采用高級(jí)節(jié)點(diǎn)ICs實(shí)現(xiàn)從概念到推向消費(fèi)者的最快途徑(08-100)

　　高級(jí)節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)的要求已經(jīng)導(dǎo)致物理設(shè)計(jì)簽收的根本性變化。在45納米設(shè)計(jì)中，設(shè)計(jì)規(guī)則檢查(DRC)并不向設(shè)計(jì)師提供滿足良品率要求的充分信息。半導(dǎo)體公司不能再期待在最后的DRC檢查過(guò)程中的后期可制造性簽收時(shí)，滿足性能和良品率目標(biāo)。與之前的簽收階段(例如時(shí)序簽收和功率簽收)不同，可制造性簽收必須貫穿從概念到推向客戶端整個(gè)開發(fā)過(guò)程，使用預(yù)防性措施和優(yōu)化，避免代價(jià)高昂的芯片調(diào)試與重新設(shè)計(jì)如圖2所示。

　　圖2 為了防止在開發(fā)后期出現(xiàn)代價(jià)高昂的問(wèn)題，以及為了優(yōu)化性能與良品率，半導(dǎo)體公司需要依靠精密的分析能力，并且將可制造性簽收貫穿于從產(chǎn)品概念到消費(fèi)電子設(shè)備成品的全過(guò)程。

　　應(yīng)對(duì)越來(lái)越大的差異性

　　在以往的技術(shù)時(shí)代里，設(shè)計(jì)師可以設(shè)置余量以補(bǔ)償簡(jiǎn)化的設(shè)計(jì)規(guī)則以及導(dǎo)孔問(wèn)題和隨機(jī)的極小缺陷造成的制造差異。而對(duì)于高級(jí)節(jié)點(diǎn)制造，設(shè)計(jì)師面臨著擴(kuò)大的體系與隨機(jī)差異范圍，出現(xiàn)了能夠大大影響芯片性能的因素，用提高差數(shù)的方式已經(jīng)無(wú)法有效彌補(bǔ)。在無(wú)法對(duì)這些影響進(jìn)行建模并在設(shè)計(jì)初期采取預(yù)防措施的情況下，設(shè)計(jì)師會(huì)面臨芯片的失敗，而且沒有多少可以糾正的后備選擇。