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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 存儲器

          柔性非易失性存儲器研究取得突破

          •   應(yīng)用于柔性電子產(chǎn)品的有機納米材料研究的持續(xù)性突破,使得觀察者們絞盡腦汁地思考:為什么我們沒能看到這些技術(shù)被更多地應(yīng)用于可穿戴電子設(shè)備上。這個問題在于,雖然我們可以用有機納米材料制造柔性邏輯電路和顯示屏,但是實現(xiàn)具有實用意義寫入/擦除速度的柔性非易失性存儲器還有很長一段路要走。   目前,來自斯特拉斯堡大學(xué)和法國國家科學(xué)研究中心(CNRS)的一個研究團隊與來自柏林洪堡大學(xué)以及斯洛文尼亞的新戈里察大學(xué)的研究者合作,開發(fā)出了一種可能改變可穿戴電子設(shè)備格局的由有機納米材料制成的柔性非易失性光存儲薄膜晶體管器
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          關(guān)于NAND閃存顆粒 你必須知道這些事兒

          •   隨著近段時間以來,固態(tài)硬盤、內(nèi)存條甚至優(yōu)盤等存儲設(shè)備的大幅度一致性漲價,影響著存儲設(shè)備漲價的背后關(guān)鍵性元件閃存顆粒,開始浮出水面,被越來越多的業(yè)內(nèi)人士,反復(fù)解讀。   那么,在價格上起著關(guān)鍵性因素的閃存顆粒到底是什么?閃存顆粒和存儲設(shè)備的價格上漲又有什么關(guān)系?2D NAND和3D NAND閃存顆粒之間又有哪些區(qū)別?下面,我們一起來聊聊NAND閃存顆粒這些年。   閃存顆粒的釋義及廠商   閃存顆粒,又稱閃存,是一種非易失性存儲器,即在斷電的情況下依舊可以保存已經(jīng)寫入的數(shù)據(jù),而且是以固定的區(qū)塊為單
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          我國存儲器產(chǎn)業(yè)深陷“缺芯之痛”

          • 存儲器芯片是智能手機、平板電腦、可穿戴設(shè)備等各種智能終端產(chǎn)品不可或缺的關(guān)鍵器件。然而,我國一直是全球集成電路領(lǐng)域最大貿(mào)易逆差國。為消除“缺芯之痛”,國內(nèi)多地開始斥巨資布局存儲器芯片研發(fā)生產(chǎn)領(lǐng)域。
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          SK海力士Q3獲利勝預(yù)期,看好第四季存儲器市況

          •   韓國第二大存儲器廠SK 海力士周二公布第三季獲利盡管大減近五成,但仍優(yōu)于市場預(yù)期,激勵股價盤中走揚。   海力士7-9月營業(yè)利潤賺進7,259億韓圈(6.41億美元),雖然較去年同期降低47.5%,但高于路透社調(diào)查預(yù)估的6,720億韓圈。如與前季相比,營業(yè)利潤跳增60.3%,較能反映存儲器近期價格回漲。 當(dāng)季營收來到4.2兆韓圈,較去年同期衰退13.8%。受財報利多消息激勵,海力士早盤于韓股盤中勁揚3.11%、暫報41,400韓圈,今年迄今累計漲幅達34.8%。   海力士在聲明稿上表示,電腦存儲
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          存儲器價格回溫 2016年IC市場可望成長1%

          •   市場研究機構(gòu)IC Insights的最新報告將對2016年全球半導(dǎo)體市場營收的成長率預(yù)測,由原先的-2%提升為1%;此外該機構(gòu)預(yù)測,2016年全球IC出貨量成長率將在4~6%之間。IC Insights調(diào)升半導(dǎo)體市場成長率的很大一部分原因,來自于DRAM市場的強勁表現(xiàn)。   IC Insights指出,自2002年以來,全球IC市場在第三季平均季成長率為8%,但去年第三季市場成長率僅成長約1%左右;2016年第三季的IC市場成長率則出現(xiàn)了略為高于過去十五年平均值的9%。此外該機構(gòu)預(yù)期,2016年第四
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          全球市占率逾6成 Kingston穩(wěn)坐存儲器模組龍頭

          •   Kingston 金士頓本周將慶祝 29 歲生日,在第三方研究機構(gòu)調(diào)查排名中,仍以超過 60% 的市場占有率,穩(wěn)居全球記憶體模組第一品牌;除了營收逆勢成長外, Kingston 在 2015 年第三度以“記憶”為核心推出記憶的紅氣球微電影,再度獲得 2016《4A 創(chuàng)意獎》一銀一銅兩佳作的獎項。   Kingston 在 1987 年 10 月 17 日由杜紀川 (John Tu) 與孫大衛(wèi) (David Sun) 共同創(chuàng)立,不僅創(chuàng)業(yè)精神及成功故事在業(yè)界享有盛名,近年來更帶領(lǐng)
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          大陸發(fā)展存儲器大計三箭齊發(fā) 明年推首顆自制3D NAND芯片

          •   大陸發(fā)展3D NAND、DRAM、NOR Flash存儲器大計正如火如荼地展開,初步分工將由長江存儲負責(zé)3D NAND及DRAM生產(chǎn),武漢新芯則專職NOR Flash和邏輯代工。2016年底長江存儲將興建首座12吋廠,最快2017年底生產(chǎn)自制32層堆疊3D NAND芯片,盡管落后目前三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)技術(shù)約2個世代,然大陸終于將全面進軍NAND Flash領(lǐng)域。   盡管大陸并未趕上NAND Flash存儲器世代,但在存儲器技術(shù)改朝換代之際,大
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          Microchip全新存儲器系列亮相

