晶圓 文章 進(jìn)入晶圓技術(shù)社區(qū)
地震對(duì)全球芯片產(chǎn)業(yè)的沖擊
- 今年4月初，中國臺(tái)灣地區(qū)發(fā)生近25年來的最大地震，引發(fā)了全球各行業(yè)的關(guān)注，特別是半導(dǎo)體行業(yè)，甚至有媒體發(fā)文稱：全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈抖音臺(tái)灣地震而亮起紅燈。為什么這么說呢？我們知道，全球最大的半導(dǎo)體代工廠臺(tái)積電就位于臺(tái)灣省，其向世界各大半導(dǎo)體公司供貨，特別是蘋果、英偉達(dá)和高通等頭部公司，如果負(fù)責(zé)全球半導(dǎo)體代工產(chǎn)量近七成的臺(tái)灣生產(chǎn)線出現(xiàn)問題，那么不排除全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈崩潰的可能性。目前評(píng)估結(jié)果顯示，此次強(qiáng)震對(duì)臺(tái)積電核心代工生產(chǎn)設(shè)施和DRAM（一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器）生產(chǎn)線未造成嚴(yán)重影響，讓外界稍稍松了口氣。但有分析認(rèn)為
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2026年，中國大陸IC晶圓產(chǎn)能將躍居全球第一
- 根據(jù)Knometa Research的數(shù)據(jù)顯示，2026年，中國大陸將超越韓國和中國臺(tái)灣，成為IC晶圓產(chǎn)能的領(lǐng)先地區(qū)，而歐洲的份額將繼續(xù)下降。中國大陸一直在領(lǐng)先優(yōu)勢的芯片制造能力上進(jìn)行大量投資，并將從除美洲以外的所有其他地區(qū)獲取市場份額。此外，KnometaResearch預(yù)計(jì)，2024年全球IC晶圓產(chǎn)能年增長率為4.5%，2025年和2026年增長率分別為8.2%和8.9%。截至2023年底，中國大陸在全球晶圓月產(chǎn)能中的份額為19.1%，落后韓國和中國臺(tái)灣幾個(gè)百分點(diǎn)。預(yù)計(jì)到2025年，中國大陸的產(chǎn)能份額
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臺(tái)積電3月份營收超過60億美元 同比增長34%
- 4月10日，臺(tái)積電公布的2024年3月營收?qǐng)?bào)告顯示，合并營業(yè)收入約為1952.11億新臺(tái)幣（折合約61.05億美元），環(huán)比增長7.5%，同比增長34.3%，同比增長率是時(shí)隔15個(gè)月再次超過30%，上一次還是2022年的11月份，那一個(gè)月他們營收2227.06億新臺(tái)幣，同比增長50.2%。（2022年也是臺(tái)積電營收高漲的一年，全年?duì)I收同比大增42.6%，最高的一個(gè)月同比增長65.3%，最低的一個(gè)月也有18.5%，有5個(gè)月的營收同比增長超過50%。）公布的數(shù)據(jù)顯示，一季度營收約為新臺(tái)幣5926.44億元（折合
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晶合集成5000萬像素BSI量產(chǎn)
- 繼90納米CIS和55納米堆棧式CIS實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)之后，晶合集成CIS再添新產(chǎn)品。近期，晶合集成55納米單芯片、高像素背照式圖像傳感器（BSI）迎來批量量產(chǎn)，極大賦能智能手機(jī)的不同應(yīng)用場景,實(shí)現(xiàn)由中低端向中高端應(yīng)用跨越式邁進(jìn)。晶合集成規(guī)劃CIS產(chǎn)能將在今年內(nèi)迎來倍速增長，出貨量占比將顯著提升, 成為顯示驅(qū)動(dòng)芯片之外的第二大產(chǎn)品主軸。近年來，5000萬像素CIS已在智能手機(jī)配置上加速滲透。晶合集成與國內(nèi)設(shè)計(jì)公司合作，基于自主研發(fā)的55納米工藝平臺(tái)，使用背照式工藝技術(shù)復(fù)合式金屬柵欄，不僅提升了產(chǎn)品進(jìn)光量，還兼具高
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臺(tái)積電：設(shè)備復(fù)原率已超70%，主要機(jī)臺(tái)皆無受損情況
- 據(jù)多方媒體報(bào)道，近日，中國臺(tái)灣地區(qū)花蓮縣發(fā)生多次地震，其中最大震級(jí)為7.3級(jí)。對(duì)于地震所造成影響，臺(tái)積電對(duì)媒體表示，臺(tái)積公司在臺(tái)灣的晶圓廠工安系統(tǒng)正常，為確保人員安全，據(jù)公司內(nèi)部程序啟動(dòng)相關(guān)預(yù)防措施，部分廠區(qū)在第一時(shí)間進(jìn)行疏散，人員皆平安并在確認(rèn)安全后回到工作崗位。雖然部分廠區(qū)的少數(shù)設(shè)備受損并影響部分產(chǎn)線生產(chǎn)，主要機(jī)臺(tái)包含所有極紫外（EUV）光刻設(shè)備皆無受損。臺(tái)積電還表示，在地震發(fā)生后10小時(shí)內(nèi)，晶圓廠設(shè)備的復(fù)原率已超過70%，新建的晶圓廠（如晶圓十八廠）的復(fù)原率更已超過80％。目前正與客戶保持密切溝通，
