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安森美
安森美 文章 進(jìn)入安森美技術(shù)社區(qū)
SiC Traction模塊的可靠性基石AQG324
- 前面的文章，和大家分享了安森美(onsemi)在襯底和外延的概況，同時(shí)也分享了安森美在器件開(kāi)發(fā)的一些特點(diǎn)和進(jìn)展。到這里大家對(duì)于SiC的產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)有一定的了解了。也就是從襯底到芯片，對(duì)于一個(gè)SiC功率器件來(lái)說(shuō)只是完成了一半的工作，還有剩下一半就是這次我們要分享的封裝。好的封裝才能把SiC的性能發(fā)揮出來(lái)，這次我們會(huì)從AQG324這個(gè)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)的角度來(lái)看芯片和封裝的開(kāi)發(fā)與驗(yàn)證。圖一是SSDC模塊的剖面示意圖，圖二是整個(gè)SSDC模塊的結(jié)構(gòu)圖，從圖一和圖二我們可以發(fā)現(xiàn)這個(gè)用在主驅(qū)的功率模塊還是比較復(fù)雜的，里面包含了許
- 關(guān)鍵字： SiC Traction模塊 安森美 202311
安森美將攜智能成像方案亮相Vision China 2023
- 中國(guó)上海 - 2023年7月7日--領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)，將攜領(lǐng)先的圖像感知技術(shù)及方案亮相于7月11日至13日在上海國(guó)家會(huì)展中心舉辦的中國(guó)（上海）機(jī)器視覺(jué)展（Vision China 2023），展位號(hào)為5.1號(hào)館D204號(hào)展臺(tái)。 安森美將展示基于其 AR0822圖像傳感器和Rockchip的RK3588處理器的高精度條碼掃描方案。AR0822支持120 dB高動(dòng)態(tài)范圍片上融合（eHDRTM）、近紅外響應(yīng)增強(qiáng)（NIR+）和超
- 關(guān)鍵字： 安森美 智能成像 Vision China
IGBT如何選擇，你真的了解嗎？
- 最近，碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等寬禁帶半導(dǎo)體的應(yīng)用日益增多，受到廣泛關(guān)注。然而，在這些新技術(shù)出現(xiàn)之前，許多高功率應(yīng)用都是使用高效、可靠的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT)，事實(shí)上，許多此類(lèi)應(yīng)用仍然適合繼續(xù)使用 IGBT。在本文中，我們介紹 IGBT 器件的結(jié)構(gòu)和運(yùn)行，并列舉多種不同 IGBT 應(yīng)用的電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，然后探討這種多用途可靠技術(shù)的新興拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。IGBT 器件結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)而言之，IGBT 是由 4 個(gè)交替層 (P-N-P-N) 組成的功率半導(dǎo)體晶體管，通過(guò)施加于金屬氧化物半導(dǎo)體 (MOS
- 關(guān)鍵字： 安森美 IGBT
超低功耗無(wú)線 MCU：玩轉(zhuǎn)睡眠模式
- 支持藍(lán)牙低功耗 (LE) 的設(shè)計(jì)可讓設(shè)備長(zhǎng)時(shí)間處于非工作狀態(tài)，因此，您可能需要選用具有超低功耗睡眠模式的高能效無(wú)線微控制器 (MCU)，這對(duì)于優(yōu)化整體系統(tǒng)性能至關(guān)重要。設(shè)計(jì)人員應(yīng)當(dāng)仔細(xì)選擇采用藍(lán)牙低功耗技術(shù)的 MCU 的規(guī)格，確定超低功耗的真正含義。這不是對(duì)照數(shù)據(jù)表確定最低電流消耗值，針對(duì)應(yīng)用尋求最佳解決方案并非易事。睡眠模式（又稱低功耗模式或休眠模式）不僅意味著低電流，還需考慮以下幾個(gè)因素：?● 電流消耗● 喚醒源● 保留內(nèi)存●&n
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安森美 M3S EliteSiC MOSFET 讓車(chē)載充電器升級(jí)到 800V 電池架構(gòu)