          •   如果請嵌入式視頻系統(tǒng)設(shè)計工程師談?wù)劗a(chǎn)品設(shè)計過程中有哪些很難對付的挑戰(zhàn)的話,可能大多數(shù)都會認為是快速且不斷發(fā)展的 I/O 接口。移動應(yīng)用處理器的巨大進步、低成本圖像傳感器和顯示屏的快速普及以及 MIPI 標(biāo)準接口的廣泛采用在過去幾年里徹底改變了嵌入式系統(tǒng)設(shè)計?,F(xiàn)在,移動平臺是創(chuàng)新的主戰(zhàn)場,不僅是在智能手機和平板電腦領(lǐng)域,數(shù)碼單反相機、無人機、虛擬現(xiàn)實(VR)系統(tǒng)、醫(yī)療設(shè)備和工業(yè)顯示領(lǐng)域也是如此。理想的情況是系統(tǒng)中的每個器件都可以直接連接到應(yīng)用處理器,但對于目前新興的視頻市場來說 并非總能如愿。經(jīng)常發(fā)生的
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          存儲器深陷“缺芯之痛” 芯片國產(chǎn)化之路任重道遠

          • 眾聲喧嚷中,隨著今年下半年長江存儲的正式成立,武漢新芯與紫光集團走到了一起。合流背后到底發(fā)生了什么?它們的合流又對整個存儲產(chǎn)業(yè)的發(fā)展意味著什么?中國到底該怎樣發(fā)展存儲?
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          大陸存儲器三路追擊,臺灣成挖角大本營

          • 大陸近幾年積極扶植半導(dǎo)體,諸如晶圓代工中芯國際;IC 設(shè)計海思、展訊;封測江蘇長電、南通富士通都是中國 IC 潮備受關(guān)注的新勢力。然而在存儲器產(chǎn)業(yè)大陸始終難以找到突破口,只好從土法煉鋼起,而臺灣在這之間成了大陸挖角大本營。
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          存儲器市場還能熱多久?SK海力士年K線飆35%、還將續(xù)漲20%?

          •   據(jù)海外媒體報道,存儲器價格超夯,今年至今韓廠SK 海力士 (SK Hynix )已經(jīng)飆升35%,部分外資相當(dāng)樂觀,預(yù)言還有20%上行空間。   巴倫(Barronˋs)14日報導(dǎo),DRAM價格上漲,帶動SK海力士一路攀高。DRAMeXchange預(yù)估,第三季DRAM價格將季增9%,第四季價格可能會再飆將近30%。有鑒于此,摩根士丹利(大摩)的Shawn Kim估計,SK海力士股價可望續(xù)漲20%。   大摩報告稱,時序邁向Q4,DRAM和NAND價格表現(xiàn)都優(yōu)于預(yù)期,也勝過SK海力士的預(yù)估。DRAM投
          • 關(guān)鍵字: SK海力士  存儲器  

          日本開發(fā)出可在600℃高溫下工作的非易失性存儲器

          •   日本千葉工業(yè)大學(xué)2016年10月11日宣布,與日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所(產(chǎn)綜研)及日本物質(zhì)材料研究機構(gòu)(NIMS)合作開發(fā)出了采用鉑納米間隙結(jié)構(gòu)、在600℃下也能工作的非易失性存儲器元件。這種元件有望應(yīng)用于高溫環(huán)境下的存儲器和傳感器,例如飛行記錄器、行星探測器等。        納米間隙存儲器的工作原理   隨著納米柱生長,納米間隙的間隔發(fā)生變化(摘自千葉工業(yè)大學(xué)的發(fā)布資料,下同)        掃描型電子顯微鏡拍攝的鉑納米間隙電極     
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          經(jīng)驗之談,工程師在電路設(shè)計中的八大誤區(qū)

          • 我們常常會發(fā)現(xiàn),自己想當(dāng)然的一些規(guī)則或道理往往會存在一些差錯。電子工程師在電路設(shè)計中也會有這樣的例子。下面是一位工程師總結(jié)的八大誤區(qū)點?,F(xiàn)象一:這板子的PCB設(shè)計要求不高,就用細一點的線,自動布吧點評:
          • 關(guān)鍵字: 電路設(shè)計    PCB設(shè)計    FPGA    存儲器    降低功耗  

          用FPGA器件提升物聯(lián)網(wǎng)和其它聯(lián)網(wǎng)設(shè)計的安全性

          • 在現(xiàn)今日益趨向超連接的世界(hyper-connected world)中,如何保護新的設(shè)計避免被克隆、反向工程和/或篡改是一項重大挑戰(zhàn)。FPGA器件通過加入滿足器件級安全需求的特性,來幫助實現(xiàn)這些目標(biāo)。日益增長的IoT安全需求物
          • 關(guān)鍵字: SoC FPGA器件   智能卡芯片  存儲器  PUF技術(shù)  

          基于MSP430系列微控制器的FFT算法實現(xiàn)

          • 摘要:傅里葉變換算法在供電質(zhì)量監(jiān)測系統(tǒng)中被用來進行諧波分析,如何加快分析速度和降低系統(tǒng)成本是當(dāng)前這種監(jiān)測系統(tǒng)設(shè)計關(guān)注的主要問題。TI公司的MSP430系統(tǒng)微控制器具有功耗低、供電范圍寬及外圍模塊齊全等特點,適
          • 關(guān)鍵字: MSP430  快速傅里葉變換  存儲器  微控制器  
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          存儲器介紹

          什么是存儲器 存儲器(Memory)是計算機系統(tǒng)中的記憶設(shè)備,用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。 存儲器的構(gòu)成 構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì),目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細 ]

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