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2027年300mm晶圓廠設(shè)備支出可望達(dá)1370億美元新高
- 近日，SEMI發(fā)布《300mm晶圓廠2027年展望報(bào)告(300mm Fab Outlook Report to 2027) 》指出，由于內(nèi)存市場復(fù)蘇以及對(duì)高效能運(yùn)算和汽車應(yīng)用的強(qiáng)勁需求，全球用于前端設(shè)施的300mm晶圓廠設(shè)備支出預(yù)估在2025年首次突破1000億美元，到2027年將達(dá)到1370億美元的歷史新高。全球300mm晶圓廠設(shè)備投資預(yù)計(jì)將在2025年成長20%至1165億美元，2026年將成長12%至1305億美元，將在2027年創(chuàng)下歷史新高。SEMI總裁兼首席執(zhí)行官Ajit Manoch
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英國首座12英寸晶圓廠啟用
- 近日，英國半導(dǎo)體公司Pragmatic Semiconductor正式啟用其位于達(dá)勒姆（Durham）的最新工廠。該公司表示，這是英國首個(gè)生產(chǎn)300毫米半導(dǎo)體芯片的工廠。Pragmatic Park預(yù)期將在未來五年內(nèi)創(chuàng)造500個(gè)高技能工作崗位，并加強(qiáng)英國的科技生態(tài)系統(tǒng)。該公司還聲稱，相較傳統(tǒng)硅芯片生產(chǎn)，該公司的生產(chǎn)過程更環(huán)保，耗能和水量更少，二氧化碳排放也顯著降低。Pragmatic總部設(shè)于英國劍橋，首間工廠位于達(dá)勒姆南部的Sedgefield。Pragmatic的柔性芯片技術(shù)廣泛應(yīng)用于智能封裝，這種于采
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300mm晶圓廠設(shè)備支出明年將首次突破1000億美元
- 全球應(yīng)用于前道工藝的 300mm 晶圓廠設(shè)備投資，預(yù)計(jì)將在 2025 年首次突破 1000 億美元。
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紅外鏡頭SWIR系列在硅晶圓共位貼合技術(shù)中的應(yīng)用
- 硅晶圓共位貼合如有圖所示是一種用于半導(dǎo)體芯片精密對(duì)準(zhǔn)和鍵合到基板上的先進(jìn)技術(shù)，該技術(shù)利用短波紅外 (SWIR) 光實(shí)現(xiàn)高精度定位和高效鍵合。目前常見的芯片貼合工藝芯片對(duì)芯片 (CoC)：將芯片直接粘合到其他芯片上，可通過焊接、粘合劑或直接鍵合等方式實(shí)現(xiàn)；芯片對(duì)晶圓 (CoW)：將芯片粘合到晶圓上，類似于CoC，但晶圓比芯片大得多。CoW常用于創(chuàng)建堆疊芯片，可提升性能或功能；晶圓對(duì)晶圓 (WoW)：將晶圓直接粘合到其他晶圓上，是最復(fù)雜的工藝，用于創(chuàng)建三維集成電路 (3
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ASML前CTO，加入ASM
- 近日，ASM International NV（ASM）宣布提名Martin van den Brink為其監(jiān)事會(huì)成員。Martin van den Brink的任命將于5月13日提交給年度股東大會(huì)。據(jù)介紹，1984年，Martin van den Brink以工程師身份加入當(dāng)時(shí)新成立的ASML，并于1995年成為技術(shù)副總裁（CTO）。1999年，他被任命為ASML管理委員會(huì)成員，2013年，他被任命為首席技術(shù)官。在擔(dān)任公司領(lǐng)導(dǎo)期間，他是推動(dòng)ASML發(fā)展和技術(shù)創(chuàng)新的關(guān)鍵，這些創(chuàng)新幫助塑造了整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)。
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瘋狂的碳化硅，國內(nèi)狂追！
- 近幾日，英飛凌在碳化硅合作與汽車半導(dǎo)體方面合作動(dòng)態(tài)頻頻，再度引起業(yè)界對(duì)碳化硅材料關(guān)注。1月23日，英飛凌與Wolfspeed宣布擴(kuò)大并延伸現(xiàn)有的長期150mm碳化硅晶圓供應(yīng)協(xié)議（原先的協(xié)議簽定于2018年2月）。延伸后的合作將包括一個(gè)多年期產(chǎn)能預(yù)留協(xié)議。這將有助于保證英飛凌整個(gè)供應(yīng)鏈的穩(wěn)定，同時(shí)滿足汽車、太陽能、電動(dòng)汽車充電應(yīng)用、儲(chǔ)能系統(tǒng)等領(lǐng)域?qū)τ谔蓟璋雽?dǎo)體不斷增長的需求。據(jù)英飛凌科技首席執(zhí)行官 JochenHanebeck 消息，為了滿足不斷增長的碳化硅器件需求，英飛凌正在落實(shí)一項(xiàng)多供應(yīng)商戰(zhàn)略，從而在
