晶圓 文章 進(jìn)入晶圓技術(shù)社區(qū)
三星陷入良率困境，晶圓代工生產(chǎn)線關(guān)閉超30%
- 根據(jù)韓國三星證券初步的預(yù)測數(shù)據(jù)顯示，三星3nm GAA制程的良率約為20%，比可達(dá)成大規(guī)模生產(chǎn)的建議值低了三倍。因訂單量不足關(guān)閉代工生產(chǎn)線進(jìn)入5nm制程時(shí)，三星晶圓代工業(yè)務(wù)就因?yàn)闊o法克服良率障礙而失去了高通驍龍 8 Gen 3的獨(dú)家代工訂單，高通的訂單全給了臺(tái)積電，同樣上個(gè)月最新推出的3nm芯片驍龍 8 Gen 4也是由臺(tái)積電代工。為了滿足客戶需求，三星并不堅(jiān)持使用自家代工廠，即將發(fā)布的三星Galaxy 25系列手機(jī)全系醬搭載驍龍 8 至尊版芯片，放棄自研Exynos2500版本。目前在代工領(lǐng)域，臺(tái)積電拿
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臺(tái)積電美國晶圓廠4nm試產(chǎn)良率已與在臺(tái)工廠相近
- 據(jù)彭博社援引消息稱，臺(tái)積電美國亞利桑那州晶圓廠項(xiàng)目首座工廠4nm產(chǎn)線的試產(chǎn)良率已與臺(tái)積電位于臺(tái)灣地區(qū)的南科廠良率相近。臺(tái)積電在回應(yīng)彭博社報(bào)道的電子郵件中表示，其亞利桑那州項(xiàng)目“正在按計(jì)劃進(jìn)行，進(jìn)展良好”。根據(jù)此前的信息顯示，臺(tái)積電美國亞利桑那州的第一座晶圓廠在今年4月中旬完成了第一條生產(chǎn)線的架設(shè)，并開始接電并投入基于4nm制程進(jìn)行工程測試晶圓的生產(chǎn)，而根據(jù)彭博社最新的報(bào)道來看，基于該生產(chǎn)線的第一批試產(chǎn)的4nm晶圓良率如果與南科廠良率相當(dāng)，那么表明其后續(xù)如果量產(chǎn)，良率將不是問題。根據(jù)規(guī)劃，臺(tái)積電將在美國亞利
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英特爾計(jì)劃再調(diào)整資本支出：剝離部分不必要業(yè)務(wù)
- 英特爾正在經(jīng)歷其最艱難的時(shí)期，今年第二季度的財(cái)報(bào)表現(xiàn)糟糕，市值已經(jīng)跌破1000億美元。相比之下，目前，英偉達(dá)市值已接近3萬億美元。為了扭轉(zhuǎn)不利的處境，在二季度的財(cái)報(bào)中，英特爾宣布將暫停股息支付、精簡運(yùn)營、大幅削減支出和員工數(shù)量：2024年非美國通用會(huì)計(jì)準(zhǔn)則下的研發(fā)、營銷、一般和行政支出將削減至約200億美元，2025年減至約175億美元，預(yù)計(jì)2026年將繼續(xù)削減，作為削減支出計(jì)劃一部分的裁員，預(yù)計(jì)將裁減超過15%的員工，其中的大部分將在今年年底前完成。外媒援引知情人士的透露報(bào)道稱，已宣布裁員、削減支出的英
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美媒：英特爾實(shí)力大幅減弱 但美國政府不允許它失敗
- 8月12日消息，作為美國最大的芯片制造商，英特爾可能依然能夠生存下去，但具體以何種形式則尚不明確。到了2024年，盡管英特爾的實(shí)力大幅減弱，但作為一個(gè)巨大的半導(dǎo)體制造商，它可能還是“大而不能倒”。本月英特爾發(fā)布的第二季度財(cái)報(bào)令人失望，使這家芯片巨頭的困境和不確定的前景更加凸顯。面對關(guān)鍵市場銷售額的下滑與制造轉(zhuǎn)型所需高昂成本的雙重壓力，英特爾不得不采取更為激進(jìn)的成本控制措施來節(jié)省資金。這些措施包括裁減15%的員工、大幅削減用于建設(shè)和配備生產(chǎn)設(shè)施的資本支出，以及暫停自1992年以來一直發(fā)放的股息。英特爾的最新
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中芯國際二季度營收增長兩成，凈利1.6億美元，預(yù)計(jì)三季度收入環(huán)比增超13%
- 消費(fèi)電子市場的復(fù)蘇拉動(dòng)晶圓代工廠業(yè)績進(jìn)一步回暖。8月8日晚，國內(nèi)最大的集成電路代工企業(yè)中芯國際（688981.SH）公布了第二季度業(yè)績。期內(nèi)，銷售收入 19.013億美元（約136.35億元人民幣），環(huán)比增長8.6%，同比增長21.8%；凈利潤1.646億美元（約 11.8億元人民幣），環(huán)比增長129.2%，同比減少59.1%。第二季度毛利率為13.9%，今年第一季度毛利率為13.7%。產(chǎn)能利用率也進(jìn)一步爬升至85.2%，第一季度為80.8%，環(huán)比提升四個(gè)百分點(diǎn)。中芯國際管理層表示，二季度的銷售收