- 自電動(dòng)汽車(chē) (EV) 在汽車(chē)市場(chǎng)站穩(wěn)腳跟以來(lái)，電動(dòng)汽車(chē)制造商一直在追求更高功率的傳動(dòng)系統(tǒng)、更大的電池容量和更短的充電時(shí)間。為滿足客戶需求和延長(zhǎng)行駛里程，電動(dòng)汽車(chē)制造商不斷增加車(chē)輛的電池容量。然而，電池越大，意味著充電的時(shí)間就越長(zhǎng)。最常見(jiàn)的充電方法是在家充一整夜或白天到工作場(chǎng)所充電。這兩種情況對(duì)電動(dòng)汽車(chē)的功率水平提出了不同的要求。使用家中的住宅電源插座可能無(wú)法在一整夜后就為電動(dòng)汽車(chē)充滿電。工作場(chǎng)所提供的可能是中等功率的交流充電樁，如果汽車(chē)配備的是較低功率的車(chē)載充電器 (OBC)，那么充電樁使用時(shí)間可能會(huì)成為
- 關(guān)鍵字： 安森美 MOSFET 車(chē)載充電器
貿(mào)澤電子備貨安森美NCN26010以太網(wǎng)控制器
- 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨安森美 (onsemi) NCN26010工業(yè)以太網(wǎng)控制器。這款新型10BASE-T1S以太網(wǎng)控制器設(shè)計(jì)用于為工業(yè)環(huán)境提供可靠的多點(diǎn)通信。安森美NCN26010是一款10Mb/s、符合IEEE 802.3cg標(biāo)準(zhǔn)的器件，包含媒體訪問(wèn)控制器 (MAC)、PLCA協(xié)調(diào)子層 (RS) 和10BASE-T1S PHY，設(shè)計(jì)用于工業(yè)多點(diǎn)以太網(wǎng)網(wǎng)絡(luò)。該器件可在單根雙絞線上實(shí)現(xiàn)40多個(gè)節(jié)點(diǎn)，
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安森美推出端對(duì)端定位系統(tǒng),助力實(shí)現(xiàn)更省電的高精度資產(chǎn)追蹤
- 智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美（onsemi），推出了一款端對(duì)端定位系統(tǒng)，讓設(shè)計(jì)人員可以更方便快速地開(kāi)發(fā)出更高精度、更具成本效益、更省電的資產(chǎn)追蹤解決方案。該系統(tǒng)基于安森美的RSL15 MCU，這是業(yè)界功耗最低的Bluetooth? 5.2 MCU，并采用了Unikie和CoreHW的軟件算法和組件，形成一個(gè)全集成的解決方案，其組件已經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可以協(xié)同工作。新的藍(lán)牙低功耗（Bluetooth LE）解決方案使標(biāo)簽?zāi)軌蛴糜谠谝?guī)定的封閉空間（如倉(cāng)庫(kù)、商店或其他建筑物）中以亞米級(jí)的精度追蹤物體或人員。它
- 關(guān)鍵字： 安森美 定位 資產(chǎn)追蹤
安森美(onsemi)M3S EliteSiC MOSFET讓車(chē)載充電器升級(jí)到800V電池架構(gòu)
- 自電動(dòng)汽車(chē) (EV) 在汽車(chē)市場(chǎng)站穩(wěn)腳跟以來(lái)，電動(dòng)汽車(chē)制造商一直在追求更高功率的傳動(dòng)系統(tǒng)、更大的電池容量和更短的充電時(shí)間。為滿足客戶需求和延長(zhǎng)行駛里程，電動(dòng)汽車(chē)制造商不斷增加車(chē)輛的電池容量。然而，電池越大，意味著充電的時(shí)間就越長(zhǎng)。最常見(jiàn)的充電方法是在家充一整夜或白天到工作場(chǎng)所充電。這兩種情況對(duì)電動(dòng)汽車(chē)的功率水平提出了不同的要求。使用家中的住宅電源插座可能無(wú)法在一整夜后就為電動(dòng)汽車(chē)充滿電。工作場(chǎng)所提供的可能是中等功率的交流充電樁，如果汽車(chē)配備的是較低功率的車(chē)載充電器 (OBC)，那么充電樁使用時(shí)間可能會(huì)成為
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用于SiC MOSFET的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器使用指南
- SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)中正迅速普及，因?yàn)樗畛醯囊恍┛煽啃詥?wèn)題已得到解決，并且價(jià)位已達(dá)到非常有吸引力的水平。隨著市場(chǎng)上的器件越來(lái)越多，必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章概述了安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關(guān)鍵特性及驅(qū)動(dòng)條件對(duì)它的影響，作為安森美提供的全方位寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的一部分，還將提供 NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器）的使用指南。本文為第三部分，將重點(diǎn)介紹NCP517
- 關(guān)鍵字： 安森美 SiC MOSFET 隔離柵極驅(qū)動(dòng)器
安森美引領(lǐng)行業(yè)的Elite Power仿真工具和PLECS模型自助生成工具的技術(shù)優(yōu)勢(shì)
- 本文旨在介紹 安森美 (onsemi) 的在線 Elite Power 仿真工具和 PLECS 模型自助生成工具 (SSPMG) 所具有的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，提供有關(guān)如何使用在線工具和可用功能的更多詳細(xì)信息。我們首先介紹一些與 SPICE 和 PLECS 模型有關(guān)的基礎(chǔ)知識(shí)，接下來(lái)介紹開(kāi)關(guān)損耗提取技術(shù)和寄生效應(yīng)影響的詳細(xì)信息，并介紹虛擬開(kāi)關(guān)損耗環(huán)境的概念和優(yōu)勢(shì)。該虛擬環(huán)境還可用來(lái)研究系統(tǒng)性能對(duì)半導(dǎo)體工藝變化的依賴性。最后，本文詳細(xì)介紹對(duì)軟硬開(kāi)關(guān)皆適用的 PLECS 模型以及相關(guān)的影響?？偨Y(jié)部分闡明了安森美工具比業(yè)內(nèi)
- 關(guān)鍵字： 安森美 PLECS模型 仿真工具
深度剖析IGBT柵極驅(qū)動(dòng)注意事項(xiàng)
- IGBT晶體管的結(jié)構(gòu)要比 MOSFET 或雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 復(fù)雜得多。它結(jié)合了這兩種器件的特點(diǎn)，并且有三個(gè)端子：一個(gè)柵極、一個(gè)集電極和一個(gè)發(fā)射極。就柵極驅(qū)動(dòng)而言，該器件的行為類(lèi)似于 MOSFET。它的載流路徑與 BJT 的集電極-發(fā)射極路徑非常相似。圖 1 顯示了 n 型 IGBT 的等效器件電路。圖 1. IGBT的等效電路圖 2. IGBT的導(dǎo)通電流為了快速導(dǎo)通和關(guān)斷 BJT，必須在每個(gè)方向上硬驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O電流，以將載流子移入和移出基極區(qū)。當(dāng) MOSFET 的柵極被驅(qū)動(dòng)為高電平時(shí)，會(huì)存在一個(gè)從雙
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安森美Elite Power仿真工具和PLECS模型自助生成工具的優(yōu)勢(shì)
- 簡(jiǎn)介? ? ??本文旨在介紹 安森美 (onsemi) 的在線 Elite Power 仿真工具和 PLECS 模型自助生成工具 (SSPMG) 所具有的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，提供有關(guān)如何使用在線工具和可用功能的更多詳細(xì)信息。我們首先介紹一些與 SPICE 和 PLECS 模型有關(guān)的基礎(chǔ)知識(shí)，接下來(lái)介紹開(kāi)關(guān)損耗提取技術(shù)和寄生效應(yīng)影響的詳細(xì)信息，并介紹虛擬開(kāi)關(guān)損耗環(huán)境的概念和優(yōu)勢(shì)。該虛擬環(huán)境還可用來(lái)研究系統(tǒng)性能對(duì)半導(dǎo)體工藝變化的依賴性。最后，本文詳細(xì)介紹對(duì)軟硬開(kāi)關(guān)皆適用的 PLE
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分步解析，半橋 LLC 諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)要點(diǎn)
