三星(samsung) 文章 進入三星(samsung)技術(shù)社區(qū)
拆解：三星Galaxy Watch 7中的Exynos W1000處理器3nm GAA工藝
- 三星最新推出的Galaxy Watch 7，繼續(xù)重新定義可穿戴技術(shù)的極限。這款最新型號承襲了其前身產(chǎn)品的成功之處，同時在性能、健康追蹤和用戶體驗方面實現(xiàn)了重大突破。TechInsights在位于渥太華和華沙的實驗室收到了Galaxy Watch系列的最新款，目前正在對其進行拆解和詳細的技術(shù)分析。敬請期待我們對Galaxy Watch 7內(nèi)部結(jié)構(gòu)的深入分析，我們將揭示這款設(shè)備在智能手表領(lǐng)域脫穎而出的原因。? Galaxy Watch 7的核心是三星Exynos W1000處理器。這款最新的Exyn
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三星于聯(lián)發(fā)科技天璣旗艦移動平臺完成其最快LPDDR5X驗證
- 三星今日宣布，已成功在聯(lián)發(fā)科技的下一代天璣旗艦移動平臺完成其最快的10.7千兆比特/秒（Gbps）LPDDR5X DRAM驗證。三星半導(dǎo)體LPDDR5X移動內(nèi)存產(chǎn)品圖此次10.7Gbps運行速度的驗證，使用三星的16GB LPDDR5X封裝規(guī)格，基于聯(lián)發(fā)科技計劃于下半年發(fā)布的天璣9400旗艦移動平臺進行。兩家公司保持密切合作，僅用三個月就完成了驗證。"通過與聯(lián)發(fā)科技的戰(zhàn)略合作，三星已驗證了其最快的LPDDR5X DRAM，該內(nèi)存有望推動人工智能（AI）智能手機市場，"三星電子內(nèi)存產(chǎn)
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三星 Exynos 2500 芯片被曝使用硅電容
- 7 月 17 日消息，韓媒 bloter 于 7 月 15 日發(fā)布博文，爆料稱三星計劃在 Exynos 2500 芯片中使用硅電容。注：硅電容（Silicon Capacitor）通常采用 3 層結(jié)構(gòu)（金屬 / 絕緣體 / 金屬，MIM），超薄且性狀靠近半導(dǎo)體，能更好地保持穩(wěn)定電壓以應(yīng)對電流變化。硅電容具有許多優(yōu)點，讓其成為集成電路中常用的元件之一：· 首先，硅電容的制造成本較低，可以通過批量制造的方式大規(guī)模生產(chǎn)?！?其次，硅電容具有較高的可靠性和長壽命。由于其結(jié)構(gòu)簡單，易于加工和集成，硅電容的失效率較低
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三星3nm取得突破性進展！Exynos 2500樣品已達3.20GHz
- 7月14日消息，據(jù)媒體報道，三星3nm工藝的Exynos 2500芯片研發(fā)取得顯著進展。Exynos 2500的工程樣品已經(jīng)實現(xiàn)了3.20GHz的高頻運行，這一頻率不僅超越了此前的預(yù)期，而且比蘋果A15 Bionic更省電，效率表現(xiàn)更為出色。此前，有關(guān)三星3nm GAA工藝良率過低的擔(dān)憂一度影響了市場對Exynos 2500的信心，特別是在Galaxy S25系列手機的穩(wěn)定首發(fā)方面。不過三星在月初的聲明中，對外界關(guān)于3nm工藝良率不足20%的傳聞進行了否認，強調(diào)其3nm GAA工藝的良率和性能已經(jīng)穩(wěn)定，產(chǎn)
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三星宣布獲首個2nm AI芯片訂單
- 自三星電子官網(wǎng)獲悉，7月9日，三星電子宣布將向日本人工智能公司Preferred Networks提供采用2nm GAA工藝和先進2.5D封裝技術(shù)的Interposer-Cube S（I-Cube S）一站式半導(dǎo)體解決方案。據(jù)介紹，2.5D先進封裝I-Cube S技術(shù)是一種異構(gòu)集成封裝技術(shù)，通過將多個芯片集成在一個封裝中，從而提高互連速度并縮小封裝尺寸。聲明中稱，Preferred Networks的目標是借助三星領(lǐng)先的代工和先進的封裝產(chǎn)品，開發(fā)強大的AI加速器，以滿足由生成式AI驅(qū)動的日益增長的計算需求
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臺積電試產(chǎn)2nm制程工藝，三星還追的上嗎？
- 據(jù)外媒報道，臺積電的2nm制程工藝將開始在新竹科學(xué)園區(qū)的寶山晶圓廠風(fēng)險試產(chǎn)，生產(chǎn)設(shè)備已進駐廠區(qū)并安裝完畢，相較市場普遍預(yù)期的四季度提前了一個季度。芯片制程工藝的風(fēng)險試產(chǎn)是為了確保穩(wěn)定的良品率，進而實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)，風(fēng)險試產(chǎn)之后也還需要一段時間才會量產(chǎn)。在近幾個季度的財報分析師電話會議上，臺積電CEO魏哲家是多次提到在按計劃推進2nm制程工藝在2025年大規(guī)模量產(chǎn)。值得一提的是，臺積電在早在去年12月就首次向蘋果展示了其2nm芯片工藝技術(shù)，預(yù)計蘋果將包下首批的2nm全部產(chǎn)能。臺積電2nm步入GAA時代作為3n
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三星3納米良率慘爆一度0％？
