根據(jù)Counterpoint Research的最新報告，2024年第一季度，全球可折疊智能手機市場同比增長49%，創(chuàng)下了六個季度以來的最高增速。出貨量前十名分別為華為、三星、榮耀、摩托羅拉，各自的市場份額分別為35%、23%、12%、11%；從出貨量的同比變化來看，華為同比增長257%，三星同比減少42%，榮耀同比增長460%，摩托羅拉同比增長1473%。華為折疊屏手機的銷量猛增257%，市場份額的增長主要得益于首次推出支持5G的折疊屏手機：例如上市即熱銷的小折疊華為Pocket 2和大折疊華為Mate
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6月4日消息，據(jù)engadget報道，隨著三星Galaxy Ring智能戒指的發(fā)布日期逐漸臨近，該公司已采取法律行動，對智能戒指制造商Oura提起訴訟。Samsung三星在訴訟中指出，Oura利用其專利組合對多個規(guī)模較小的可穿戴技術競爭對手提起訴訟，并暗示可能對三星這一行業(yè)巨頭采取相似法律行動?！癘ura的一系列行為和公開聲明顯示，他們有可能會繼續(xù)指控包括三星在內的其他進入美國智能戒指市場的公司侵犯其專利權，”訴訟文件中寫道，該訴訟最早由科技新聞網(wǎng)站The Verge報道?！癘ura對Galaxy Rin
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據(jù)外媒報道，三星計劃在今年6月召開的2024年晶圓代工論壇上，正式公布其1nm制程工藝計劃，并計劃將1nm的量產時間從原本的2027年提前到2026年。據(jù)了解，三星電子已于2022年6月在全球首次成功量產3nm晶圓代工，并計劃在2024年開始量產其第二代3nm工藝。根據(jù)三星之前的路線圖，2nm SF2 工藝將于2025年亮相，與 3nm SF3 工藝相比，同等情況下能效可提高25%，性能可提高12%，同時芯片面積減少5%。報道中稱，三星加速量產1nm工藝的信心，或許來自于“Gate-All-Around（
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Canalys最新數(shù)據(jù)顯示，2024年第一季度，全球可穿戴腕帶設備的出貨量達4120萬臺，與去年同期基本持平。廠商方面，2024年第一季度，蘋果持續(xù)兩位數(shù)的下滑，但依舊以18%的份額穩(wěn)坐第一；小米依托其腕帶類豐富的產品組合和海外的快速擴張，同比增長38%，以15%的份額位列第二；華為憑借Watch GT4在國內的強勢出貨，同比增長46%，以13%的市場份額位列第三。三星進軍入門級設備，推出新品手環(huán)Galaxy Fit3，同比實現(xiàn)4%增長，以7%的份額位列第四；Noise受印度市場整體市場表現(xiàn)不佳的影響，一
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瑞銀舉辦亞洲投資論壇，首席環(huán)球股市分析師Andrew Garthwaite看好生成式人工智能技術從2028年起，每年提升生產力至少1%，同時他也看好臺積電與三星，其中臺積電技術領先中國大陸同業(yè)5年、美國同業(yè)2年，為長期最具吸引力的投資選擇。香港經濟日報報導，瑞銀亞洲投資論壇在香港登場，會中暢談全球經濟脈動與股市發(fā)展，提到目前最熱門的人工智能議題，Andrew Garthwaite表示，生成式人工智能技術屬于輕資本，且目前已經有20%的個人計算機開放支持，擁有前所未有的覆蓋率，預估2028年開始，生成式人工
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據(jù)外媒報道，三星電子正在積極探索“鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）”作為下一代NAND閃存材料，希望這種新材料可以堆疊1000層以上的3D NAND，并實現(xiàn)pb級ssd。如果上述材料研發(fā)順利，將能夠在特定條件下表現(xiàn)出鐵電性，有望取代目前在3D NAND堆疊技術中使用的氧化物薄膜，提升芯片耐用與穩(wěn)定度。據(jù)三星電子高管預測，到2030年左右，其3D NAND的堆疊層數(shù)將超過1000層。三星高管Giwook Kim將于今年6月發(fā)表技術演講，分析鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroel
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有報導稱，三星的高頻寬存儲器（HBM）產品因過熱和功耗過大等問題，未能通過Nvidia品質測試，三星對此否認。韓媒BusinessKorea報導稱，三星表示正與多間全球合作伙伴順利開展HBM供應測試，強調將繼續(xù)合作，確保品質和可靠性。三星聲明表示，“我們正與全球各合作伙伴順利測試HBM供應，努力提高所有產品品質和可靠性，也嚴格測試HBM產品的品質和性能，以便為客戶提供最佳解決方案?！比墙陂_始量產第五代HBM產品，即8-Hi（24GB）和12-Hi（36GB）容量的HBM3E設備。外媒Tom′s Har
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當?shù)貢r間5月26日下午，國務院總理李強在首爾出席第九次中日韓領導人會議期間會見韓國三星集團會長李在镕。李強表示，三星對華合作是中韓兩國互利共贏、合作發(fā)展的一個生動縮影。隨著兩國經濟持續(xù)發(fā)展、新興產業(yè)不斷涌現(xiàn)，合作的前景將越來越廣闊。李強進一步強調，外資企業(yè)是中國發(fā)展不可或缺的重要力量，歡迎三星等韓國企業(yè)繼續(xù)擴大對華投資合作，分享更多中國新發(fā)展帶來的新機遇。在會見期間，李強提到中韓雙方在高端制造、人工智能等領域的合作。李強表示，希望兩國企業(yè)圍繞高端制造、數(shù)字經濟、人工智能、綠色發(fā)展、生物醫(yī)藥等新領域深挖合作
