晶圓 文章 進入晶圓技術(shù)社區(qū)
地震對全球芯片產(chǎn)業(yè)的沖擊
- 今年4月初,中國臺灣地區(qū)發(fā)生近25年來的最大地震,引發(fā)了全球各行業(yè)的關(guān)注,特別是半導體行業(yè),甚至有媒體發(fā)文稱:全球半導體供應鏈抖音臺灣地震而亮起紅燈。為什么這么說呢?我們知道,全球最大的半導體代工廠臺積電就位于臺灣省,其向世界各大半導體公司供貨,特別是蘋果、英偉達和高通等頭部公司,如果負責全球半導體代工產(chǎn)量近七成的臺灣生產(chǎn)線出現(xiàn)問題,那么不排除全球半導體供應鏈崩潰的可能性。目前評估結(jié)果顯示,此次強震對臺積電核心代工生產(chǎn)設(shè)施和DRAM(一種半導體存儲器)生產(chǎn)線未造成嚴重影響,讓外界稍稍松了口氣。但有分析認為
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2026年,中國大陸IC晶圓產(chǎn)能將躍居全球第一
- 根據(jù)Knometa Research的數(shù)據(jù)顯示,2026年,中國大陸將超越韓國和中國臺灣,成為IC晶圓產(chǎn)能的領(lǐng)先地區(qū),而歐洲的份額將繼續(xù)下降。中國大陸一直在領(lǐng)先優(yōu)勢的芯片制造能力上進行大量投資,并將從除美洲以外的所有其他地區(qū)獲取市場份額。此外,KnometaResearch預計,2024年全球IC晶圓產(chǎn)能年增長率為4.5%,2025年和2026年增長率分別為8.2%和8.9%。截至2023年底,中國大陸在全球晶圓月產(chǎn)能中的份額為19.1%,落后韓國和中國臺灣幾個百分點。預計到2025年,中國大陸的產(chǎn)能份額
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晶合集成5000萬像素BSI量產(chǎn)
- 繼90納米CIS和55納米堆棧式CIS實現(xiàn)量產(chǎn)之后,晶合集成CIS再添新產(chǎn)品。近期,晶合集成55納米單芯片、高像素背照式圖像傳感器(BSI)迎來批量量產(chǎn),極大賦能智能手機的不同應用場景,實現(xiàn)由中低端向中高端應用跨越式邁進。晶合集成規(guī)劃CIS產(chǎn)能將在今年內(nèi)迎來倍速增長,出貨量占比將顯著提升, 成為顯示驅(qū)動芯片之外的第二大產(chǎn)品主軸。近年來,5000萬像素CIS已在智能手機配置上加速滲透。晶合集成與國內(nèi)設(shè)計公司合作,基于自主研發(fā)的55納米工藝平臺,使用背照式工藝技術(shù)復合式金屬柵欄,不僅提升了產(chǎn)品進光量,還兼具高
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臺積電:設(shè)備復原率已超70%,主要機臺皆無受損情況
- 據(jù)多方媒體報道,近日,中國臺灣地區(qū)花蓮縣發(fā)生多次地震,其中最大震級為7.3級。對于地震所造成影響,臺積電對媒體表示,臺積公司在臺灣的晶圓廠工安系統(tǒng)正常,為確保人員安全,據(jù)公司內(nèi)部程序啟動相關(guān)預防措施,部分廠區(qū)在第一時間進行疏散,人員皆平安并在確認安全后回到工作崗位。雖然部分廠區(qū)的少數(shù)設(shè)備受損并影響部分產(chǎn)線生產(chǎn),主要機臺包含所有極紫外(EUV)光刻設(shè)備皆無受損。臺積電還表示,在地震發(fā)生后10小時內(nèi),晶圓廠設(shè)備的復原率已超過70%,新建的晶圓廠(如晶圓十八廠)的復原率更已超過80%。目前正與客戶保持密切溝通,
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2027年300mm晶圓廠設(shè)備支出可望達1370億美元新高
- 近日,SEMI發(fā)布《300mm晶圓廠2027年展望報告(300mm Fab Outlook Report to 2027) 》指出,由于內(nèi)存市場復蘇以及對高效能運算和汽車應用的強勁需求,全球用于前端設(shè)施的300mm晶圓廠設(shè)備支出預估在2025年首次突破1000億美元,到2027年將達到1370億美元的歷史新高。全球300mm晶圓廠設(shè)備投資預計將在2025年成長20%至1165億美元,2026年將成長12%至1305億美元,將在2027年創(chuàng)下歷史新高。SEMI總裁兼首席執(zhí)行官Ajit Manoch
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英國首座12英寸晶圓廠啟用
- 近日,英國半導體公司Pragmatic Semiconductor正式啟用其位于達勒姆(Durham)的最新工廠。該公司表示,這是英國首個生產(chǎn)300毫米半導體芯片的工廠。Pragmatic Park預期將在未來五年內(nèi)創(chuàng)造500個高技能工作崗位,并加強英國的科技生態(tài)系統(tǒng)。該公司還聲稱,相較傳統(tǒng)硅芯片生產(chǎn),該公司的生產(chǎn)過程更環(huán)保,耗能和水量更少,二氧化碳排放也顯著降低。Pragmatic總部設(shè)于英國劍橋,首間工廠位于達勒姆南部的Sedgefield。Pragmatic的柔性芯片技術(shù)廣泛應用于智能封裝,這種于采
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300mm晶圓廠設(shè)備支出明年將首次突破1000億美元
- 全球應用于前道工藝的 300mm 晶圓廠設(shè)備投資,預計將在 2025 年首次突破 1000 億美元。
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ASML前CTO,加入ASM
- 近日,ASM International NV(ASM)宣布提名Martin van den Brink為其監(jiān)事會成員。Martin van den Brink的任命將于5月13日提交給年度股東大會。據(jù)介紹,1984年,Martin van den Brink以工程師身份加入當時新成立的ASML,并于1995年成為技術(shù)副總裁(CTO)。1999年,他被任命為ASML管理委員會成員,2013年,他被任命為首席技術(shù)官。在擔任公司領(lǐng)導期間,他是推動ASML發(fā)展和技術(shù)創(chuàng)新的關(guān)鍵,這些創(chuàng)新幫助塑造了整個半導體行業(yè)。
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瘋狂的碳化硅,國內(nèi)狂追!
