chǎn)品的設(shè)計(jì)人員通常在設(shè)計(jì)的每個(gè)階段都會(huì)面對(duì)減小空間和提高效率的挑戰(zhàn)。在超便攜應(yīng)用等使用單節(jié)鋰離子電池的產(chǎn)品中,這是一個(gè)特別重要的問題。
- 關(guān)鍵字: 飛兆半導(dǎo)體 MOSFET FDMB2307NZ
Diodes推出新型P通道MOSFET
- Diodes公司推出微型12V P通道強(qiáng)化型MOSFET——DMP1245UFCL,有助提升電池效率及減少電路板空間,并滿足空間局限的便攜式產(chǎn)品設(shè)計(jì)要求,如智能手機(jī)及平板計(jì)算機(jī)等。
- 關(guān)鍵字: Diodes MOSFET DMP1245UFCL
快速二極管MOSFET在三相逆變器拓?fù)渲械膽?yīng)用
- 高效率和節(jié)能是家電應(yīng)用中首要的問題。三相無刷直流電機(jī)因其效率高和尺寸小的優(yōu)勢(shì)而被廣泛應(yīng)用在家電設(shè)...
- 關(guān)鍵字: 意法半導(dǎo)體 MOSFET 逆變器
MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)及應(yīng)用
- 下面是我對(duì)MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié),其中參考了一些資料,非全部原創(chuàng)。包括MOS管的介紹,特性,驅(qū)動(dòng)以及應(yīng)用電路?!≡谑褂肕OS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候,大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻,
- 關(guān)鍵字: MOSFET 驅(qū)動(dòng) 電路設(shè)計(jì)
vd-mosfet介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條vd-mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)vd-mosfet的理解,并與今后在此搜索vd-mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)vd-mosfet的理解,并與今后在此搜索vd-mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473