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          功率半導(dǎo)體市場(chǎng)分析匯總,這一篇就夠了

          作者: 時(shí)間:2019-03-26 來(lái)源:IC咖啡 收藏
          編者按:從長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看,由于決定核心競(jìng)爭(zhēng)力的前段制造能力和關(guān)乎企業(yè)發(fā)展 速度的設(shè)計(jì)能力對(duì)于一家功率半導(dǎo)體企業(yè)而言缺一不可,再加上掌握封測(cè)環(huán) 節(jié)一方面可以占據(jù)更廣闊的利潤(rùn)空間,另一方面可以增強(qiáng)對(duì)產(chǎn)品性能的把控、與設(shè)計(jì)制造環(huán)節(jié)形成協(xié)同效應(yīng),因此我們判斷從長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看IDM是功率半導(dǎo)體 廠商的必然選擇。

            1.2 伴隨著社會(huì)電氣化程度的加深,長(zhǎng)遠(yuǎn)追求更高的功率密度與更低的功耗

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201903/398853.htm

            伴隨著電力的運(yùn)用而誕生,自然也就隨著社會(huì)電氣化程度的 加深而發(fā)展。而社會(huì)電氣化程度的提高又主要源于兩個(gè)方面:應(yīng)用領(lǐng)域的廣 泛化與應(yīng)用形式的精密化。 應(yīng)用領(lǐng)域的廣泛化一方面是指新型應(yīng)用的誕生,代表性的應(yīng)用包括智能 手機(jī)、可穿戴設(shè)備等;另一方面是指越來(lái)越多傳統(tǒng)領(lǐng)域的電氣化,代表性的 應(yīng)用比如過(guò)去10 年間實(shí)現(xiàn)對(duì)傳統(tǒng)灶具部分替代的電磁爐、未來(lái)的電動(dòng)汽車(chē)與 物聯(lián)網(wǎng)等。 而應(yīng)用形式的精密化則是指對(duì)用電終端的供電,從原來(lái)粗獷地向所有用 電終端統(tǒng)一直供,漸漸轉(zhuǎn)化為對(duì)每一個(gè)用電終端的精確化控制,代表性的產(chǎn) 品比如電源管理芯片、負(fù)載開(kāi)關(guān)等。

            自然,社會(huì)電氣化程度的提高也對(duì)提出了相應(yīng)的要求。

            而當(dāng)這些性能要求具體到性能指標(biāo)的層面時(shí),則又分為基礎(chǔ)指標(biāo)和功耗 指標(biāo)。前者是指為了能實(shí)現(xiàn)某一特定功能,功率半導(dǎo)體必須滿足的指標(biāo),比如只有滿足一定的工作電壓、電流密度、工作頻率的功率器件才能驅(qū)動(dòng)電動(dòng) 汽車(chē)的電機(jī)實(shí)現(xiàn)特定的轉(zhuǎn)速,又比如只有能耐受一定溫度的功率半導(dǎo)體才可 以運(yùn)用到一些特定的航天領(lǐng)域;而后者則是滿足了基礎(chǔ)指標(biāo)后,為了實(shí)現(xiàn)更 高效的目的,所有功率半導(dǎo)體追求更低功耗所參考的指標(biāo)。

            這些指標(biāo)中,頻率指標(biāo)需要特別關(guān)注,因?yàn)轭l率(反向恢復(fù)時(shí)間的倒數(shù)) 一方面決定直流電轉(zhuǎn)化成交流電的最高頻率,另一方面決定了變壓器等電氣 設(shè)備的最小體積,通常來(lái)說(shuō)由功率半導(dǎo)體及配套被動(dòng)元件組成的電氣設(shè)備的 體積和重量與供電頻率的平方根成反比。

            為了滿足越來(lái)越高的指標(biāo)要求,自 1956年美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明晶閘管以 來(lái),功率半導(dǎo)體一刻不曾停歇,一直在通過(guò)多種方式實(shí)現(xiàn)技術(shù)演進(jìn)。

            從功率半導(dǎo)體的發(fā)展軌跡來(lái)看,高功率、高頻率(小型化)與低功耗是 技術(shù)演進(jìn)的方向,但三者的關(guān)系有層次之分:不同應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)功率的硬性要 求不同,在滿足特定功率要求的基礎(chǔ)上,新的技術(shù)、工藝都在盡量追求小型 化和低功耗。例如新能源汽車(chē)等新興應(yīng)用市場(chǎng)對(duì)高功率半導(dǎo)體的需求巨大, 但GTO等前代功率器件在在體積(重量)、功耗層面性能不足,而以 IGBT 為代表的新型功率器件在保證實(shí)現(xiàn)高功率的基礎(chǔ)上保持了小型化和相對(duì)低功 耗的特點(diǎn),進(jìn)而成為主流的高功率器件。

            因此我們認(rèn)為功率半導(dǎo)體的發(fā)展實(shí)際上是在滿足特定功率的基礎(chǔ)上,追 求于更小的體積(重量)和更低的功耗。

            所以功率半導(dǎo)體長(zhǎng)遠(yuǎn)所追求的,是實(shí)現(xiàn)自身的低功耗與高功率密度(功 率和體積之比)。而擁有著更低的功耗和更高的功率密度的功率半導(dǎo)體,驅(qū) 動(dòng)著我們的世界向著更高效、更精密的方向發(fā)展。

            1.3 受益于清潔能源、電動(dòng)汽車(chē)與物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展,預(yù)計(jì)2022年功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模可達(dá)426億美元

            作為一個(gè)從1956年發(fā)展至今的成熟產(chǎn)業(yè),功率半導(dǎo)體行業(yè)每年的市場(chǎng)空 間可以被很容易地拆解成兩個(gè)方面:折舊帶來(lái)的替換市場(chǎng)以及電氣化程度加 深帶來(lái)的新增市場(chǎng)。




          關(guān)鍵詞: 功率半導(dǎo)體 晶圓

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