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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 臺(tái)積電

          蘋果規(guī)劃于M5芯片導(dǎo)入臺(tái)積電SoIC先進(jìn)封裝制程

          • 《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》15日訊,臺(tái)積電2nm制程傳出將在本周試產(chǎn),蘋果將拿下2025年首波產(chǎn)能外,下世代3D先進(jìn)封裝平臺(tái)SoIC(系統(tǒng)整合芯片)也規(guī)劃于M5芯片導(dǎo)入并展開量產(chǎn),2026年預(yù)計(jì)SoIC產(chǎn)能將出現(xiàn)數(shù)倍以上成長。 (臺(tái)灣工商時(shí)報(bào))
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          2納米真的要來了!臺(tái)積電試產(chǎn)時(shí)間曝光

          • 原先市場預(yù)期,全球晶圓代工龍頭臺(tái)積電要等到今年第4季才會(huì)試產(chǎn)2納米芯片,但最新市場消息傳出,臺(tái)積電預(yù)計(jì)提前自下周起試產(chǎn),而科技巨頭蘋果將是首批用戶。 臺(tái)積電推動(dòng)先進(jìn)制程腳步再傳佳音。科技新聞網(wǎng)站W(wǎng)ccftech引述市場消息報(bào)導(dǎo),臺(tái)積電在新竹寶山新建的晶圓廠,相關(guān)測試、生產(chǎn)設(shè)備與零組件已自第2季初入廠裝機(jī),進(jìn)展順利。臺(tái)積電預(yù)計(jì)自下周起試產(chǎn)2納米芯片。臺(tái)積電2納米的表現(xiàn)受到外界高度關(guān)注。5月曾傳出蘋果營運(yùn)長威廉斯(Jeff Williams)低調(diào)訪臺(tái),拜訪時(shí)任臺(tái)積電總裁魏哲家,就是為了確保臺(tái)積電首批2納米產(chǎn)能
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          臺(tái)積電明年漲價(jià)5% 大客戶已經(jīng)接收

          • 今年以來,臺(tái)積電股價(jià)已經(jīng)大漲8成,光是近一個(gè)月就狂飆逾2成,優(yōu)異的獲利數(shù)字是最大底氣,如今又有消息傳出,臺(tái)積電打算在2025年全面調(diào)漲晶圓代工價(jià)格,平均上漲5%,比起先前傳聞的2%還要高,且連一向難處理的蘋果也同意漲價(jià)。 美媒Tom's Hardware報(bào)導(dǎo),投資者Eric Jhonsa引述摩根士丹利的報(bào)告,由于消費(fèi)性電子和高效能運(yùn)算領(lǐng)域?qū)ο冗M(jìn)半導(dǎo)體有相當(dāng)高的需求,臺(tái)積電向客戶釋出先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)能短缺的暗示,確??蛻裟軌蛘J(rèn)同臺(tái)積電的價(jià)值,有利產(chǎn)能分配。此外,供應(yīng)鏈消息指出,臺(tái)積電與高效能運(yùn)算、AI客
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          更多新型先進(jìn)封裝技術(shù)正在崛起!

          • 3.3D先進(jìn)封裝、玻璃基板、小芯片Chiplet、3D堆疊SoIC...新一代先進(jìn)封裝技術(shù)奔涌而來,三星電子、英特爾、臺(tái)積電、日月光等企業(yè)加碼投資擴(kuò)產(chǎn),誰將站在下一代先進(jìn)封裝發(fā)展浪頭引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展?三星電子正開發(fā)“3.3D先進(jìn)封裝技術(shù)”,目標(biāo)2026年第二季度量產(chǎn)近日,據(jù)韓媒報(bào)道,三星電子正在開發(fā)面向AI半導(dǎo)體芯片的新型3.3D先進(jìn)封裝技術(shù),并計(jì)劃于2026年二季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。據(jù)悉,這項(xiàng)封裝技術(shù)整合了三星電子多項(xiàng)先進(jìn)異構(gòu)集成技術(shù)。圖片來源:三星在概念圖中,GPU(AI計(jì)算芯片)與LCC緩存通過垂直堆疊的方式形
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          萬億美元市值臺(tái)積電 比英偉達(dá)統(tǒng)治力還強(qiáng)

