三星(samsung) 文章進(jìn)入三星(samsung)技術(shù)社區(qū)

AI人才爭(zhēng)奪戰(zhàn)白熱化！三星出招應(yīng)對(duì)員工跳槽英偉達(dá)

隨著AI風(fēng)潮席卷全球，相關(guān)人才爭(zhēng)奪戰(zhàn)已經(jīng)逐漸白熱化，而身為AI霸主的英偉達(dá)更是許多工程師心中的夢(mèng)幻企業(yè)。不過據(jù)韓媒報(bào)導(dǎo)，在英偉達(dá)大力吸引韓國(guó)在內(nèi)的全球工程師之際，人才流失嚴(yán)重的三星電子也不甘示弱從英偉達(dá)挖角，連臺(tái)積電、美光與英特爾等半導(dǎo)體廠商都成為挖角對(duì)象。韓國(guó)《朝鮮日?qǐng)?bào)》以招聘平臺(tái)領(lǐng)英的數(shù)據(jù)所做的分析結(jié)果顯示，在英偉達(dá)的員工當(dāng)中，有515人（以加入領(lǐng)英為基準(zhǔn)）來自三星電子，而三星則從英偉達(dá)挖走278人。面對(duì)龐大的人才流失，三星除了從英偉達(dá)挖角，還從臺(tái)積電、英特爾與美光下手。三星電子有195名員工來自于
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三星殺進(jìn)英偉達(dá)后院？投資GPU撈過界

不當(dāng)AI芯片邊緣人？三星近日宣布重大決策，將投資圖形處理單元（GPU）領(lǐng)域，外界聯(lián)想是否與GPU巨頭英偉達(dá)正面競(jìng)爭(zhēng)。業(yè)界認(rèn)為，此投資案可望強(qiáng)化三星在GPU領(lǐng)域競(jìng)爭(zhēng)力，美媒也直言，主要在于GPU研究，改善半導(dǎo)體制造流程，而不是推出新款GPU產(chǎn)品，游戲玩家別期待了。韓媒Business Korea報(bào)導(dǎo)，三星投資GPU的細(xì)節(jié)并未對(duì)外揭露，但這次決策與以往專注于內(nèi)存、晶圓代工等服務(wù)有所不同，格外引人矚目。部分市場(chǎng)人士解讀，這項(xiàng)投資是三星的內(nèi)部策略，目的在于利用GPU來提升半導(dǎo)體制程創(chuàng)新，而不是要開發(fā)、制造GP
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4nm→2nm，三星或升級(jí)美國(guó)德州泰勒晶圓廠制程節(jié)點(diǎn)

根據(jù)韓國(guó)媒體Etnews的報(bào)導(dǎo)，晶圓代工大廠三星正在考慮將其設(shè)在美國(guó)德州泰勒市的晶圓廠制程技術(shù)，從原計(jì)劃的4納米改為2納米，以加強(qiáng)與臺(tái)積電美國(guó)廠和英特爾的競(jìng)爭(zhēng)。消息人士稱，三星電子最快將于第三季做出最終決定。報(bào)導(dǎo)指出，三星的美國(guó)德州泰勒市晶圓廠投資于2021年，2022年開始興建，計(jì)劃于2024年底開始分階段運(yùn)營(yíng)。以三星電子DS部門前負(fù)責(zé)人Lee Bong-hyun之前的說法表示，到2024年底，我們將開始從這里出貨4納米節(jié)點(diǎn)制程的產(chǎn)品。不過，相較于三星泰勒市晶圓廠，英特爾計(jì)劃2024年在亞利桑那州和俄亥
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通用 DRAM 內(nèi)存仍供大于求，消息稱三星、SK 海力士相關(guān)產(chǎn)線開工率維持 80~90%