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我國科學(xué)家開發(fā)出人造藍(lán)寶石介質(zhì)晶圓，為低功耗芯片提供技術(shù)支撐
- 8 月 7 日消息，隨著電子設(shè)備不斷小型化和性能要求的提升，芯片中的晶體管數(shù)量持續(xù)增加，尺寸日益縮小，同時(shí)也帶來了新的技術(shù)挑戰(zhàn)，尤其是在介質(zhì)材料方面。經(jīng)過多年研究攻關(guān)，中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所成功研制出一種人造藍(lán)寶石作為絕緣介質(zhì)的晶圓，為開發(fā)低功耗芯片提供了重要的技術(shù)支撐。相關(guān)成果今日已發(fā)表在國際學(xué)術(shù)期刊《自然》上（DOI:10.1038/s41586-024-07786-2）。電子芯片中的介質(zhì)材料主要起到絕緣的作用，但當(dāng)傳統(tǒng)的介質(zhì)材料厚度減小到納米級別時(shí)，其絕緣性能會(huì)顯著下降，導(dǎo)致電流泄漏。
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英特爾陷入惡性循環(huán)，能否絕處逢生？
- 英特爾在2024年第二季度財(cái)報(bào)中呈現(xiàn)出全面虧損的態(tài)勢，實(shí)現(xiàn)營收128.33億美元（低于市場預(yù)期的129.4億美元），同比下降1%；凈利潤為-16.54億美元（遠(yuǎn)不及市場預(yù)期的-5.4億美元），2023年同期凈利潤14.73億美元，同比轉(zhuǎn)虧；毛利率35.4%，遠(yuǎn)低于市場預(yù)期（42.1%），而上一季度的毛利率為41%，也低于2023年同期的35.8%。AI PC產(chǎn)品的增加、Intel 4和3芯片晶圓從俄勒岡州工廠過渡至愛爾蘭工廠的成本，以及其他非核心業(yè)務(wù)的費(fèi)用等因素是導(dǎo)致毛利率暴跌的主要原因，營收的微降和毛利
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價(jià)值3.83億美元！Intel拿下全球第二臺(tái)High NA EUV光刻機(jī)
- 8月6日消息，在近日的財(cái)報(bào)電話會(huì)議上，Intel CEO宣布已成功接收全球第二臺(tái)價(jià)值3.83億美元的High NA EUV（極紫外光刻機(jī)）。High NA EUV光刻機(jī)是目前世界上最先進(jìn)的芯片制造設(shè)備之一，其分辨率達(dá)到8納米，能夠顯著提升芯片的晶體管密度和性能，是實(shí)現(xiàn)2nm以下先進(jìn)制程大規(guī)模量產(chǎn)的必備武器。帕特·基辛格表示，第二臺(tái)High NA設(shè)備即將進(jìn)入Intel位于美國俄勒岡州的晶圓廠，預(yù)計(jì)將支持公司新一代更強(qiáng)大的計(jì)算機(jī)芯片的生產(chǎn)。此前，Intel已于去年12月接收了全球首臺(tái)High NA EUV光刻
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可用面積達(dá)12吋晶圓3.7倍，臺(tái)積電發(fā)力面板級先進(jìn)封裝技術(shù)
- 6月21日消息，據(jù)日媒報(bào)道，在CoWoS訂單滿載、積極擴(kuò)產(chǎn)之際，臺(tái)積電也準(zhǔn)備要切入產(chǎn)出量比現(xiàn)有先進(jìn)封裝技術(shù)高數(shù)倍的面板級扇出型封裝技術(shù)。而在此之前，英特爾、三星等都已經(jīng)在積極的布局面板級封裝技術(shù)以及玻璃基板技術(shù)。報(bào)道稱，為應(yīng)對未來AI需求趨勢，臺(tái)積電正與設(shè)備和原料供應(yīng)商合作，準(zhǔn)備研發(fā)新的先進(jìn)封裝技術(shù)，計(jì)劃是利用類似矩形面板的基板進(jìn)行封裝，取代目前所采用的傳統(tǒng)圓形晶圓，從而能以在單片基板上放置更多芯片組。資料顯示，扇出面板級封裝（FOPLP）是基于重新布線層（RDL）工藝，將芯片重新分布在大面板上進(jìn)行互連的
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imec首次展示CFET晶體管，將在0.7nm A7節(jié)點(diǎn)引入
- 自比利時(shí)微電子研究中心（imec）官網(wǎng)獲悉，6月18日，在2024 IEEE VLSI技術(shù)與電路研討會(huì)（2024 VLSI）上，imec首次展示了具有堆疊底部和頂部源極/漏極觸點(diǎn)的CMOS CFET器件。雖然這一成果的兩個(gè)觸點(diǎn)都是利用正面光刻技術(shù)獲得，但imec也展示了將底部觸點(diǎn)轉(zhuǎn)移至晶圓背面的可能性——這樣可將頂部元件的覆蓋率從11%提升至79%。從imec的邏輯技術(shù)路線圖看，其設(shè)想在A7節(jié)點(diǎn)器件架構(gòu)中引入CFET技術(shù)。若與先進(jìn)的布線技術(shù)相輔相成，CFET有望將標(biāo)準(zhǔn)單元高度從5T降低到4T甚至更低，而不
