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在芯片制造領域,先進制程的影響力和統(tǒng)治力越來越大,已經(jīng)從之前的邏輯芯片晶圓代工領域,拓展到最先進的存儲芯片制造,這在臺積電和三星身上有凸出的體現(xiàn)。當下的 3nm 制程晶圓代工,臺積電的市場統(tǒng)治力很明顯,三星處于弱勢地位。......
據(jù)《ZDNet Korea》報道,三星電子存儲部門新業(yè)務規(guī)劃團隊董事總經(jīng)理Choi Jang-seok近日表示,即將推出的內(nèi)存模塊被指定為CMM-D2.0,將符合CXL2.0協(xié)議。這些模塊將利用使用第二代20-10nm工......
美光18日宣布,該公司多重存取雙列直插式內(nèi)存模塊(MRDIMM)開始送樣,針對內(nèi)存需求高達每DIMM 插槽128GB以上的應用,其效能更勝目前的硅晶穿孔型(TSV)RDIMM。光第一代MRDIMM,與IntelR Xeo......
美光宣布旗下消費級品牌英睿達推出新款固態(tài)硬盤P310,這也是其首款M.2 2230 PCIe 4.0 SSD,將SSD帶到了最小尺寸的M.2規(guī)格上。據(jù)悉,此次發(fā)布的P310系列,精心準備了1TB與2TB兩種大容量選項,以......
美光科技股份有限公司近日宣布,已出樣多路復用雙列直插式內(nèi)存模塊(MRDIMM)。該款?MRDIMM?將賦能美光客戶應對日益繁重的工作負載,從而最大化計算基礎設施的價值。對于需要每個?DIMM?插槽內(nèi)存超過?128GB?的......
近期在智慧手機、PC、數(shù)據(jù)中心服務器上,用于暫時儲存數(shù)據(jù)的DRAM價格漲勢停歇,買家拉貨不積極,影響DRAM報價漲勢。 業(yè)者期待,SK海力士、三星及美光前三大廠HBM產(chǎn)能增開,對一般型DRAM產(chǎn)生的排擠效應,加上產(chǎn)業(yè)旺季......
在英偉達一步步站穩(wěn)萬億市值腳根的道路上,少不了兩項關(guān)鍵技術(shù)支持,其中之一是由臺積電主導的 CoWoS 先進封裝,另一個便是席卷當下的 HBM(高帶寬存儲)。英偉達 H200 是首次采用 HBM3E 存儲器規(guī)格的 AI 加......
三星今日宣布,已成功在聯(lián)發(fā)科技的下一代天璣旗艦移動平臺完成其最快的10.7千兆比特/秒(Gbps)LPDDR5X DRAM驗證。三星半導體LPDDR5X移動內(nèi)存產(chǎn)品圖此次10.7Gbps運行速度的驗證,使用三星的16GB......
在2024年慕尼黑上海電子展的璀璨舞臺上,華邦電子以其卓越的產(chǎn)品、領先的技術(shù)和廣泛的應用解決方案吸引了眾多業(yè)界目光。作為存儲芯片領域的佼佼者,華邦電子不僅展示了其在DRAM、閃存及安全閃存等方面的最新成果,還帶來了極具性......
在半導體存儲領域,參與HBM市場競爭的存儲廠商主要為SK海力士、三星和美光,三者的競爭已經(jīng)延續(xù)到HBM3e。而近日,行業(yè)標準制定組織固態(tài)技術(shù)協(xié)會JEDEC宣布HBM4即將完成的消息引發(fā)了業(yè)界關(guān)注,這似乎也預示著HBM領域......
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