三星(samsung) 文章進(jìn)入三星(samsung)技術(shù)社區(qū)

什么是GDDR7內(nèi)存——有關(guān)即將推出的圖形VRAM技術(shù)

什么是 GDDR7 內(nèi)存？它是用于 GPU 的下一代圖形內(nèi)存，例如即將推出的 Nvidia Blackwell RTX 50 系列。它將在未來(lái)幾年內(nèi)用于各種產(chǎn)品，為現(xiàn)有的 GDDR6 和 GDDR6X 解決方案提供代際升級(jí)，從而提高游戲和其他類型的工作負(fù)載的性能。但這個(gè)名字下面還有很多事情要做。自從第二代GDDR內(nèi)存（用于“圖形雙倍數(shù)據(jù)速率”）推出以來(lái)，這種模式就非常清晰。GDDR（前身為 DDR SGRAM）早在 1998 年就問(wèn)世了，每隔幾年就會(huì)有新的迭代到來(lái)，擁有更高的速度和帶寬。當(dāng)前一代
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臺(tái)積電完勝三星！死忠客戶Google轉(zhuǎn)單

三星3納米制程良率不佳，外傳低于20%，導(dǎo)致原有客戶出走，最新傳出Google Pixel 10搭載的Tensor G5芯片，將改為臺(tái)積電代工生產(chǎn)。綜合外媒報(bào)導(dǎo)，Google Pixel 10系列手機(jī)的Tensor G5處理器（SoC），目前已進(jìn)入 Tape-ou（流片）階段。 Google首款完全自研手機(jī)處理器Tensor G5，前四代Tensor芯片都是三星Exynos修改，由三星代工生產(chǎn)，如今已從過(guò)往三星獨(dú)家代工轉(zhuǎn)向臺(tái)積電。報(bào)導(dǎo)稱，Tensor G5采用Google自研架構(gòu)、臺(tái)積電3納米制程，芯片
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三星為智能手機(jī)攝像頭推出三款多功能圖像傳感器

6月27日，三星發(fā)布了三款專為智能手機(jī)主攝像頭和副攝像頭設(shè)計(jì)的新型移動(dòng)圖像傳感器：ISOCELL HP9、ISOCELL GNJ和ISOCELL JN5。<三星半導(dǎo)體發(fā)布的ISOCELL HP9圖像傳感器，ISOCELL GNJ圖像傳感器，ISOCELL JN5圖像傳感器>隨著用戶對(duì)智能手機(jī)攝像頭質(zhì)量和性能的期望不斷提高，從各個(gè)角度拍出出色照片的需求也空前高漲。為此，三星半導(dǎo)體推出其最新的移動(dòng)圖像傳感器產(chǎn)品矩陣，讓消費(fèi)者從各個(gè)角度拍照，都能拍攝出滿意的圖像效果，為移動(dòng)手機(jī)攝影打開(kāi)了新天地。&q
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三星 Q3內(nèi)存喊漲15～20％

據(jù)韓媒報(bào)導(dǎo)，隨著AI應(yīng)用熱度不減，三星電子日前告知戴爾、慧與（HPE）等主要客戶，將在第三季提高服務(wù)器用的DRAM和企業(yè)級(jí)NAND閃存的價(jià)格15～20％。臺(tái)系內(nèi)存模塊大廠聞?dòng)嵎治觯谴伺e主要趁著第三季電子產(chǎn)業(yè)旺季來(lái)臨前率先喊漲，以期拉抬目前略顯疲軟的現(xiàn)貨價(jià)行情，但合約價(jià)實(shí)際成交價(jià)格，仍需視市場(chǎng)供需而定。以位產(chǎn)出市占率來(lái)看，2023年三星于全球DRAM及NAND Flash比重，分別是46.8％及32.4％，皆居全球之冠。根據(jù)外電報(bào)導(dǎo)指出，三星電子第二季已將供應(yīng)給企業(yè)的NAND閃存價(jià)格，調(diào)
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3nm 晶圓量產(chǎn)缺陷導(dǎo)致 1 萬(wàn)億韓元損失？三星回應(yīng)：毫無(wú)根據(jù)