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英飛凌與Wolfspeed延長多年期碳化硅150mm晶圓供應(yīng)協(xié)議
- 據(jù)外媒，1月23日，英飛凌與美國半導(dǎo)體制造商Wolfspeed發(fā)布聲明，宣布擴(kuò)大并延長雙方2018年2月簽署的現(xiàn)有150mm碳化硅晶圓長期供應(yīng)協(xié)議。根據(jù)聲明，雙方延長的的合作關(guān)系中包括一項(xiàng)多年期產(chǎn)能預(yù)留協(xié)議。新協(xié)議有助于提高英飛凌總體供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性，同時(shí)滿足汽車、太陽能和電動(dòng)汽車應(yīng)用以及儲(chǔ)能系統(tǒng)對(duì)碳化硅晶圓產(chǎn)品日益增長的需求。英飛凌科技首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck表示，希望在全球范圍內(nèi)保障對(duì)于150mm和200mm碳化硅晶圓的高品質(zhì)、長期供應(yīng)優(yōu)質(zhì)貨源。
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SiC生長過程及各步驟造成的缺陷
- 眾所周知，提高 SiC 晶圓質(zhì)量對(duì)制造商來說非常重要，因?yàn)樗苯記Q定了 SiC 器件的性能，從而決定了生產(chǎn)成本。然而，具有低缺陷密度的 SiC 晶圓的生長仍然非常具有挑戰(zhàn)性。SiC 晶圓制造的發(fā)展已經(jīng)完成了從100毫米（4英寸）到150毫米（6英寸）晶圓的艱難過渡，正在向8英寸邁進(jìn)。SiC 需要在高溫環(huán)境下生長，同時(shí)具有高剛性和化學(xué)穩(wěn)定性，這導(dǎo)致生長的 SiC 晶片中晶體和表面缺陷的密度很高，導(dǎo)致襯底質(zhì)量和隨后制造的外延層質(zhì)量差?。本篇文章主要總結(jié)了?SiC 生長過程及各步驟造成的缺陷
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英飛凌已與碳化硅 (SiC) 供應(yīng)商 SK Siltron CSS 達(dá)成協(xié)議
- 據(jù)英飛凌官網(wǎng)消息，近日，英飛凌已與碳化硅 (SiC) 供應(yīng)商 SK Siltron CSS 正式達(dá)成協(xié)議。據(jù)悉，SK Siltron CSS將為英飛凌提供具有競爭力的高質(zhì)量150mm SiC晶圓，支持SiC半導(dǎo)體的生產(chǎn)。在后續(xù)階段，SK Siltron CSS將在協(xié)助英飛凌向200 mm 晶圓直徑過渡方面發(fā)揮重要作用。據(jù)了解，英飛凌首席采購官 Angelique van der Burg 表示：“對(duì)于英飛凌來說，供應(yīng)鏈彈性意味著實(shí)施多供應(yīng)商戰(zhàn)略，并在逆境中蓬勃發(fā)展，創(chuàng)造新的增長機(jī)會(huì)并推
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SEMI報(bào)告：2024年全球半導(dǎo)體產(chǎn)能預(yù)計(jì)將達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的每月3000萬片晶圓
- 美國加州時(shí)間2024年1月2日， SEMI在其最新的季度《世界晶圓廠預(yù)測報(bào)告》World Fab Forecast中宣布，全球半導(dǎo)體每月晶圓（WPM）產(chǎn)能在2023年增長5.5%至2960萬片后，預(yù)計(jì)2024年將增長6.4%，首次突破每月3000萬片大關(guān)（以200mm當(dāng)量計(jì)算）。2024年的增長將由前沿邏輯和代工、包括生成式人工智能和高性能計(jì)算（HPC）在內(nèi)的應(yīng)用的產(chǎn)能增長以及芯片終端需求的復(fù)蘇推動(dòng)。由于半導(dǎo)體市場需求疲軟以及由此產(chǎn)生的庫存調(diào)整，2023年產(chǎn)能擴(kuò)張放緩。SEMI總裁兼首席執(zhí)行官Ajit M
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晶圓介紹
晶圓 晶圓是指硅半導(dǎo)體積體電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)99.999999999%。晶圓制造廠再將此多晶硅融解，再于融液里種入籽晶，然后將其慢慢拉出，以形成圓柱狀的單晶硅 [ 查看詳細(xì) ]
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