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消息稱臺(tái)積電研究新的先進(jìn)芯片封裝技術(shù)：矩形代替圓形晶圓
- IT之家 6 月 20 日消息，IT之家援引日經(jīng)亞洲報(bào)道，臺(tái)積電在研究一種新的先進(jìn)芯片封裝方法，使用矩形基板，而不是傳統(tǒng)圓形晶圓，從而在每個(gè)晶圓上放置更多的芯片。消息人士透露，矩形基板目前正在試驗(yàn)中，尺寸為 510 mm 乘 515 mm，可用面積是圓形晶圓的三倍多，采用矩形意味著邊緣剩余的未使用面積會(huì)更少。報(bào)道稱，這項(xiàng)研究仍然處于早期階段，在新形狀基板上的尖端芯片封裝中涂覆光刻膠是瓶頸之一，需要像臺(tái)積電這樣擁有深厚財(cái)力的芯片制造商來推動(dòng)設(shè)備制造商改變設(shè)備設(shè)計(jì)。在芯片制造中，芯片封裝技術(shù)曾被認(rèn)為
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三星1nm量產(chǎn)計(jì)劃或?qū)⑻崆爸?026年
- 據(jù)外媒報(bào)道，三星計(jì)劃在今年6月召開的2024年晶圓代工論壇上，正式公布其1nm制程工藝計(jì)劃，并計(jì)劃將1nm的量產(chǎn)時(shí)間從原本的2027年提前到2026年。據(jù)了解，三星電子已于2022年6月在全球首次成功量產(chǎn)3nm晶圓代工，并計(jì)劃在2024年開始量產(chǎn)其第二代3nm工藝。根據(jù)三星之前的路線圖，2nm SF2 工藝將于2025年亮相，與 3nm SF3 工藝相比，同等情況下能效可提高25%，性能可提高12%，同時(shí)芯片面積減少5%。報(bào)道中稱，三星加速量產(chǎn)1nm工藝的信心，或許來自于“Gate-All-Around（
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遍地開花，全球多座晶圓廠刷新進(jìn)度條！
- 5月23日，臺(tái)積電晶圓18B廠資深廠長黃遠(yuǎn)國在2024技術(shù)論壇上表示，由于3納米的產(chǎn)能擴(kuò)充仍無法滿足市場需求，臺(tái)積電計(jì)劃今年在全球范圍內(nèi)建設(shè)7座工廠。據(jù)悉，臺(tái)積電3納米先進(jìn)制程于2023年開始量產(chǎn)，其良率和同時(shí)期的N4制程一樣，且現(xiàn)階段產(chǎn)能也繼續(xù)擴(kuò)產(chǎn)中，但這依然無法滿足客戶需求。市場需求強(qiáng)勁 ，臺(tái)積電7座工廠在路上黃遠(yuǎn)國表示，因應(yīng)高效能運(yùn)算（HPC）及智能手機(jī)強(qiáng)勁需求，臺(tái)積電今年持續(xù)積極擴(kuò)產(chǎn)，將興建7座工廠，預(yù)計(jì)今年3納米制程產(chǎn)能較2023年相比將增加3倍。作為全球最大的晶圓代工廠商，臺(tái)積電似乎從不吝嗇在
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Intel 14A工藝至關(guān)重要！2025年之后穩(wěn)定領(lǐng)先
- 這幾年，Intel以空前的力度推進(jìn)先進(jìn)制程工藝，希望以最快的速度反超臺(tái)積電，重奪領(lǐng)先地位，現(xiàn)在又重申了這一路線，尤其是意欲通過未來的14A 1.4nm級工藝，在未來鞏固自己的領(lǐng)先地位。目前，Intel正在按計(jì)劃實(shí)現(xiàn)其“四年五個(gè)制程節(jié)點(diǎn)”的目標(biāo)，Intel 7工藝、采用EUV極紫外光刻技術(shù)的Intel 4和Intel 3均已實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。其中，Intel 3作為升級版，應(yīng)用于服務(wù)器端的Sierra Forest、Granite Rapids，將在今年陸續(xù)發(fā)布，其中前者首次采用純E核設(shè)計(jì)，最多288個(gè)。In
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晶圓介紹
晶圓 晶圓是指硅半導(dǎo)體積體電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)99.999999999%。晶圓制造廠再將此多晶硅融解，再于融液里種入籽晶，然后將其慢慢拉出，以形成圓柱狀的單晶硅 [ 查看詳細(xì) ]
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