IT之家 6 月 27 日消息，三星昨日（6 月 26 日）發(fā)布聲明，否認(rèn)“三星代工業(yè)務(wù) 3nm 晶圓缺陷”的報(bào)道，認(rèn)為這則傳聞“毫無(wú)根據(jù)”。此前有消息稱三星代工廠在量產(chǎn)第二代 3nm 工藝過(guò)程中發(fā)現(xiàn)缺陷，導(dǎo)致 2500 個(gè)批次（lots）被報(bào)廢，按照 12 英寸晶圓計(jì)算，相當(dāng)于每月 65000 片晶圓，損失超過(guò) 1 萬(wàn)億韓元（IT之家備注：當(dāng)前約 52.34 億元人民幣）。三星駁斥了這一傳言，稱其“毫無(wú)根據(jù)”，仍在評(píng)估受影響生產(chǎn)線的產(chǎn)品現(xiàn)狀。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，報(bào)道中的數(shù)字可能被夸大了，并指出三星的
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羅德與施瓦茨和三星攜手為FiRa聯(lián)盟定義的安全測(cè)距測(cè)試用例的采用鋪平道路

羅德與施瓦茨和三星合作，共同驗(yàn)證了超寬帶（UWB）物理層的安全測(cè)距測(cè)試案例，并評(píng)估基于FiRa規(guī)范的設(shè)備安全接收器特性。在FiRa 2.0技術(shù)規(guī)范中，規(guī)定了新的測(cè)試用例，旨在防止對(duì)基于UWB技術(shù)的安全測(cè)距應(yīng)用進(jìn)行物理層攻擊。這些測(cè)試用例使用羅德與施瓦茨的R&S CMP200無(wú)線電通信測(cè)試儀，在三星最新的UWB芯片組上進(jìn)行了驗(yàn)證。通過(guò)FiRa?聯(lián)盟驗(yàn)證流程后，羅德與施瓦茨的CMP200無(wú)線電通信測(cè)試儀已成為FiRa 2.0 PHY測(cè)試的認(rèn)證工具。成功驗(yàn)證物理層安全測(cè)試用例后，羅德與施瓦茨和三星共同努
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三星旗下Semes成功開(kāi)發(fā)出一種ArF-i光刻涂膠/顯影設(shè)備

6月24日，三星電子旗下的韓國(guó)半導(dǎo)體和顯示器制造設(shè)備公司表示，第一臺(tái)名為“Omega Prime”的設(shè)備已于去年供貨，Semes正在制造第二臺(tái)設(shè)備。Semes表示，在Omega Prime設(shè)備上應(yīng)用了噴嘴、烘烤溫度和機(jī)器人位置自動(dòng)調(diào)整系統(tǒng)，以消除涂布層的偏差。目前，Semes已制造出KrF光刻涂膠/顯影設(shè)備，并在此基礎(chǔ)上開(kāi)發(fā)了ArF版本，以支持波長(zhǎng)更短的新型光刻機(jī)。
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美國(guó)對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體制裁下：韓國(guó)最杯具半導(dǎo)體設(shè)備賣不出庫(kù)存積壓嚴(yán)重

6月25日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道稱，自從美國(guó)對(duì)中國(guó)實(shí)施半導(dǎo)體領(lǐng)域制裁以來(lái)，韓國(guó)最難受，因?yàn)槠浒雽?dǎo)體舊設(shè)備庫(kù)存積壓嚴(yán)重。韓國(guó)半導(dǎo)體舊設(shè)備庫(kù)存積壓嚴(yán)重，倉(cāng)儲(chǔ)成本讓三星電子、SK海力士非常難受，所以可能會(huì)進(jìn)行一次全面清理，售賣來(lái)自美國(guó)和歐洲的舊設(shè)備，以換取數(shù)億美元現(xiàn)金。自2022年10月起美國(guó)開(kāi)始限制對(duì)華半導(dǎo)體設(shè)備出口（包括二手設(shè)備）以來(lái)，韓國(guó)半導(dǎo)體制造商已將大部分舊設(shè)備放在倉(cāng)庫(kù)中。在美國(guó)的壓力下，三星僅向中國(guó)出售較舊的、更容易制造的后段工藝設(shè)備，但不出售前段工藝設(shè)備；SK海力士同樣不出售來(lái)自美國(guó)、歐洲的舊的前段
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可用面積達(dá)12吋晶圓3.7倍，臺(tái)積電發(fā)力面板級(jí)先進(jìn)封裝技術(shù)