IT之家 6 月 19 日消息，韓媒 ETNews 援引業(yè)內(nèi)人士的話稱，韓國(guó)兩大存儲(chǔ)巨頭三星電子和 SK 海力士目前的通用 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)能利用率維持在 80~90% 水平。韓媒宣稱，這一情況同主要企業(yè)已實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)正?；?NAND 閃存產(chǎn)業(yè)形成鮮明對(duì)比：除鎧俠外，三星電子和 SK 海力士也已于本季度實(shí)現(xiàn) NAND 產(chǎn)線滿負(fù)荷運(yùn)行。報(bào)道指出，目前通用 DRAM （IT之家注：即常規(guī) DDR、LPDDR）需求整體萎靡，市場(chǎng)仍呈現(xiàn)供大于求的局面，是下游傳統(tǒng)服務(wù)器、智能手機(jī)和 PC 產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇緩慢導(dǎo)致的
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有望改變 AI 半導(dǎo)體規(guī)則，消息稱三星電子年內(nèi)將推出 HBM 三維封裝技術(shù) SAINT-D

IT之家 6 月 18 日消息，據(jù)韓媒《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，三星電子將于年內(nèi)推出可將 HBM 內(nèi)存與處理器芯片 3D 集成的 SAINT-D 技術(shù)。報(bào)道同時(shí)指出，在今年發(fā)布后，三星有望于明年推出的 HBM4 內(nèi)存中正式應(yīng)用 SAINT（IT之家注：即 Samsung Advanced INterconnect Technology 的簡(jiǎn)寫）-D 技術(shù)。SAINT-D 是三星電子的一項(xiàng) 3DIC 先進(jìn)封裝技術(shù)，旨在垂直集成邏輯裸片和 DRAM 內(nèi)存裸片。報(bào)道
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三星公布新工藝節(jié)點(diǎn)，2nm工藝SF2Z將于2027年大規(guī)模生產(chǎn)

據(jù)韓媒報(bào)道，當(dāng)?shù)貢r(shí)間6月12日，三星電子在美國(guó)硅谷舉辦“三星晶圓代工論壇2024（Samsung Foundry Forum,SFF）”，并公布了其晶圓代工技術(shù)戰(zhàn)略?；顒?dòng)中，三星公布了兩個(gè)新工藝節(jié)點(diǎn)，包括SF2Z和SF4U。其中，SF2Z是2nm工藝，采用背面電源輸送網(wǎng)絡(luò)（BSPDN）技術(shù)，通過將電源軌置于晶圓背面，以消除與電源線和信號(hào)線有關(guān)的互聯(lián)瓶頸，計(jì)劃在2027年大規(guī)模生產(chǎn)。與第一代2nm技術(shù)相比，SF2Z不僅提高了PPA，還顯著降低了電壓降（IR drop），從而提高了高性能計(jì)算（HPC）的性能。
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三星Galaxy Watch FE進(jìn)軍入門智能手表市場(chǎng)

三星樂觀看待智慧手表市場(chǎng)成長(zhǎng)趨勢(shì)，今日宣布推出全新Galaxy Watch FE，集結(jié)耐用的藍(lán)寶石玻璃設(shè)計(jì)及亮眼外型、完善的運(yùn)動(dòng)追蹤與全方位健康監(jiān)測(cè)功能，以親民價(jià)格即享眾多優(yōu)異體驗(yàn)。Galaxy Watch FE（藍(lán)牙版）共推出「曜石黑」、「玫瑰金」、「星夜銀」三款顏色，建議售價(jià)NT$5,990，自6月下旬起于全臺(tái)各大通路正式上市，消費(fèi)者凡于7月16日前在全通路購(gòu)買三星不限型號(hào)手機(jī)或平板，即可現(xiàn)折NT$1,000加購(gòu)Galaxy Watch FE，五千有找輕松入手，開啟嶄新智慧生態(tài)圈體驗(yàn)。三星電子行動(dòng)通訊
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降低對(duì)臺(tái)積電的依賴！高通考慮臺(tái)積電三星雙代工模式