- 在眾多諧振轉(zhuǎn)換器中，LLC 諧振轉(zhuǎn)換器有著高功率密度應(yīng)用中最常用的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。之前我們介紹過(guò)采用 NCP4390 的半橋 LLC 諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)，其中包括有關(guān) LLC 諧振轉(zhuǎn)換器工作原理的說(shuō)明、變壓器和諧振網(wǎng)絡(luò)的設(shè)計(jì)，以及元件的選擇。今天我們將介紹設(shè)計(jì)程序的前9個(gè)步驟并配有設(shè)計(jì)示例來(lái)加以說(shuō)明，幫助您完成 LLC 諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)。設(shè)計(jì)程序本文介紹了使用圖 12 中的電路圖作為參考的設(shè)計(jì)程序，其中諧振電感是用漏感實(shí)現(xiàn)的。設(shè)計(jì)規(guī)格如下所示：● 標(biāo)稱輸入電壓：396 VDC（PF
- 關(guān)鍵字： 安森美 半橋 LLC 轉(zhuǎn)換器
如何高效完成大電流單通道柵極驅(qū)動(dòng)器電路設(shè)計(jì)？
- NCD(V)5700x 是大電流單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，內(nèi)置電流隔離功能，用于在高功率應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高系統(tǒng)效率和可靠性。上篇中我們介紹了NCD(V)5700x的輸入(IN)和輸出(OUT)信號(hào)、輸入偏置電源(VDD1)、輸出正負(fù)偏置電源(VDD2和VEE2)、功耗(PD)和結(jié)溫(TJ)、欠壓閉鎖(UVLO)和就緒(RDY)和去飽和(DESAT)保護(hù)和軟關(guān)斷(STO)這六個(gè)部分的參數(shù)、功能和設(shè)計(jì)技巧。這篇文章我們將重點(diǎn)關(guān)注NCD(V)5700x的考慮使用外部BJT緩沖器實(shí)現(xiàn)軟關(guān)斷(STO)、用于偏置電源的齊納分離式穩(wěn)
- 關(guān)鍵字： 安森美 柵極驅(qū)動(dòng)器
工程師必須知道的大電流單通道柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)技巧
- NCD(V)5700x 是大電流單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，內(nèi)置電流隔離功能，用于在高功率應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高系統(tǒng)效率和可靠性。其特性包括：互補(bǔ)輸入（IN+ 和 IN-），開(kāi)漏故障（）和就緒 (RDY) 輸出，復(fù)位或清除故障功能（），有源米勒箝位 (CLAMP)，去飽和保護(hù) (DESAT)，去飽和情況下軟關(guān)斷，拉電流 (OUTH) 和灌電流 (OUTL) 分離驅(qū)動(dòng)輸出（僅限 NCD(V)57000），精確欠壓閉鎖 (UVLO)，低傳播延遲（最大值90 ns）和小脈沖失真（最大值25 ns），較高的共模瞬變抗擾度 (CMTI
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安森美介紹
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor, 美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)擁有跨越全球的物流網(wǎng)絡(luò)和強(qiáng)大的產(chǎn)品系列，是計(jì)算機(jī)、通信、消費(fèi)產(chǎn)品、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)和軍事/航空等市場(chǎng)客戶之首選高能效半導(dǎo)體技術(shù)供應(yīng)商。公司廣泛的產(chǎn)品系列包括電源管理、信號(hào)、邏輯、分立及定制器件。
公司的全球總部位于美國(guó)亞利桑那州菲尼克斯，并在北美、歐洲和亞太地區(qū)等關(guān)鍵市場(chǎng)運(yùn)營(yíng)包括制造廠、銷(xiāo)售辦事處和設(shè)計(jì)中心的業(yè)務(wù) [ 查看詳細(xì) ]
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