6月21日消息，據(jù)日媒報(bào)道，在CoWoS訂單滿載、積極擴(kuò)產(chǎn)之際，臺(tái)積電也準(zhǔn)備要切入產(chǎn)出量比現(xiàn)有先進(jìn)封裝技術(shù)高數(shù)倍的面板級(jí)扇出型封裝技術(shù)。而在此之前，英特爾、三星等都已經(jīng)在積極的布局面板級(jí)封裝技術(shù)以及玻璃基板技術(shù)。報(bào)道稱，為應(yīng)對(duì)未來(lái)AI需求趨勢(shì)，臺(tái)積電正與設(shè)備和原料供應(yīng)商合作，準(zhǔn)備研發(fā)新的先進(jìn)封裝技術(shù)，計(jì)劃是利用類似矩形面板的基板進(jìn)行封裝，取代目前所采用的傳統(tǒng)圓形晶圓，從而能以在單片基板上放置更多芯片組。資料顯示，扇出面板級(jí)封裝（FOPLP）是基于重新布線層（RDL）工藝，將芯片重新分布在大面板上進(jìn)行互連的
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曝三星3nm良率僅20%！但仍不放棄Exynos 2500

6月23日消息，據(jù)媒體報(bào)道，Exynos 2500的良品率目前僅為20%，遠(yuǎn)低于量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)，但三星仍在積極尋求解決方案，以期在今年10月前將良品率提升至60%。Exynos 2500是三星首款采用SF3工藝的智能手機(jī)SoC，該工藝相較于前代4nm FinFET工藝，在能效和密度上預(yù)計(jì)有20%至30%的提升。然而，低良品率的問(wèn)題可能導(dǎo)致三星在Galaxy S25系列上不得不全面采用高通平臺(tái)，這將增加成本并可能影響產(chǎn)品定價(jià)。三星對(duì)Exynos 2500寄予厚望，該芯片在性能測(cè)試中顯示出超越高通第三代驍龍8的潛力
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消息稱三星 Exynos 2500 芯片良率目前不足 20%，能否用于 Galaxy S25 手機(jī)尚不明朗

IT之家 6 月 21 日消息，韓媒 ZDNet Korea 今日?qǐng)?bào)道稱，三星電子的 Exynos 2500 芯片目前良率仍略低于 20%，未來(lái)能否用于 Galaxy S25 系列手機(jī)尚不明朗。韓媒報(bào)道指出，三星電子一般要到芯片良率超過(guò) 60% 后才會(huì)開(kāi)始量產(chǎn)手機(jī) SoC，目前的良率水平離這條標(biāo)準(zhǔn)線還有不小距離。三星電子為 Exynos 2500 芯片量產(chǎn)定下的最晚時(shí)間是今年年底，因此在 9~10 月前三星 LSI 部門還有一段時(shí)間提升下代旗艦自研手機(jī) SoC 的良率。如果到時(shí)良率仍然不足，那三
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英偉達(dá)、臺(tái)積、三星互搶半導(dǎo)體挖角戰(zhàn)