          • 美國當(dāng)?shù)貢r(shí)間7月8日,晶圓代工大廠臺(tái)積電美股股價(jià)盤中一度上漲超過4%,市值首次突破1萬億美元,創(chuàng)下歷史新高。截至當(dāng)日收盤,臺(tái)積電上漲1.43%,總市值來到9678.77億美元。今年以來,臺(tái)積電美股股價(jià)累計(jì)已上漲80.75%。業(yè)界認(rèn)為,AI應(yīng)用需求快速增長,臺(tái)積電先進(jìn)制程芯片市場需求強(qiáng)勁,以上因素推動(dòng)臺(tái)積電股價(jià)與市值實(shí)現(xiàn)成長。今年6月全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢調(diào)查顯示,臺(tái)積電在AI應(yīng)用、PC新平臺(tái)等HPC應(yīng)用及智能手機(jī)高端新品推動(dòng)下,5/4nm及3nm呈滿載,今年下半年產(chǎn)能利用率有望突破1
          • 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電  先進(jìn)封裝  AI計(jì)算  

          臺(tái)積電通過2納米測試 為iPhone 17 A19芯片生產(chǎn)做好準(zhǔn)備

          • 蘋果公司的芯片合作伙伴即將開始試生產(chǎn)采用 2 納米制造工藝的芯片,為iPhone17 制造 A19 芯片。自 2022 年以來,臺(tái)積電一直計(jì)劃到 2025 年量產(chǎn)采用 2 納米工藝的芯片。按照這一計(jì)劃,iPhone 17 Pro 內(nèi)的A19 芯片將成為首款采用該工藝的產(chǎn)品。蘋果公司因其極其復(fù)雜的供應(yīng)鏈而聞名遐邇的漫長生產(chǎn)計(jì)劃,意味著生產(chǎn)元件的公司需要盡早努力,使其工藝與蘋果公司保持一致。在周二的一份報(bào)告中,臺(tái)積電似乎正在這樣做。據(jù)《自由時(shí)報(bào)》通過ET News 報(bào)道,臺(tái)積電將于下周開始在其寶山工廠
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          曝臺(tái)積電3nm瘋狂漲價(jià):6nm/7nm制程卻降價(jià)了

          • 7月8日消息,業(yè)內(nèi)人士手機(jī)晶片達(dá)人爆料,臺(tái)積電6nm、7nm產(chǎn)能利用率只有60%,明年1月1日起臺(tái)積電會(huì)降價(jià)10%。與之相反的是,因3nm、5nm先進(jìn)制程工藝產(chǎn)能供不應(yīng)求,臺(tái)積電明年將漲價(jià)5%-10%。業(yè)內(nèi)人士表示,臺(tái)積電3nm漲價(jià)底氣在于,蘋果、高通、英偉達(dá)與AMD等四大廠包攬臺(tái)積電3nm家族產(chǎn)能,甚至出現(xiàn)了排隊(duì)潮,一路排到2026年。受此影響,采用臺(tái)積電3nm制程的高通驍龍8 Gen4價(jià)格將會(huì)上漲,消息稱驍龍8 Gen4的最終價(jià)格將超過200美元,也就是說單一顆芯片的價(jià)格在1500元左右,相關(guān)終端價(jià)格
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          歐盟委員會(huì)競爭專員:英偉達(dá) AI 芯片供應(yīng)存在“巨大瓶頸”

          • 7 月 6 日消息,據(jù)彭博社當(dāng)?shù)貢r(shí)間周五晚間報(bào)道,歐盟委員會(huì)競爭事務(wù)專員瑪格麗特?維斯塔格發(fā)出警告:英偉達(dá)的 AI 芯片供應(yīng)存在“巨大瓶頸(huge bottleneck)”,監(jiān)管機(jī)構(gòu)仍在考慮是否或如何采取行動(dòng)?!拔覀円呀?jīng)向他們提出了一些問題,但還處于非常初步的階段,”她在訪問新加坡期間告訴彭博社,目前這還“不足以”成為監(jiān)管行動(dòng)的依據(jù)。自從成為 AI 支出熱潮的最大受益者以來,英偉達(dá)一直受到監(jiān)管機(jī)構(gòu)的關(guān)注。因?yàn)槟軌蛱幚黹_發(fā) AI 模型所需的海量信息,英偉達(dá)的 GPU 備受數(shù)據(jù)中心運(yùn)營商青睞。報(bào)道指出,這些
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          聯(lián)發(fā)科、高通手機(jī)旗艦芯片Q4齊發(fā) 臺(tái)積電3nm再添大單

