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          等離子處理提高65nm邏輯器件可靠性

          作者: 時間:2009-05-20 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          等離子預(yù)處理作用

          為了了解等離子處理對Cu/界面的作用,在PECVD系統(tǒng)中于淀積體薄膜前有和沒有預(yù)處理情況下淀積薄膜。通過用SIMS測量Cu和SiN界面污染,研究等離子預(yù)處理的作用。實驗數(shù)據(jù)說明,淀積SiN體薄膜前用NH3處理可顯著減少Cu和SiN界面處的O和C含量(圖3)。增加預(yù)處理時間也可使O和C含量減少,見圖4和圖5,這表明NH3預(yù)處理是去除有機污染和減少到Cu的Cu-O的有效方法。



          關(guān)鍵詞: SiN 65nm

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