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          等離子處理提高65nm邏輯器件可靠性

          作者: 時(shí)間:2009-05-20 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏


          沉浸和預(yù)處理時(shí)間的影響

          為了進(jìn)一步了解NH3等離子預(yù)處理對(duì)器件電學(xué)性質(zhì)的作用,作了一些實(shí)驗(yàn)研究沉浸(NH3和N2)和預(yù)處理(NH3)時(shí)間對(duì)VBD性能的影響。

          實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示,沉浸和預(yù)處理總時(shí)間增加時(shí),擊穿電壓大大提高(圖6),這可能是因?yàn)镃u/界面的改善,與Cu/界面上C和O含量的減少是一致的。



          關(guān)鍵詞: SiN 65nm

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