          • 《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》8日訊,聯(lián)發(fā)科、高通新一波5G手機(jī)旗艦芯片將于第四季推出,兩大廠新芯片都以臺(tái)積電3nm制程生產(chǎn),近期進(jìn)入投片階段。臺(tái)積電再添大單,據(jù)了解,其3nm家族制程產(chǎn)能客戶排隊(duì)潮已一路排到2026年。在臺(tái)積電3nm制程加持之下,天璣9400的各面向性能應(yīng)當(dāng)會(huì)再提升,成為聯(lián)發(fā)科搶占市場的利器。高通雖尚未公布新一代旗艦芯片驍龍8 Gen 4亮相時(shí)間與細(xì)節(jié),外界認(rèn)為,該款芯片也是以臺(tái)積電3nm制程生產(chǎn),并于第四季推出。價(jià)格可能比當(dāng)下的驍龍8 Gen 3高25%~30%,每顆報(bào)價(jià)來到220美元~240
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          中國臺(tái)灣AI芯片封裝領(lǐng)先全世界

          • 全球AI芯片封裝市場由臺(tái)積電、日月光獨(dú)占,中國臺(tái)灣這兩大巨頭連手?jǐn)U大與韓廠差距,日月光是半導(dǎo)體封測領(lǐng)頭羊,市占率達(dá)27.6%,而截至2023年,韓廠封裝產(chǎn)業(yè)市占率僅6%。專家表示,韓國封裝產(chǎn)業(yè)長期專注在內(nèi)存芯片,在AI半導(dǎo)體領(lǐng)域相對(duì)落后,短時(shí)間內(nèi)難以縮小與臺(tái)廠差距。 朝鮮日?qǐng)?bào)報(bào)導(dǎo),業(yè)界人士指出,臺(tái)積電正在中國臺(tái)灣南部擴(kuò)建先進(jìn)封裝(CoWos)產(chǎn)線,而日月光上月宣布將在美國加州興建第二座測試廠,同時(shí)計(jì)劃在墨西哥興建封裝與測試新廠。所謂CoWos是透過連接圖形處理器(GPU)和高帶寬內(nèi)存(HBM),來提升效能
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          蘋果M5芯片首度曝光:臺(tái)積電代工 用于人工智能服務(wù)器

          • 7月5日消息,據(jù)媒體報(bào)道,蘋果M5系列芯片將由臺(tái)積電代工,使用臺(tái)積電最先進(jìn)的SoIC-X封裝技術(shù),用于人工智能服務(wù)器。蘋果預(yù)計(jì)在明年下半年批量生產(chǎn)M5芯片,屆時(shí)臺(tái)積電將大幅提升SoIC產(chǎn)能。目前蘋果正在其AI服務(wù)器集群中使用M2 Ultra芯片,預(yù)計(jì)今年的使用量可能達(dá)到20萬左右。作為臺(tái)積電先進(jìn)封裝技術(shù)組合3D Fabric的一部分,臺(tái)積電SoIC是業(yè)內(nèi)第一個(gè)高密度3D chiplet堆迭技術(shù),SoIC是“3D封裝最前沿”技術(shù)。據(jù)悉,SoIC設(shè)計(jì)讓芯片可以直接堆迭在芯片上,臺(tái)積電的3D SoIC的凸點(diǎn)間距
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          挑戰(zhàn)蘋果!曝谷歌自研Soc Tensor G5進(jìn)入流片階段:臺(tái)積電代工

          • 7月5日消息,縱觀目前手機(jī)市場幾大巨頭,無一例外都擁有自家的Soc芯片,頭部谷歌自然而然會(huì)走向制造SoC的道路。從Pixel 6系列開始,Pixel機(jī)型搭載谷歌定制的Tensor芯片,這顆芯片是基于三星Exynos魔改而來,只有TPU、ISP以及搭配的TitanM2安全芯片是谷歌自家的技術(shù)。但從Tensor G5開始,谷歌將實(shí)現(xiàn)芯片的完全自研,據(jù)報(bào)道,Tensor G5將由臺(tái)積電代工,采用3nm工藝制程,目前已經(jīng)進(jìn)入到了流片階段。所謂流片,就是像流水線一樣通過一系列工藝步驟制造芯片,該環(huán)節(jié)處于芯片設(shè)計(jì)和芯
          • 關(guān)鍵字: 谷歌  Soc  臺(tái)積電  Pixel  