眼看人工智能（AI）市場(chǎng)需求快速擴(kuò)大，全球半導(dǎo)體業(yè)爭(zhēng)奪人才的競(jìng)爭(zhēng)日益白熱化。韓媒披露，根據(jù)LinkedIn截至6月18日的數(shù)據(jù)，AI芯片龍頭英偉達(dá)有515名員工是從三星電子挖角，而三星也還以顏色，不但從英偉達(dá)挖來(lái)278人，還從臺(tái)積電挖走195人。但目前挾著AI芯片霸主光環(huán)的英偉達(dá)，還是最大贏家。韓國(guó)朝鮮日?qǐng)?bào)20日根據(jù)專業(yè)社交網(wǎng)站領(lǐng)英（LinkedIn）截至今年6月18日為止資料統(tǒng)計(jì)，英偉達(dá)近日新進(jìn)員工有89人是從臺(tái)積電跳槽，反觀臺(tái)積電僅12名新進(jìn)人員是從英偉達(dá)跳槽。英偉達(dá)也有515名新進(jìn)員工是從三星電子
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三星新旗艦手機(jī)將棄自家芯片

三星下一代旗艦手機(jī)Galaxy S25系列，可能完全采用高通處理器，原因是三星自家Exynos 2500處理其3納米制程良率低于預(yù)期，導(dǎo)致無(wú)法出貨，而臺(tái)積電為高通Snapdragon 8 Gen 4處理器獨(dú)家代工廠，可望跟著受惠。若上述消息成真，對(duì)韓國(guó)最大企業(yè)三星是一大打擊，也凸顯其晶圓代工技術(shù)看不到臺(tái)積電車尾燈。天風(fēng)證券分析師郭明錤日前在社群平臺(tái)X發(fā)文表示，高通可能成為Galaxy S25系列唯一的處理器供貨商，關(guān)鍵在于三星的Exynos 2500處理器其3納米晶圓代工良率低于預(yù)期，可能導(dǎo)致無(wú)法出貨。而
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臺(tái)積電漲價(jià)卻滿手訂單韓媒低頭認(rèn)三星2大敗筆

臺(tái)積電3納米產(chǎn)能供不應(yīng)求，預(yù)期訂單滿至2026年，日前傳出臺(tái)積電3納米代工價(jià)調(diào)整上看5％以上，先進(jìn)封裝明年年度報(bào)價(jià)也約有10％～20％的漲幅。韓媒撰文指出，臺(tái)積電漲價(jià)三星并未獲得轉(zhuǎn)單好處，主因大客戶優(yōu)先考慮的并非價(jià)格，而是高良率與先進(jìn)制程的可靠生產(chǎn)力。韓媒BusinessKorea以「臺(tái)積電漲價(jià)仍留住客戶的原因是什么？」為題撰文指出，輝達(dá)執(zhí)行長(zhǎng)黃仁勛6月初在臺(tái)北國(guó)際計(jì)算機(jī)展期間，曾表示支持臺(tái)積電提高代工價(jià)格，并表示蘋果、高通等也將會(huì)接受臺(tái)積電漲價(jià)。由于臺(tái)積電3納米供應(yīng)嚴(yán)重短缺，產(chǎn)生繼續(xù)漲價(jià)的空間，報(bào)導(dǎo)續(xù)
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NAND市場(chǎng)，激戰(zhàn)打響

隨著人工智能（AI）相關(guān)半導(dǎo)體對(duì)高帶寬存儲(chǔ)（HBM）需求的推動(dòng)，NAND 閃存市場(chǎng)也感受到了這一趨勢(shì)的影響。目前，NAND 閃存市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)正在加劇，存儲(chǔ)巨頭三星和 SK 海力士正加緊努力，以提升 NAND 產(chǎn)品的性能和容量。兩大巨頭輪番出手三星投產(chǎn)第九代 V-NAND 閃存今年 4 月，三星宣布其第九代 V-NAND 1Tb TLC 產(chǎn)品開(kāi)始量產(chǎn)，這將有助于鞏固其在 NAND 閃存市場(chǎng)的卓越地位。那么 V-NAND 閃存是什么呢？眾所周知，平面 NAND 閃存不僅有 SLC、MLC 和 TLC 類型之分，
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