等離子處理提高65nm邏輯器件可靠性 作者: 時(shí)間:2009-05-20 來源:網(wǎng)絡(luò) 加入技術(shù)交流群 掃碼加入和技術(shù)大咖面對(duì)面交流海量資料庫查詢 收藏 沉浸和預(yù)處理時(shí)間的影響 為了進(jìn)一步了解NH3等離子預(yù)處理對(duì)器件電學(xué)性質(zhì)的作用,作了一些實(shí)驗(yàn)研究沉浸(NH3和N2)和預(yù)處理(NH3)時(shí)間對(duì)VBD性能的影響。 實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示,沉浸和預(yù)處理總時(shí)間增加時(shí),擊穿電壓大大提高(圖6),這可能是因?yàn)镃u/SiN界面的改善,與Cu/SiN界面上C和O含量的減少是一致的。 上一頁 1 2 3 4 5 下一頁
評(píng)論