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          Vishay推出新器件---SiZ300DT和SiZ910DT

          • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新器件---SiZ300DT和SiZ910DT---以擴(kuò)充用于低電壓DC/DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的PowerPAIR家族雙芯片不對(duì)稱功率MOSFET。新器件擴(kuò)大了該系列產(chǎn)品的電壓和封裝占位選項(xiàng),使Vishay成為3mm x 3mm、6mm x 3.7mm和6mm x 5mm PowerPAIR尺寸規(guī)格產(chǎn)品的獨(dú)家供應(yīng)商。
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          AOS推出適用便攜式應(yīng)用的功率MOSFET

          •   日前,集設(shè)計(jì),開發(fā)和全球銷售的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商AOS半導(dǎo)體有限公司(AOS),發(fā)布了具有行業(yè)領(lǐng)先標(biāo)準(zhǔn)的高功率密度和高效能的功率MOSFET,它們的DFN3X3封裝厚度只有超薄的0.8毫米。   新的產(chǎn)品上應(yīng)用了AOS的AlphaMOS專利技術(shù)。這些技術(shù)的好處在于它可以延長(zhǎng)電池的使用壽命,還可以使設(shè)計(jì)變的更簡(jiǎn)單緊湊,適用于便攜式產(chǎn)品,例如:平板電腦、智能手機(jī),電子書、筆記本電腦、數(shù)碼相機(jī)及便攜式音樂播放器。   AON7421和AON7423是20V P溝道MOSFET,它們的RDS(ON)是目前市
          • 關(guān)鍵字: AOS  MOSFET  

          采用開關(guān)器件提高PFC效率

          • 在CCMPFC中,通過改善MOSFET技術(shù)可以減少開關(guān)損耗,甚至可通過SiC技術(shù)改善升壓二極管來減少M(fèi)OSFET的開關(guān)損...
          • 關(guān)鍵字: 開關(guān)  PFC  MOSFET  

          在SMPS應(yīng)用中選擇IGBT和MOSFET的比較

          • 開關(guān)電源(SwitchModePowerSupply;SMPS)的性能在很大程度上依賴于功率半導(dǎo)體器件的選擇,即開關(guān)管和整流...
          • 關(guān)鍵字: 開關(guān)電源  IGBT  MOSFET  

          飛兆半導(dǎo)體在線設(shè)計(jì)和模擬工具

          • 當(dāng)前,設(shè)計(jì)人員正面臨為各種應(yīng)用產(chǎn)品的電源設(shè)計(jì)反激電路的挑戰(zhàn),現(xiàn)在找到能夠簡(jiǎn)化工作的方法。全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)發(fā)布一款易于使用、功能強(qiáng)大的在線仿真工具Power Supply WebDesigner (PSW),這款工具可讓設(shè)計(jì)人員無需應(yīng)用指南,也可以像電源專家一樣進(jìn)行“自動(dòng)化設(shè)計(jì)”、優(yōu)化或“先進(jìn)設(shè)計(jì)”。
          • 關(guān)鍵字: 飛兆  MOSFET  PSW  

          MAX5054-MAX5057雙、高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)器

          • 概述  MAX5054-MAX5057雙、高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)器可供出和吸收高達(dá)4A的峰值電流。這些器件具有20ns的快速傳輸 ...
          • 關(guān)鍵字: MAX5054  MAX5057  MOSFET  驅(qū)動(dòng)器  

          大功率LED關(guān)鍵材料GaN開始侵食硅功率MOSFET市場(chǎng)

          • 超級(jí)半導(dǎo)體材料GaN(氮化鎵)的時(shí)代正開啟。它比傳統(tǒng)的硅和GaAs(砷化鎵)更加耐壓,已成為大功率LED的關(guān)鍵材料之...
          • 關(guān)鍵字: LED  GaN  MOSFET  

          Vishay推出新款n溝道功率MOSFET

          • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布, Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過JAN認(rèn)證的,分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV。對(duì)于軍工、航天和航空應(yīng)用,這些采用密封TO-205AD(TO-39)封裝的器件兼具低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)的性能。
          • 關(guān)鍵字: Vishay  MOSFET  

          理解功率 MOSFET 的電流

          • 通常,在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中的第一頁,列出了連續(xù)漏極電流ID,脈沖漏極電流IDM,雪崩電流IAV的額定值,然后對(duì)于許多電子工程師來說,他們對(duì)于這些電流值的定義以及在實(shí)際的設(shè)計(jì)過程中,它們?nèi)绾斡绊懴到y(tǒng)以及如何選
          • 關(guān)鍵字: 電流  MOSFET  功率  理解  

          國(guó)際整流器公司推出車用AUIRS2332J柵極驅(qū)動(dòng)IC

          •   國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 近日推出600V AUIRS2332J 三相柵極驅(qū)動(dòng)器IC,適用于電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車中的車用高壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。   AUIRS2332J 高壓高速功率 MOSFET 和 IGBT 驅(qū)動(dòng)器具備三個(gè)獨(dú)立的高低側(cè)參考輸出通道。IR專有的 HVIC 技術(shù)使單片式結(jié)構(gòu)堅(jiān)固耐用,而且其邏輯輸入與 CMOS 或 LSTTL 輸出相兼容,低至3.3V 邏輯。新器件還提供能通過外部電流感應(yīng)電阻來進(jìn)行橋電流模擬反饋的集成接地參考運(yùn)算放大器
          • 關(guān)鍵字: 國(guó)際整流器公司  MOSFET  柵極驅(qū)動(dòng)IC  

          集成高壓MOSFET可實(shí)現(xiàn)PFC的HiperPFS控制器芯片

          • 用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日宣布推出全新的HiperPFS產(chǎn)品,一款 ...
          • 關(guān)鍵字: 集成高壓  MOSFET  PFC  控制器芯片  

          新型MOSFET滿足高速開關(guān)等三大關(guān)鍵性能

          • 現(xiàn)在人們關(guān)注“平板電視”和“太陽能電池”,這兩個(gè)領(lǐng)域都注重環(huán)保理念,需要進(jìn)行低損耗、高效率的產(chǎn)品開發(fā)。 ...
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  高速開關(guān)  

          Vishay Siliconix再次刷新MOSFET記錄

          • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出業(yè)內(nèi)采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級(jí)封裝的N溝道和P溝道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFET功率MOSFET所用的MICRO FOOT封裝的占板面積比僅次于它的最小芯片級(jí)器件最高可減少36%,而導(dǎo)通電阻則與之相當(dāng)甚至更低。
          • 關(guān)鍵字: Vishay  MOSFET  Si8802DB  

          估算熱插拔MOSFET的瞬態(tài)溫升—第1部分

          • 在本電源設(shè)計(jì)小貼士以及下次的小貼士中,我們將研究一種估算熱插拔MOSFET溫升的簡(jiǎn)單方法。熱插拔電路用于將...
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  瞬態(tài)溫升  

          Vishay Siliconix發(fā)布新款E系列MOSFET器件

          •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產(chǎn)品在10V下具有64mΩ~190mΩ的超低最大導(dǎo)通電阻,以及22A~47A的額定電流范圍。E系列MOSFET基于Vishay的下一代Super Junction技術(shù),具有超低柵極電荷,以及較低柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積,該乘積是衡量用在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的MOSFET的重要優(yōu)值系數(shù)。    ?   與前一代S系列器件相比,新的
          • 關(guān)鍵字: Vishay Siliconix  MOSFET  
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