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IT之家 5 月 27 日消息，據(jù)新華社報道，當?shù)貢r間 5 月 26 日下午，在首爾舉行的第九次中日韓領導人會議期間，韓國三星集團會長李在镕表示將“堅持在華發(fā)展，致力于做中國人民喜愛的企業(yè)”。報道稱，李在镕介紹了三星集團在華投資合作情況，感謝中國政府為三星在華生產經營提供的大力支持，表示三星將堅持在華發(fā)展，致力于做中國人民喜愛的企業(yè)，繼續(xù)為韓中互利合作作出自己的貢獻。此前消息稱，三星正在提高中國大陸手機產量，將 JDM（共同開發(fā)設計制造）產品產量從 4400 萬臺提升至 67
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5 月 27 日消息，此前有消息稱三星電子最新的高帶寬內存（HBM）芯片尚未通過英偉達測試，有“知情人士”表示，該公司的芯片因發(fā)熱和功耗問題而受到影響。不過據(jù)韓媒Business Korea 報道，三星電子發(fā)布聲明否認了相關報道，該公司聲稱他們正在與多家全球合作伙伴“順利進行 HBM 芯片測試過程”，同時強調“他們正與其他商業(yè)伙伴持續(xù)合作，以確保產品質量和可靠性”。三星最近開始批量生產其第五代
HBM 芯片 ——24GB（8-Hi）/ 36GB（12-Hi）的 HBM3E 產品。在目前已量產的
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5 月 27 日消息，此前有消息稱三星電子最新的高帶寬內存（HBM）芯片尚未通過英偉達測試，有“知情人士”表示，該公司的芯片因發(fā)熱和功耗問題而受到影響。不過據(jù)韓媒Business Korea 報道，三星電子發(fā)布聲明否認了相關報道，該公司聲稱他們正在與多家全球合作伙伴“順利進行 HBM 芯片測試過程”，同時強調“他們正與其他商業(yè)伙伴持續(xù)合作，以確保產品質量和可靠性”。三星最近開始批量生產其第五代 HBM 芯片 ——24GB（8-Hi）/ 36GB（12-Hi）的 HBM3E 產品。在目前已量產的
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繼HBM之后，三星電子2024年的首要任務就是在代工業(yè)務方面搶下GPU大廠英偉達(NVIDIA)的訂單。尤其是，隨著晶圓代工龍頭臺積電面臨地震等風險，三星電子迫切尋求機會，為英偉達打造第二代3納米制程的供應鏈。韓國媒體報導，根據(jù)市場人士20日的透露，三星電子的晶圓代工部門已經在內部制定「Nemo」計劃，也就是要贏得英偉達3納米制程的代工訂單，成為2024年的首要任務。市場人士透露，三星電子晶圓代工部門的各單位正在全力以赴，把對英偉達的相關接單工作列為優(yōu)先。不過，現(xiàn)階段三星代工部門內并未成立專門的組織。事實
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全球半導體大廠韓國三星即將在今年上半年量產的第2代3nm制程，不過據(jù)韓媒指出，三星3nm制程目前良率僅有20%，相較于臺積電N3B制程良率接近55%，還不及臺積電良率的4成，使得三星在爭奪英偉達（NVIDIA）代工訂單受挫。外媒分析稱，三星恐怕要在先進制程上多加努力，才有可能與臺積電競爭，留住大客戶的訂單。據(jù)《芯智訊》引述韓媒的報導說，本月初EDA大廠新思科技曾宣布，三星采用最新3nm GAA制程的旗艦行動系統(tǒng)單芯片（SoC），基于新思科技的EDA工具已成功完成設計定案（tape out）。外界認為，該芯
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三星電子宣布任命Young Hyun Jun為新的設備解決方案部負責人。設備解決方案部是三星半導體業(yè)務的一部分，Jun在公司工作了24年后被選中領導這一部門。在董事會和股東批準后，Jun將正式被任命為三星的總裁兼首席執(zhí)行官。三星采用雙CEO系統(tǒng)，一位CEO負責半導體業(yè)務，另一位負責設備體驗（手機、顯示器等）。根據(jù)三星的說法，Jun的主要目標是“在不確定的全球商業(yè)環(huán)境中加強其競爭力。”Jun接替了現(xiàn)任總裁Kyehyun Kyung的職位，后者現(xiàn)在取代Jun擔任未來業(yè)務部的負責人，該部門于2023年成立，旨在
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IT之家 5 月 21 日消息，綜合韓媒 ZDNet Korea 和 The Elec 報道，三星電子執(zhí)行副總裁 Lee Siwoo 在本月舉行的 IEEE IMW 2024 研討會上表示該企業(yè)計劃在明年推出 4F2 VCT DRAM 原型。目前 3D DRAM 領域商業(yè)化研究集中在兩種結構上：一種是 4F2 VCT（IT之家注：Vertical Channel Transistor，垂直通道晶體管） DRAM；另一種是 VS-CAT（Vertical Stacke
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