碳化硅（sic）文章進(jìn)入碳化硅（sic）技術(shù)社區(qū)

英飛凌與Resonac于碳化硅材料領(lǐng)域展開多年期供應(yīng)及合作協(xié)議

英飛凌科技與其碳化硅 (SiC) 供貨商擴(kuò)展合作關(guān)系，宣布與 Resonac (前身為昭和電工) 簽訂多年期供應(yīng)及合作協(xié)議，以補(bǔ)充并擴(kuò)展雙方在 2021年的協(xié)議。新合約將深化雙方在 SiC 材料的長期合作，根據(jù)合約內(nèi)容，Resonac將供應(yīng)英飛凌未來10年預(yù)估需求量中雙位數(shù)份額的SiC半導(dǎo)體。英飛凌工業(yè)電源控制事業(yè)部總裁 Peter WawerResonac將先供應(yīng)6吋的SiC晶圓，并將于合約期間支持過渡至 8 吋晶圓，英飛凌亦將提供 Resonac 關(guān)于 SiC 材料技術(shù)的智財 (IP)。雙
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碳化硅MOSFET尖峰的抑制

SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體具有擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢，在各種各樣的電源應(yīng)用范圍在迅速地擴(kuò)大。其中一個主要原因是與以前的功率半導(dǎo)體相比，SiC MOSFET 使得高速開關(guān)動作成為可能。但是，由于開關(guān)的時候電壓和電流的急劇變化，器件的封裝電感和周邊電路的布線電感影響變得無法忽視，導(dǎo)致漏極源極之間會有很大的電壓尖峰。這個尖峰不可以超過使用的MOSFET 的最大規(guī)格，那就必須抑制尖峰。MOS_DS電壓尖峰產(chǎn)生的原因在半橋電路中，針對MOS漏極和源極產(chǎn)生的尖峰抑制
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安森美的EliteSiC碳化硅系列方案帶來領(lǐng)先業(yè)界的高能效

2023年1月4日 — 領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達(dá)克股票代號：ON)，宣布將其碳化硅(SiC)系列命名為“EliteSiC”。在本周美國拉斯維加斯消費(fèi)電子展覽會(CES)上，安森美將展示EliteSiC 系列的3款新成員：一款1700 V EliteSiC MOSFET和兩款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二極管。這些新的器件為能源基礎(chǔ)設(shè)施和工業(yè)驅(qū)動應(yīng)用提供可靠、高能效的性能，并突顯安森美在工業(yè)碳化硅方案領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者地位。安森美的1700 V EliteSiC M
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簡述碳化硅SIC器件在工業(yè)應(yīng)用中的重要作用

電力電子轉(zhuǎn)換器在快速發(fā)展的工業(yè)格局中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。它們的應(yīng)用正在增加，并且在眾多新技術(shù)中發(fā)揮著核心作用，包括電動汽車、牽引系統(tǒng)、太空探索任務(wù)、深層石油開采系統(tǒng)、飛機(jī)系統(tǒng)等領(lǐng)域的進(jìn)步。電力電子轉(zhuǎn)換器在快速發(fā)展的工業(yè)格局中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。它們的應(yīng)用正在增加，并且在眾多新技術(shù)中發(fā)揮著核心作用，包括電動汽車、牽引系統(tǒng)、太空探索任務(wù)、深層石油開采系統(tǒng)、飛機(jī)系統(tǒng)等領(lǐng)域的進(jìn)步。電力電子電路不斷發(fā)展以實現(xiàn)更高的效率，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）和金屬氧化物場效應(yīng)晶體管（MOSFET）等電力電子設(shè)備為令人興奮
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羅姆的第 4 代SiC MOSFET成功應(yīng)用于日立安斯泰莫的純電動汽車逆變器

全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）的第4代SiC MOSFET和柵極驅(qū)動器IC已被日本先進(jìn)的汽車零部件制造商日立安斯泰莫株式會社（以下簡稱“日立安斯泰莫”）用于其純電動汽車（以下簡稱“EV”）的逆變器。在全球?qū)崿F(xiàn)無碳社會的努力中，汽車的電動化進(jìn)程加速，在這種背景下，開發(fā)更高效、更小型、更輕量的電動動力總成系統(tǒng)已經(jīng)成為必經(jīng)之路。尤其是在EV領(lǐng)域，為了延長續(xù)航里程并減小車載電池的尺寸，提高發(fā)揮驅(qū)動核心作用的逆變器的效率已成為一個重要課題，業(yè)內(nèi)對碳化硅功率元器件寄予厚望。羅姆自2010年
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意法半導(dǎo)體第3代SiC碳化硅功率模塊，這品牌用上了？

