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全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)在其600V耐壓Super Junction MOSFET*1 “PrestoMOS?”產(chǎn)品陣容中,又新增“R60xxRNx系列”3款新產(chǎn)品,非常適用于冰箱和換氣扇等對(duì)低......
無(wú)人機(jī)技術(shù)非常有趣,因?yàn)樗婕白钕冗M(jìn)的設(shè)計(jì)原則: 平衡飛行時(shí)間,尺寸和重量,穩(wěn)定性,系統(tǒng)復(fù)雜性,邏輯,特殊功能和關(guān)鍵安全著陸等演習(xí)。無(wú)人機(jī)制造商通常需要開發(fā)以下不同的子系統(tǒng)來(lái)生產(chǎn)可行的最終產(chǎn)品:?飛行控制器單元......
Power Integrations,近日推出LinkSwitc-TN2 系列 IC,此系列適用于非隔離離線式電源供應(yīng)器,且應(yīng)屬高度整合(內(nèi)建Mosfet與控制器),可大幅提高效能與節(jié)省空間,相較于傳統(tǒng)線性或電容式降壓器......
面對(duì)社會(huì)和監(jiān)管要求,電源效率一直是電子系統(tǒng)的優(yōu)先事項(xiàng)。特別是對(duì)于從電動(dòng)汽車 (EV) 到高壓通信和工業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施的應(yīng)用,電源轉(zhuǎn)換效率和功率密度是設(shè)計(jì)成功的關(guān)鍵。為了滿足這些要求,開關(guān)模式電源系統(tǒng)的設(shè)計(jì)者需要從使用傳統(tǒng)的硅 ......
汽車子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)師不斷努力尋找創(chuàng)新的方法來(lái)延長(zhǎng) EV 的續(xù)航里程并縮短充電時(shí)間。在實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)的過(guò)程中,他們將基于硅的技術(shù)在尺寸、重量和電源效率方面推向物理極限,因而需要轉(zhuǎn)向碳化硅(SiC)來(lái)幫助其應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)。&nbs......
采用單片機(jī)為核心的控制系統(tǒng)常常會(huì)受到各種干擾的影響,打亂正常程序的運(yùn)行,這時(shí)就需要我司產(chǎn)品登場(chǎng)了,ZL6300集成了欠壓監(jiān)測(cè)復(fù)位、手動(dòng)復(fù)位和超時(shí)復(fù)位等功能。本文將介紹ZL6300的巧妙應(yīng)用!低壓復(fù)位產(chǎn)品工作過(guò)程中,保持電......
盡管寬帶隙半導(dǎo)體已在功率開關(guān)應(yīng)用中略有小成,但在由 IGBT 占主導(dǎo)的高電壓/高功率領(lǐng)域仍未有建樹。然而,使用 SiC FET 的 “超共源共柵” 將打破現(xiàn)有局面。讓我們一起來(lái)了解超共源共柵的歷史,并探討如何將其重新用于......
Si IGBT和SiC溝槽MOSFET之間有許多電氣及物理方面的差異,Practical Aspects and Body Diode Robustness of a 1200V SiC Trench MOSFET 這篇......
在整個(gè)電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)中,電源部分是整個(gè)產(chǎn)品正常運(yùn)行發(fā)揮最佳性能的基礎(chǔ)。一個(gè)復(fù)雜的電源系統(tǒng),會(huì)經(jīng)過(guò)多種電壓之間的轉(zhuǎn)換,在我們初始設(shè)計(jì)時(shí)會(huì)比較關(guān)心輸入電壓范圍,輸出電壓值和輸出電流最大是多少,但是否只需要了解這些參數(shù)就夠了呢,......
光伏系統(tǒng)通常包括一種儲(chǔ)能方式——電池或超級(jí)電容器——在沒有陽(yáng)光或電源瞬變期間為負(fù)載提供電力。但是,在可行的情況下,無(wú)存儲(chǔ)系統(tǒng)是具有更高 MTBF 的更環(huán)保的替代方案。光伏系統(tǒng)通常包括一種儲(chǔ)能方式——電池或超級(jí)電容器——在......
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