2009年晶圓級(jí)封裝趨勢(shì)

　　其他挑戰(zhàn)

　　最近一個(gè)新的挑戰(zhàn)給ASE制造了意想不到的困難。當(dāng)用戶增加芯片的復(fù)雜度和密度時(shí)，更多的功能部分被封裝進(jìn)芯片中，且大都使用再分布的方法。“與密度增加同時(shí)發(fā)生的是，一些引線鍵合焊盤或硅芯片上的焊盤降低到UBM結(jié)構(gòu)之下。因?yàn)槟抢餂]有了襯墊效應(yīng)，而是一個(gè)高應(yīng)力集中區(qū)域，因此會(huì)降低可靠性。增加密度時(shí)焊盤下的通孔會(huì)導(dǎo)致這個(gè)問題。我們正試圖優(yōu)化設(shè)計(jì)——不但在在硅芯片級(jí)別上，而且在再分布系統(tǒng)結(jié)構(gòu)上，來調(diào)節(jié)落到高密度器件焊墊下方的通孔。”

　　大電流也可能在將來帶來一些挑戰(zhàn)。Hunt表示，有些ASE的終端用戶希望得到比傳統(tǒng)上ASE為便攜式設(shè)備提供的大得多的電流。“我們將不得不增加RDL的厚度和UBM結(jié)構(gòu)的性能以及選擇具有最好電遷移性能的合金，”Hunt說“嵌入式閃存和扇出技術(shù)中我們需要低溫聚合物。對(duì)于扇出技術(shù)，當(dāng)晶圓被埋入塑料框架，塑料框架必須有與硅相似的較低的熱膨脹系數(shù)(TCE)，現(xiàn)今的材料有低的固化溫度適合做塑料框架。如果你試圖將高固化溫度的聚酰亞胺PBO放到RDL上，它會(huì)使輔助晶圓彎曲而無法處理。對(duì)于這種情形，我們也需要低固化溫度的材料。這種材料是存在的，只是可靠性卻不如高固化溫度材料。”

　　可靠性是另一個(gè)需要被關(guān)注的問題。雖然它一直是一個(gè)問題，但過去人們卻最關(guān)心溫度循環(huán)。“每個(gè)人都從標(biāo)準(zhǔn)封裝技術(shù)推斷，并且將標(biāo)準(zhǔn)封裝技術(shù)的規(guī)則應(yīng)用于晶圓級(jí)封裝，但是很明顯，相對(duì)于溫度循環(huán)性能，手持設(shè)備終端用戶對(duì)跌落測(cè)試性能更感興趣，”Hunt說。“現(xiàn)在我們也看到對(duì)于有鍵盤的設(shè)備需要增加彎曲測(cè)試，按壓時(shí)它會(huì)使電路彎曲在其中產(chǎn)生應(yīng)力。彎曲測(cè)試和跌落測(cè)試是主要因素，但我們不能排除溫度循環(huán)測(cè)試，而且我們必須使這些高密度、高I/O的產(chǎn)品通過所有這些測(cè)試。”