存儲器 文章 進入存儲器技術(shù)社區(qū)
兆易創(chuàng)新于國際存儲器技術(shù)會議發(fā)表論文
- 全球頂級研究人員匯聚三藩市,參加IEEE國際電子元件會議(IEDM)。斯坦福大學團隊在會議上發(fā)表的一篇論文,正是這種洞察細節(jié)精神的體現(xiàn)。 由IBM電子工程師出身的黃漢森教授(H.S.PhilipWong)指導該團隊,在深入研究一種新型資料儲存技術(shù)。對于智慧手機和其他移動設(shè)備而言,高效節(jié)能是至關(guān)重要的,因此此種資料存儲技術(shù)將是這些設(shè)備的理想選擇。 這種新技術(shù)產(chǎn)品稱為電阻式存儲器,縮寫為RRAM。電阻式存儲器基于一種新型半導體材料,此種半導體材料能夠以阻止或允許通過電子流的方式,形成狀態(tài)值&l
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國家存儲器基地動土 要建3座全球最大3D NAND廠
- 傾大陸國家之力的中國長江存儲存儲器基地正式于2016年12月30日開工,而此項目前身為武漢新芯存儲器基地,在歷經(jīng)中國紫光與武漢新芯合體后,重新找地建新廠,強調(diào)要打造全球單座潔凈室面積最大的3DNANDFlash新廠。 紫光集團于2016年12月30日在大陸武漢東湖高新區(qū)舉移動土典禮,宣布中國國家存儲器基地正式開工,該建設(shè)項目聯(lián)合紫光集團、國家集成電路產(chǎn)業(yè)地方基金(大基金)、湖北省地方基金、湖北省科投等共同出資,項目總投資金額達240億美元。 紫光集團暨長江存儲董事長趙偉國趙偉國典禮中強調(diào),
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正式開工 長江存儲帶頭中國存儲產(chǎn)業(yè)啟航
- 今日,由紫光集團聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資240億美元建設(shè)的國家存儲器基地項目正式動工,預計 2018年建成投產(chǎn),2020年完成整個項目,初期計劃以先進的3D NAND為策略產(chǎn)品。 據(jù)悉,此次動工建設(shè)的存儲器基地位于武漢東湖高新區(qū)的武漢未來科技城,規(guī)劃建設(shè)3座3D NAND 生產(chǎn)工廠,1座總部研發(fā)大樓和其他若干配套設(shè)施,總占地面積1968畝,預計到2020年可形成月產(chǎn)能30萬片的規(guī)模,年產(chǎn)值將超過100億美元,到2030年可提升到每月100萬
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Cypress于聯(lián)電制造的eCT嵌入式快閃存儲器MCU開始量產(chǎn)出貨
- 聯(lián)華電子與嵌入式非揮發(fā)性存儲器解決方案廠商Cypress今(14日)共同宣布,在聯(lián)電制造的專有40奈米嵌入式電荷擷取(eCT)快閃存儲器的微電腦控制器(MCU)已量產(chǎn)出貨。 此次量產(chǎn)展現(xiàn)Cypress快閃存儲器技術(shù)結(jié)合聯(lián)電40奈米低功耗(40LP)邏輯制程的多年合作結(jié)果。 40奈米eCT 快閃存儲器的尺寸僅為0.053μm2,比最接近之競爭對手的尺寸約小25%。 eCT快閃存儲器可滿足最嚴苛的高性能應(yīng)用設(shè)計的兩個關(guān)鍵特性,即8 nsec的隨機存取速率和
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資深工程師:選擇汽車MCU的十大考慮因素
- 微控制器(MCU)在從電機控制,到信息娛樂系統(tǒng)和車身控制等越來越寬泛的汽車應(yīng)用中提供至關(guān)重要的性能。隨著價格的下降和整固的增加,微控制器正變得越來越普及,這意味著MCU被越來越多地視為商品。盡管存在這種商品化趨勢,汽車系統(tǒng)設(shè)計工程師仍然認為不同的控制器會有很大的差異,包括各種級別的集成度和功率要求。選擇MCU通??梢钥s減材料成本(BOM),從而有效地降低電子控制單元(ECU)本身的價格?! ∵x擇汽車MCU時,設(shè)計工程師可以考慮以下10個重要因素,實現(xiàn)成本壓力與應(yīng)用所需的特定性能特色之間的平衡。 1.