- 近幾日,英飛凌在碳化硅合作與汽車半導體方面合作動態(tài)頻頻,再度引起業(yè)界對碳化硅材料關(guān)注。1月23日,英飛凌與Wolfspeed宣布擴大并延伸現(xiàn)有的長期150mm碳化硅晶圓供應協(xié)議(原先的協(xié)議簽定于2018年2月)。延伸后的合作將包括一個多年期產(chǎn)能預留協(xié)議。這將有助于保證英飛凌整個供應鏈的穩(wěn)定,同時滿足汽車、太陽能、電動汽車充電應用、儲能系統(tǒng)等領(lǐng)域?qū)τ谔蓟璋雽w不斷增長的需求。據(jù)英飛凌科技首席執(zhí)行官 JochenHanebeck 消息,為了滿足不斷增長的碳化硅器件需求,英飛凌正在落實一項多供應商戰(zhàn)略,從而在
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英飛凌與Wolfspeed延長多年期碳化硅150mm晶圓供應協(xié)議
- 據(jù)外媒,1月23日,英飛凌與美國半導體制造商Wolfspeed發(fā)布聲明,宣布擴大并延長雙方2018年2月簽署的現(xiàn)有150mm碳化硅晶圓長期供應協(xié)議。根據(jù)聲明,雙方延長的的合作關(guān)系中包括一項多年期產(chǎn)能預留協(xié)議。新協(xié)議有助于提高英飛凌總體供應鏈的穩(wěn)定性,同時滿足汽車、太陽能和電動汽車應用以及儲能系統(tǒng)對碳化硅晶圓產(chǎn)品日益增長的需求。英飛凌科技首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck表示,希望在全球范圍內(nèi)保障對于150mm和200mm碳化硅晶圓的高品質(zhì)、長期供應優(yōu)質(zhì)貨源。
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SiC生長過程及各步驟造成的缺陷
- 眾所周知,提高 SiC 晶圓質(zhì)量對制造商來說非常重要,因為它直接決定了 SiC 器件的性能,從而決定了生產(chǎn)成本。然而,具有低缺陷密度的 SiC 晶圓的生長仍然非常具有挑戰(zhàn)性。SiC 晶圓制造的發(fā)展已經(jīng)完成了從100毫米(4英寸)到150毫米(6英寸)晶圓的艱難過渡,正在向8英寸邁進。SiC 需要在高溫環(huán)境下生長,同時具有高剛性和化學穩(wěn)定性,這導致生長的 SiC 晶片中晶體和表面缺陷的密度很高,導致襯底質(zhì)量和隨后制造的外延層質(zhì)量差?。本篇文章主要總結(jié)了?SiC 生長過程及各步驟造成的缺陷
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英飛凌已與碳化硅 (SiC) 供應商 SK Siltron CSS 達成協(xié)議
- 據(jù)英飛凌官網(wǎng)消息,近日,英飛凌已與碳化硅 (SiC) 供應商 SK Siltron CSS 正式達成協(xié)議。據(jù)悉,SK Siltron CSS將為英飛凌提供具有競爭力的高質(zhì)量150mm SiC晶圓,支持SiC半導體的生產(chǎn)。在后續(xù)階段,SK Siltron CSS將在協(xié)助英飛凌向200 mm 晶圓直徑過渡方面發(fā)揮重要作用。據(jù)了解,英飛凌首席采購官 Angelique van der Burg 表示:“對于英飛凌來說,供應鏈彈性意味著實施多供應商戰(zhàn)略,并在逆境中蓬勃發(fā)展,創(chuàng)造新的增長機會并推
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SEMI報告:2024年全球半導體產(chǎn)能預計將達到創(chuàng)紀錄的每月3000萬片晶圓
- 美國加州時間2024年1月2日, SEMI在其最新的季度《世界晶圓廠預測報告》World Fab Forecast中宣布,全球半導體每月晶圓(WPM)產(chǎn)能在2023年增長5.5%至2960萬片后,預計2024年將增長6.4%,首次突破每月3000萬片大關(guān)(以200mm當量計算)。2024年的增長將由前沿邏輯和代工、包括生成式人工智能和高性能計算(HPC)在內(nèi)的應用的產(chǎn)能增長以及芯片終端需求的復蘇推動。由于半導體市場需求疲軟以及由此產(chǎn)生的庫存調(diào)整,2023年產(chǎn)能擴張放緩。SEMI總裁兼首席執(zhí)行官Ajit M
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晶圓介紹
晶圓 晶圓是指硅半導體積體電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu),而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅,而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉,鹽酸氯化,并經(jīng)蒸餾后,制成了高純度的多晶硅,其純度高達99.999999999%。晶圓制造廠再將此多晶硅融解,再于融液里種入籽晶,然后將其慢慢拉出,以形成圓柱狀的單晶硅 [ 查看詳細 ]
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