- 三星一直想透過3納米技術(shù)超車臺積電，但結(jié)果始終不如預(yù)期，相較臺積電已經(jīng)取得多位大客戶的訂單，并反映在財報上，三星3納米技術(shù)甚至被爆出良率一度只有0%，即使高層堅稱「很穩(wěn)定」自家人韓媒不買賬，直言很多大廠都沒有明確要下訂單。 韓媒DealSite此前曾爆料，三星生產(chǎn)Exynos 2500處理器時，良率一度僅有0%，加上知名分析師郭明錤日前撰文表示，高通將成為三星Galaxy S25系列機型的獨家SoC供貨商，原因是三星自家的Exynos 2500芯片良率低于預(yù)期，因此無法出貨。接二連三的消息都顯示，三星3納
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三星2納米 獲日AI芯片訂單
- 三星電子9日宣布獲得日本AI新創(chuàng)公司Preferred Networks訂單，將提供GAA 2納米制程及2.5D I-Cube S封裝技術(shù)的一站式解決方案，協(xié)助Preferred Networks發(fā)展強大的AI加速器，應(yīng)付快速擴大的生成式AI運算需求。 自從三星率先將GAA晶體管技術(shù)應(yīng)用到3納米制程后，便持續(xù)強化GAA晶體管技術(shù)，成功贏得Preferred Networks的GAA 2納米制程訂單。這也是三星首度與日本業(yè)者進行大尺寸異質(zhì)整合封裝技術(shù)合作，有助日后進一步搶攻先進封裝市場。 三星2.5D先進封
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全球三大廠HBM沖擴產(chǎn) 明年倍增
- AI應(yīng)用熱！SK海力士、三星及美光等全球前三大內(nèi)存廠，積極投入高帶寬內(nèi)存（HBM）產(chǎn)能擴充計劃，市場人士估計，2025年新增投片量約27.6萬片，總產(chǎn)能拉高至54萬片，年增105％。 HBM是AI芯片占比最高的零組件，根據(jù)外媒拆解，英偉達H100近3,000美元成本，SK海力士HBM成本就占2,000美元，超過生產(chǎn)封裝。HBM經(jīng)歷多次迭代發(fā)展，進入第四代HBM3和第五代HBM3E，AI芯片相繼采用HBM3E，SK海力士在2023年基本上是壟斷HBM3市場，而2024年HBM3與HBM3E訂單都滿載。美光2
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三星發(fā)布了其首款60TB固態(tài)硬盤，能否搶占先機？
- 內(nèi)存和存儲芯片制造商三星發(fā)布了其首款容量高達60TB的企業(yè)級固態(tài)硬盤（SSD），專為滿足企業(yè)用戶的需求而設(shè)計。得益于全新主控，三星表示未來甚至可以制造120TB的固態(tài)硬盤。對比2020年發(fā)布的上一代BM1733，BM1733采用了第5代V-NAND技術(shù)的QLC閃存、堆疊層數(shù)為96層、最大容量為15.36TB，顯然BM1743的存儲密度有了大幅度提升。三星以往的固態(tài)硬盤容量上限為32TB，此次推出的BM1743固態(tài)硬盤則將容量提升至了驚人的60TB。值得注意的是，目前三星在該細分市場將面臨的競爭相對較少，因
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三星Q2營利暴增15倍 遠超外界預(yù)期
- 韓國三星電子表示，因人工智能AI需求暢旺，內(nèi)存芯片的售價因此也水漲船高，上季營業(yè)利益可望飆升約15倍，比路透社4日報導(dǎo)的預(yù)估值13倍還要多。這家全球最大內(nèi)存芯片制造商預(yù)估，集團整體第2季營利為10.4兆韓元，約75億美元，年增1,452.2%。同時，營收也大增23.3%，達74兆韓元。不過，三星這次并沒有揭露凈利數(shù)字。 4到6月這1季，是三星自2022年第3季曾創(chuàng)下營業(yè)利益高達10.8兆韓元以后，全集團營利再次沖高到10兆韓元以上。另外，三星第2季的營利，也比自己2023年一整年的6.5兆韓元要高出不少。
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性能暴增3.7倍！三星發(fā)布首款3nm芯片Exynos W1000：主頻1.6GHz
- 7月3日消息，三星今天正式發(fā)布了其首款3nm工藝芯片——Exynos W1000。這款芯片專為可穿戴設(shè)備設(shè)計，預(yù)計將應(yīng)用于即將推出的Galaxy Watch 7和Galaxy Watch Ultra智能手表。Exynos W1000芯片采用了三星最新的3nm GAA工藝，搭載了1個Cortex-A78大核心和4個Cortex-A55小核心，其中大核心的主頻達到1.6GHz，小核心主頻為1.5GHz。與前代產(chǎn)品Exynos W930相比，W1000在單核性能上實現(xiàn)了3.4倍的提升，在多核性能上更是達到了3.
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ASML或?qū)yper-NA EUV光刻機定價翻倍，讓臺積電、三星和英特爾猶豫不決
- ASML去年末向英特爾交付了業(yè)界首臺High-NA EUV光刻機，業(yè)界準備從EUV邁入High-NA EUV時代。不過ASML已經(jīng)開始對下一代Hyper-NA EUV技術(shù)進行研究，尋找合適的解決方案，計劃在2030年左右提供新一代Hyper-NA EUV光刻機。據(jù)Trendforce報道，Hyper-NA EUV光刻機的價格預(yù)計達到驚人的7.24億美元，甚至可能會更高。目前每臺EUV光刻機的價格約為1.81億美元，High-NA EUV光刻機的價格大概為3.8億美元，是EUV光刻機的兩倍多
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