現(xiàn)代-起亞集團(tuán)的 E-GMP 純電平臺以 800V 高電壓架構(gòu)、高功率充電備受肯定，原先 E-GMP 平臺在后馬達(dá) Inverter 逆變器的功率模塊(Power Module)就有采用 SiC 碳化硅半導(dǎo)體，成本與轉(zhuǎn)換效率比傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體更高，更能提升續(xù)航。如今瑞士半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics) 日前推出第 3 代的 SiC 碳化硅功率模塊，并確認(rèn) E-GMP 平臺的起亞 EV6 等車款將采用，預(yù)計在動力、續(xù)航都能再升級。E-GMP 平臺，原先已在后馬達(dá)逆變器采用 Si
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轉(zhuǎn)型中的安森美:整合提升智能水平,打造價值導(dǎo)向解決方案

安森美在過去的兩年間通過成功的轉(zhuǎn)型之旅，實現(xiàn)了業(yè)績和利潤的雙豐收。在轉(zhuǎn)型路上公司又有哪些關(guān)鍵技術(shù)和策略的調(diào)整呢？帶著這些問題本刊記者采訪了安森美CEO Hassane El-Khoury。兩大技術(shù)支柱的創(chuàng)新支持和打造可持續(xù)發(fā)展的生態(tài)系統(tǒng)，這是驅(qū)動安森美投資的主要動力，也是企業(yè)職責(zé)所在。
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10分鐘狂充80%電量！東風(fēng)碳化硅功率模塊明年量產(chǎn)裝車

近日消息，從東風(fēng)汽車官方獲悉，東風(fēng)碳化硅功率模塊項目課題已經(jīng)順利完成，將于2023年搭載東風(fēng)自主新能源乘用車，實現(xiàn)量產(chǎn)。IGBT行業(yè)的門檻非常高，除了芯片的設(shè)計和生產(chǎn)，IGBT模塊封裝測試的開發(fā)和生產(chǎn)等環(huán)節(jié)同樣有著非常高的技術(shù)要求和工藝要求，作為IGBT模塊的升級產(chǎn)品、第三代半導(dǎo)體，碳化硅功率模塊有著更低損耗、更高效率、更耐高溫和高電壓的特性。該模塊能推動新能源汽車電氣架構(gòu)從400V到800V的迭代，從而實現(xiàn)10分鐘充電80%，并進(jìn)一步提升車輛續(xù)航里程，降低整車成本。同時，總投資2.8億元的功率模塊二期項
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國星光電 NS62m 碳化硅功率模塊上線：可用于傳統(tǒng)工控、儲能逆變、充電樁等

IT之家 12 月 12 日消息，國星光電研究院基于寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅技術(shù)，全新推出“NS62m SiC MOSFET 功率模塊新品”，可應(yīng)用于傳統(tǒng)工控、儲能逆變、UPS、充電樁、軌道交通和其他功率變換領(lǐng)域。面向儲能逆變器市場，國星光電 NS62m 功率模塊新品依托 SiC MOSFET 芯片的性能，提高了功率模塊的電流密度以及開關(guān)頻率，降低了開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，減少了無源器件的使用和冷卻裝置的尺寸，最終達(dá)到降低系統(tǒng)成本、提升系統(tǒng)效率的目的。國星光電 NS62m 功率模塊采用標(biāo)準(zhǔn)型封裝，半橋拓?fù)?/li>
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純電動捷豹 I-TYPE 6 賽車重磅發(fā)布，搭載先進(jìn) Wolfspeed 碳化硅技術(shù)

2022年12月5日，英國倫敦、美國北卡羅來納州達(dá)勒姆市與中國上海市訊 — 全球碳化硅（SiC）技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed, Inc.（NYSE: WOLF）宣布為捷豹 TCS 車隊近日重磅發(fā)布的捷豹 I-TYPE 6 賽車提供功率半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)品的全方位支持。全新I-TYPE 6賽車專為 2023 年度 ABB 國際汽聯(lián)電動方程式世界錦標(biāo)賽 Formula E（以下簡稱：Formula E）設(shè)計、研發(fā)打造，標(biāo)志著 Formula E 賽事正式邁入第三代（Gen3）賽車新時代。
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宇宙輻射對OBC/DCDC中高壓SiC/Si器件的影響及評估