          目標(biāo) 2026 年量產(chǎn),初探臺(tái)積電背面供電半導(dǎo)體技術(shù):最直接高效,但生產(chǎn)難度、成本高

          • IT之家 7 月 4 日消息,根據(jù)工商時(shí)報(bào)報(bào)道,臺(tái)積電提出了更完善的背面供電網(wǎng)絡(luò)(BSPDN)解決方案,所采用方式最直接、高效,但代價(jià)是生產(chǎn)復(fù)雜且昂貴。為什么要背面供電網(wǎng)絡(luò)?由于晶體管越來越小,密度越來越高,堆疊層數(shù)也越來越多,因此想要為晶體管供電和傳輸數(shù)據(jù)信號(hào),需要穿過 10-20 層堆棧,大大提高了線路設(shè)計(jì)的復(fù)雜程度。背面供電技術(shù)(BSPDN)將原先和晶體管一同排布的供電網(wǎng)絡(luò)直接轉(zhuǎn)移到晶體管的背面重新排布,也是晶體管三維結(jié)構(gòu)上的一種創(chuàng)新。該技術(shù)可以在增加單位面積內(nèi)晶體管密度的同時(shí),避免晶體管
          • 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電  晶圓代工  

          FOPLP導(dǎo)入AI GPU 估2027年量產(chǎn)

          • 源自臺(tái)積電2016年之InFO(整合扇出型封裝)的FOWLP(扇出型晶圓級(jí)封裝)技術(shù),伴隨AMD、輝達(dá)等業(yè)者積極洽談以FOPLP(扇出型面板級(jí)封裝)進(jìn)行芯片封裝,帶動(dòng)市場對(duì)FOPLP(扇出型面板級(jí)封裝)關(guān)注。集邦科技指出,該應(yīng)用將暫時(shí)止步于PMIC(電源管理IC)等制程成熟、成本敏感的產(chǎn)品,待技術(shù)成熟后才導(dǎo)入至主流消費(fèi)性IC產(chǎn)品,AI GPU則要到2027年才有望進(jìn)入量產(chǎn)。 集邦科技分析,F(xiàn)OPLP技術(shù)目前有三種主要應(yīng)用模式,首先是OSAT(封裝測試)業(yè)者將消費(fèi)性IC封裝從傳統(tǒng)方式轉(zhuǎn)換至FOPLP,其次是
          • 關(guān)鍵字: FOPLP  AI  GPU  臺(tái)積電  

          目標(biāo)2026年量產(chǎn),初探臺(tái)積電背面供電技術(shù):最直接高效,但也更貴

          • 7 月 4 日消息,根據(jù)工商時(shí)報(bào)報(bào)道,臺(tái)積電提出了更完善的背面供電網(wǎng)絡(luò)(BSPDN)解決方案,所采用方式最直接、有效,但代價(jià)是生產(chǎn)復(fù)雜且昂貴。為什么要背面供電網(wǎng)絡(luò)?由于晶體管越來越小,密度越來越高,堆疊層數(shù)也越來越多,因此想要為晶體管供電和傳輸數(shù)據(jù)信號(hào),需要穿過 10-20 層堆棧,大大提高了線路設(shè)計(jì)的復(fù)雜程度。背面供電技術(shù)(BSPDN)將原先和晶體管一同排布的供電網(wǎng)絡(luò)直接轉(zhuǎn)移到晶體管的背面重新排布,也是晶體管三維結(jié)構(gòu)上的一種創(chuàng)新。該技術(shù)可以在增加單位面積內(nèi)晶體管密度的同時(shí),避免晶體管和電源網(wǎng)絡(luò)之間的信號(hào)
          • 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電  背面供電技術(shù)  BSPDN  
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          臺(tái)積電介紹

            臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司   臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司(Taiwan Semiconductor)   臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司網(wǎng)站:http://www.tsmc.com.tw/ 英文   臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司簡介   臺(tái)積公司于1987年在新竹科學(xué)園區(qū)成立,是全球第一家的專業(yè)集成電路制造服務(wù)公司。身為業(yè)界的創(chuàng)始者與領(lǐng)導(dǎo)者,臺(tái)積公司是全球規(guī)模最大的專業(yè)集成電路制造 [ 查看詳細(xì) ]

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