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存儲的春天 2017年存儲行業(yè)收入將創(chuàng)紀錄
- 根據(jù)ICInsights報道,在經(jīng)歷了2013年與2014年連續(xù)兩年20%以上增長的好年景以后,2015年全球存儲器市場陷入困境。無論是供應(yīng)商合并、產(chǎn)能控制還是新型應(yīng)用頻出等過去認為是利好的事情,都沒有拯救2015年的存儲器市場。個人電腦市場的低迷導致存儲器庫存過多,從而在2015年下半年出現(xiàn)了價格暴跌,2015年存儲器銷售額最終為780億美元,同比下降了3%。 這種頹勢延續(xù)到了2016年上半年,但從2016年下半年開始情況發(fā)生了變化,存儲器價格開始變得異常堅挺,而且持續(xù)到了2016結(jié)束。但由于
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SK海力士72層3D NAND存儲器,傳明年領(lǐng)先全球量產(chǎn)
- SK海力士最先進72層3D NAND存儲器傳明年開始量產(chǎn),韓聯(lián)社周一引述知情人事消息報導指出,SK海力士計劃于2017上半年完成芯片設(shè)計,位在利川(Icheon)的M14廠將可在下半年開始生產(chǎn)。 若按計劃進行,SK海力士將成為全球第一個量產(chǎn)72層3D NAND的存儲器廠。為因應(yīng)市場需求增溫,SK海力士上周已宣布將在韓國與中國兩地,投資3.15兆韓圜來增加DRAM與NAND存儲器產(chǎn)能。 隨著微縮制程遭遇瓶頸,業(yè)者紛紛改以3D垂直方式堆疊存儲器做突破,但工藝技術(shù)各不相同。目前技術(shù)領(lǐng)先的三星已于
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《Cortex-M0權(quán)威指南》之體系結(jié)構(gòu)---存儲器系統(tǒng)
- Cortex-M0處理器為32位處理器,所以具有最大4G的尋址空間。在體系結(jié)構(gòu)上,存儲器空間被劃分位一系列的區(qū)域,每個區(qū)域都有推薦的用途,以提高不同設(shè)備間的可移植性?! 0處理器內(nèi)置了各種不見,例如NVIC和一些調(diào)試部件,它們都被映射到系統(tǒng)空間的固定地址上。因此所有基于M0的設(shè)備在中斷控制和調(diào)試方面,都由相同的編程模式。這種處理有利于軟件移植,也方便調(diào)試工具提供商位M0的微控制器和片上系統(tǒng)SOC提供開發(fā)調(diào)試方案。 Cortex-M0支持大端和小端操作,使用相應(yīng)的配置即可選擇,但已經(jīng)成型
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IC Insights:2017年全球存儲器市場同比增長10%
- 在經(jīng)歷了2013年與2014年連續(xù)兩年20%以上增長的好年景以后,2015年全球存儲器市場陷入困境。無論是供應(yīng)商合并、產(chǎn)能控制還是新型應(yīng)用頻出等過去認為是利好的事情,都沒有拯救2015年的存儲器市場。個人電腦市場的低迷導致存儲器庫存過多,從而在2015年下半年出現(xiàn)了價格暴跌,2015年存儲器銷售額最終為780億美元,同比下降了3%。 這種頹勢延續(xù)到了2016年上半年,但從2016年下半年開始情況發(fā)生了變化,存儲器價格開始變得異常堅挺,而且持續(xù)到了2016結(jié)束。但由于上半年跌價太狠,IC Insi
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斯坦福: 新的存儲器技術(shù)可能更節(jié)能
- 科學家們經(jīng)常會發(fā)現(xiàn)尚未完全理解其中因果的事物令人興趣盎然,但是對于工程師而言,此種未知奧秘卻是夢魘。工程師的工作是將基礎(chǔ)知識轉(zhuǎn)化為實用技術(shù),這意味著需要洞察細節(jié)。 12月5日,全球頂級研究人員匯聚舊金山,參加IEEE國際電子組件會議(IEDM)。斯坦福大學團隊在會議上發(fā)表的一篇論文,正是這種洞察細節(jié)精神的體現(xiàn)?! ∮蒊BM電子工程師出身的黃漢森教授(H. S. Philip Wong)領(lǐng)導的該團隊,在深入研究一種新型數(shù)據(jù)存儲技術(shù)。對于智能手機和其他移動設(shè)備而言,高效節(jié)能
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非揮發(fā)性存儲器規(guī)模將超越SSD
- NAND Flash固態(tài)硬碟(SSD)襲卷了過去10年的儲存技術(shù)產(chǎn)業(yè),而非揮發(fā)性存儲器(NVM)消除了DRAM與儲存硬碟間的差異,勢必掀起一波更大的革命。由微軟(Microsoft)與英特爾(Intel)所組成的Wintel聯(lián)盟,即將卷土重來,成為這波革命背后最主要的推手。 ZDNet報導指出,F(xiàn)lash SSD速度雖較傳統(tǒng)旋轉(zhuǎn)磁碟裝置快上許多,但兩者的I/O堆疊其實沒有太大的差異,因此Flash SSD在執(zhí)行數(shù)據(jù)寫入時,仍有延遲、錯誤等缺點。反觀NVM除了速度更快之外,其存儲器還擁有持久型儲存的功能
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存儲器介紹
什么是存儲器
存儲器(Memory)是計算機系統(tǒng)中的記憶設(shè)備,用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲器的構(gòu)成
構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì),目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細 ]
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