汽車行業(yè)發(fā)展創(chuàng)新突飛猛進(jìn)，車載充電器（OBC）與DCDC轉(zhuǎn)換器（HV-LV DCDC）的應(yīng)用因此也迅猛發(fā)展，同應(yīng)對大多數(shù)工程挑戰(zhàn)一樣，設(shè)計人員把目光投向先進(jìn)技術(shù)，以期利用現(xiàn)代超結(jié)硅（Super Junction Si）技術(shù)以及碳化硅（SiC）技術(shù)來提供解決方案。在追求性能的同時，對于車載產(chǎn)品來說，可靠性也是一個重要的話題。在車載OBC/DCDC應(yīng)用中，高壓功率半導(dǎo)體器件用的越來越多。對于汽車級高壓半導(dǎo)體功率器件來說，門極氧化層的魯棒性和宇宙輻射魯棒性是可靠性非常重要的兩點(diǎn)。宇宙輻射很少被提及，但事實是無論
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日本電子巨頭羅姆將量產(chǎn)下一代半導(dǎo)體：提高用電效率、增加電動車?yán)m(xù)航里程

據(jù)日本共同社日前報道，日本電子零部件巨頭羅姆（ROHM）將于今年12月量產(chǎn)下一代功率半導(dǎo)體，以碳化硅（SiC）為原材料。據(jù)悉，羅姆花費(fèi)約20年推進(jìn)研發(fā)碳化硅半導(dǎo)體。新一代半導(dǎo)體可讓可提高機(jī)器運(yùn)轉(zhuǎn)的用電效率，若裝在純電動汽車上，續(xù)航里程可提升一成，電池體積也可更小。據(jù)悉，羅姆將在福岡縣筑后市工廠今年開設(shè)的碳化硅功率半導(dǎo)體專用廠房實施量產(chǎn)，還計劃為增產(chǎn)投資最多2200億日元（約合人民幣114億元），并將2025年度的碳化硅銷售額上調(diào)至1100億日元。公開資料顯示，碳化硅具備
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通過轉(zhuǎn)向1700V SiC MOSFET，無需考慮功率轉(zhuǎn)換中的權(quán)衡問題

高壓功率系統(tǒng)設(shè)計人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對持續(xù)創(chuàng)新的需求。基于硅的解決方案在效率和可靠性方面通常無法兼得，也不能滿足如今在尺寸、重量和成本方面極具挑戰(zhàn)性的要求。不過，隨著高壓碳化硅（SiC）MOSFET的推出，設(shè)計人員現(xiàn)在有機(jī)會在提高性能的同時，應(yīng)對所有其他挑戰(zhàn)。在過去20年間，額定電壓介于650V至1200V的SiC功率器件的采用率越來越高，如今的1700V SiC產(chǎn)品便是在其成功的基礎(chǔ)上打造而成。技術(shù)的進(jìn)步推動終端設(shè)備取得了極大的發(fā)展；如今，隨著額定電壓為1700V的功率器件的推出，
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以碳化硅技術(shù)牽引逆變器延展電動車行駛里程

目前影響著車輛運(yùn)輸和半導(dǎo)體技術(shù)的未來有兩大因素。業(yè)界正在采用令人振奮的新方法，即以潔凈的能源驅(qū)動我們的汽車，同時重新設(shè)計支撐電動車（EV）子系統(tǒng)的半導(dǎo)體材料，大幅提升功效比，進(jìn)而增加電動車的行駛里程。政府監(jiān)管機(jī)構(gòu)持續(xù)要求汽車OEM減少其車系的整體二氧化碳排放量，對于違規(guī)行為給予嚴(yán)厲的處罰，同時開始沿著道路和停車區(qū)域增設(shè)電動車充電基礎(chǔ)設(shè)施。但是，盡管取得了這些進(jìn)展，主流消費(fèi)者仍然對電動車的行駛里程存有疑慮，使電動車的推廣受到阻力。更復(fù)雜的是，大尺寸的電動車電池雖然可以增加其行駛里程，緩解消費(fèi)者關(guān)于行駛里程的
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安森美：聚焦SiC產(chǎn)能擴(kuò)建，推出最新MOSFET產(chǎn)品

近日，安森美公布了2022年第三季度業(yè)績，其三季度業(yè)績直線上揚(yáng)，總營收21.93億美元，同比增長25.86%；毛利10.58億美元，同比增長46.82%。財報數(shù)據(jù)顯示，其三大業(yè)務(wù)中，智能電源組營收為11.16億美元，同比增長25.1%；高級解決方案組營收7.34億美元，同比增長19.7%；智能感知組營收為3.42億美元，同比增長44.7%，三大業(yè)務(wù)全線保持增長。自安森美總裁兼首席執(zhí)行官Hassane El-Khoury加入安森美后，安森美執(zhí)行了一系列的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型，聚焦于智能電源和智能感知兩大領(lǐng)域，從傳統(tǒng)的I
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