6月14日消息，高通公司首席執(zhí)行官Cristiano Amon近日在接受采訪時(shí)表示，公司正在認(rèn)真評(píng)估臺(tái)積電、三星雙源生產(chǎn)戰(zhàn)略。據(jù)悉，高通驍龍8 Gen4將在今年10月登場(chǎng)，這顆芯片完全交由臺(tái)積電代工，采用臺(tái)積電N3E節(jié)點(diǎn)，這是臺(tái)積電第二代3nm制程。因蘋果、聯(lián)發(fā)科等科技巨頭都采用臺(tái)積電3nm工藝，出于對(duì)臺(tái)積電產(chǎn)能有限的考慮，高通有意考慮雙代工廠策略。此前有消息稱驍龍8 Gen4原本計(jì)劃采用雙代工模式，但是三星3nm產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃趨于保守，加上良品率并不穩(wěn)定，最終高通選擇延后執(zhí)行該計(jì)劃。不過高通并未放棄雙代工
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拜登政府恐對(duì)中國(guó)大陸封鎖最強(qiáng)GAA技術(shù)

美中貿(mào)易戰(zhàn)沖突未歇，傳出美國(guó)將再次出手打擊大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，針對(duì)最新的環(huán)繞閘極場(chǎng)效晶體管（GAA）技術(shù)祭出限制措施，限制其獲取人工智能（AI）芯片技術(shù)的能力，換言之，美國(guó)將防堵大陸取得先進(jìn)芯片，擴(kuò)大受管制的范圍。美國(guó)財(cái)經(jīng)媒體引述知情人士消息報(bào)導(dǎo)，拜登政府考慮新一波的半導(dǎo)體限制措施，以避免大陸能夠提升技術(shù)，進(jìn)而增強(qiáng)軍事能力，有可能限制大陸取得GAA技術(shù)，但確切狀況仍得等官方進(jìn)一步說明，且不清楚官員何時(shí)會(huì)宣布新措施。若此事成真，大陸發(fā)展先進(jìn)半導(dǎo)體將大受打擊。目前三星從3納米開始使用GAA技術(shù)，臺(tái)積電則從2納米
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三星公布芯片制造技術(shù)路線圖，增強(qiáng)AI芯片代工競(jìng)爭(zhēng)力

據(jù)彭博社報(bào)道，當(dāng)?shù)貢r(shí)間6月13日，三星電子在其年度代工論壇上公布了芯片制造技術(shù)路線圖，以增強(qiáng)其在AI人工智能芯片代工市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力。三星預(yù)測(cè)，到2028年，其人工智能相關(guān)客戶名單將擴(kuò)大五倍，收入將增長(zhǎng)九倍。報(bào)道指出，三星電子公布了對(duì)未來人工智能相關(guān)芯片的一系列布局。在其公布的技術(shù)路線圖中，一項(xiàng)重要的創(chuàng)新是采用了背面供電網(wǎng)絡(luò)技術(shù)。據(jù)三星介紹，該技術(shù)與傳統(tǒng)的第一代2納米工藝相比，在功率、性能和面積上均有所提升，同時(shí)還能顯著降低電壓降。三星還強(qiáng)調(diào)了其在邏輯、內(nèi)存和先進(jìn)封裝方面的綜合能力。三星認(rèn)為，這將有助于公司贏
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三星電子重申 SF1.4 工藝有望于 2027 年量產(chǎn)，計(jì)劃進(jìn)軍共封裝光學(xué)領(lǐng)域

IT之家 6 月 13 日消息，三星電子在當(dāng)?shù)貢r(shí)間 6 月 12 日舉行的三星代工論壇 2024 北美場(chǎng)上重申，其 SF1.4 工藝有望于 2027 年量產(chǎn)，回?fù)袅舜饲暗拿襟w傳聞。三星表示其 1.4nm 級(jí)工藝準(zhǔn)備工作進(jìn)展順利，預(yù)計(jì)可于 2027 年在性能和良率兩方面達(dá)到量產(chǎn)里程碑。此外，三星電子正在通過材料和結(jié)構(gòu)方面的創(chuàng)新，積極研究后 1.4nm 時(shí)代的先進(jìn)邏輯制程技術(shù)，實(shí)現(xiàn)三星不斷超越摩爾定律的承諾。三星電子同步確認(rèn)，其仍計(jì)劃在 2024 下半年量產(chǎn)第二代 3nm 工藝 SF3。而在更傳統(tǒng)的
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三星電子宣布其首個(gè)背面供電工藝節(jié)點(diǎn) SF2Z 將于 2027 年量產(chǎn)

IT之家 6 月 13 日消息，三星電子在北京時(shí)間今日凌晨舉行的三星代工論壇 2024 北美場(chǎng)上宣布，其首個(gè)采用 BSPDN（背面供電網(wǎng)絡(luò)）的制程節(jié)點(diǎn) SF2Z 將于 2027 年量產(chǎn)推出。BSPDN 技術(shù)將芯片的供電網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)移至晶圓背面，與信號(hào)電路分離。此舉可簡(jiǎn)化供電路徑，大幅降低供電電路對(duì)互聯(lián)信號(hào)電路的干擾。三大先進(jìn)制程代工廠目前均將背面供電視為工藝下一步演進(jìn)的關(guān)鍵技術(shù)：英特爾將于今年率先在其 Intel 20A 制程開始應(yīng)用其背面供電解決方案 PowerVia；臺(tái)積電則稱搭載其 Super
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英偉達(dá)黃仁勛反駁三星HBM3e有問題

近日，英偉達(dá)(NVIDIA)執(zhí)行長(zhǎng)黃仁勛在2024年中國(guó)臺(tái)北國(guó)際電腦展上對(duì)三星HBM因過熱問題而未能通過測(cè)試的報(bào)道進(jìn)行了反駁。他表示，英偉達(dá)正在努力測(cè)試三星和美光生產(chǎn)的HBM芯片，但目前尚未通過測(cè)試，因?yàn)檫€有更多的工程工作要做。其中特別針對(duì)三星HBM產(chǎn)品的質(zhì)量問題，黃仁勛表示，認(rèn)證三星HBM需要更多工作和充足耐心，而并非部分媒體所報(bào)道的因芯片過熱問題未通過質(zhì)量測(cè)試。他重申，英偉達(dá)與三星的合作進(jìn)展順利。此前，三星也堅(jiān)決否認(rèn)有關(guān)其高帶寬存儲(chǔ)（HBM）產(chǎn)品未能達(dá)到英偉達(dá)質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的報(bào)道。三星電子在一份聲明中表示，
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2024年折疊手機(jī)品牌市占率預(yù)估：三星50.4%，華為30.8%

2024年折疊手機(jī)出貨量約1,780萬部，占智能手機(jī)市場(chǎng)僅約1.5%，由于高維修率、高售價(jià)的問題待解決，預(yù)計(jì)至2028年占比才有機(jī)會(huì)達(dá)到4.8%。三星（Samsung）初入市場(chǎng)作為折疊手機(jī)的先驅(qū)之姿，在2022年占據(jù)了超過八成市場(chǎng)份額，從2023到2024年間，開始面臨隨著多家智慧型手機(jī)品牌廠加入競(jìng)爭(zhēng)，市場(chǎng)份額從六成降到了五成保衛(wèi)戰(zhàn)。今年折疊手機(jī)的重要角色華為（Huawei），在2023年推出4G吸睛小折Pocket S，市場(chǎng)銷量成績(jī)優(yōu)異，推動(dòng)了華為2023年其折疊手機(jī)市占率首次突破雙位數(shù)，達(dá)12%。20
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新型存儲(chǔ)技術(shù)迎制程突破

近日，三星電子對(duì)外表示，8nm版本的eMRAM開發(fā)已基本完成，正按計(jì)劃逐步推進(jìn)制程升級(jí)。資料顯示，eMRAM是一種基于磁性原理的、非易失性的新型存儲(chǔ)技術(shù)，屬于面向嵌入式領(lǐng)域的MRAM（磁阻存儲(chǔ)器）。與傳統(tǒng)DRAM相比，eMRAM具備更快存取速度與更高耐用性，不需要像DRAM一樣刷新數(shù)據(jù)，同時(shí)寫入速度是NAND的1000倍數(shù)?；谏鲜鎏匦裕瑯I(yè)界看好eMRAM未來前景，尤其是在對(duì)性能、能效以及耐用性較高的場(chǎng)景中，eMRAM被寄予厚望。三星電子是eMRAM主要生產(chǎn)商之一，致力于推動(dòng)eMRAM在汽車領(lǐng)域的應(yīng)用。三
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