EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
碳化硅(sic)
碳化硅(sic) 文章 進(jìn)入碳化硅(sic)技術(shù)社區(qū)
特斯拉要削減碳化硅使用量,相關(guān)芯片制造商股價(jià)應(yīng)聲下跌
- 3 月 3 日消息,美國(guó)電動(dòng)汽車制造商特斯拉在首次投資者日活動(dòng)上表示,計(jì)劃減少下一代電動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)中碳化硅晶體管的使用量,當(dāng)?shù)貢r(shí)間周四相關(guān)芯片制造商的股價(jià)紛紛下跌。本周三舉行的特斯拉投資者日活動(dòng)討論的一個(gè)主要內(nèi)容是效率提升和成本控制。特斯拉動(dòng)力系統(tǒng)工程負(fù)責(zé)人科林?坎貝爾(Colin Campbell)登臺(tái)展示了公司計(jì)劃如何在保持高性能和轉(zhuǎn)化效率的同時(shí)降低汽車動(dòng)力系統(tǒng)的成本。坎貝爾透露,“在我們的下一代動(dòng)力系統(tǒng)中,作為關(guān)鍵部件的碳化硅晶體管價(jià)格昂貴,但我們找到了一種方法,可以在不影響汽車性能或效率的情況下
- 關(guān)鍵字: 特斯拉 碳化硅
5大重要技巧讓您利用 SiC 實(shí)現(xiàn)高能效電力電子產(chǎn)品!
- 當(dāng)您設(shè)計(jì)新電力電子產(chǎn)品時(shí),您的目標(biāo)任務(wù)一年比一年更艱巨。高效率是首要要求,但以更小的尺寸和更低的成本提供更高的功率是另一個(gè)必須實(shí)現(xiàn)的特性。SiC MOSFET 是一種能夠滿足這些目標(biāo)的解決方案。以下重要技巧旨在幫助您創(chuàng)建基于 SiC 半導(dǎo)體的開關(guān)電源,其應(yīng)用領(lǐng)域包括光伏系統(tǒng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車 (EV) 充電站等。為何選擇 SiC?為了證明您選擇 SiC 作為開關(guān)模式設(shè)計(jì)的首選功率半導(dǎo)體是正確的,請(qǐng)考慮以下突出的特性。與標(biāo)準(zhǔn)或超級(jí)結(jié) MOSFET 甚至 IGBT 相比,SiC 器件可以在更高的電壓、更高的
- 關(guān)鍵字: 安森美 SiC
碳化硅如何革新電氣化趨勢(shì)
- 在相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)間內(nèi),硅一直是世界各地電力電子轉(zhuǎn)換器所用器件的首選半導(dǎo)體材料,但 1891 年碳化硅 (SiC) 的出現(xiàn)帶來(lái)了一種替代材料,它能減輕對(duì)硅的依賴。SiC 是寬禁帶 (WBG) 半導(dǎo)體:將電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量更高,并且這種寬禁帶具備優(yōu)于標(biāo)準(zhǔn)硅基器件的多種優(yōu)勢(shì)。由于漏電流更小且?guī)陡螅骷梢栽诟鼘挼臏囟确秶鷥?nèi)工作,而不會(huì)發(fā)生故障或降低效率。它還具有化學(xué)惰性,所有這些優(yōu)點(diǎn)進(jìn)一步鞏固了 SiC 在電力電子領(lǐng)域的重要性,并促成了它的快速普及。SiC 功率器件目前已廣泛用于眾多應(yīng)用,例如電源、純
- 關(guān)鍵字: 安森美 碳化硅
英飛凌與Resonac擴(kuò)大合作范圍,簽署多年期碳化硅(SiC)材料供應(yīng)協(xié)議
- 日前,英飛凌科技繼續(xù)擴(kuò)大了與碳化硅(SiC)供應(yīng)商的合作。英飛凌是一家總部位于德國(guó)的半導(dǎo)體制造商,此次與Resonac Corporation(原昭和電工)簽署了全新的多年期供應(yīng)和合作協(xié)議。早在2021年,雙方就曾簽署合作協(xié)議,此次的合作是在該基礎(chǔ)上的進(jìn)一步豐富和擴(kuò)展,將深化雙方在SiC材料領(lǐng)域的長(zhǎng)期合作伙伴關(guān)系。協(xié)議顯示,英飛凌未來(lái)十年用于生產(chǎn)SiC半導(dǎo)體的SiC材料中,約占兩位數(shù)份額將由Resonac供給。前期,Resonac將主要供應(yīng)6英寸SiC材料,協(xié)議后期則會(huì)助力英飛凌向8英寸晶圓的過(guò)渡。合作過(guò)
- 關(guān)鍵字: 英飛凌 碳化硅
英飛凌與Resonac擴(kuò)大合作范圍,簽署多年期碳化硅(SiC)材料供應(yīng)協(xié)議
- 英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)持續(xù)擴(kuò)大與碳化硅(SiC)供應(yīng)商的合作。英飛凌是一家總部位于德國(guó)的半導(dǎo)體制造商,此次與Resonac Corporation(原昭和電工)簽署了全新的多年期供應(yīng)和合作協(xié)議。早在2021年,雙方就曾簽署合作協(xié)議,此次的合作是在該基礎(chǔ)上的進(jìn)一步豐富和擴(kuò)展,將深化雙方在SiC材料領(lǐng)域的長(zhǎng)期合作伙伴關(guān)系。協(xié)議顯示,英飛凌未來(lái)十年用于生產(chǎn)SiC半導(dǎo)體的SiC材料中,約占兩位數(shù)份額將由Resonac供給。前期,Resonac將主要供應(yīng)6英寸SiC
- 關(guān)鍵字: 英飛凌 Resonac 碳化硅 SiC
是什么使SiC成為組串式逆變器的完美解決方案
- 與硅技術(shù)相比,SiC MOSFET在光伏和儲(chǔ)能應(yīng)用中具有明顯的優(yōu)勢(shì),它解決了能效與成本的迫切需求,特別是在需要雙向功率轉(zhuǎn)換的時(shí)候。易于安裝是大功率光伏組串式逆變器的關(guān)鍵特征之一。如果只需要兩個(gè)工人來(lái)搬運(yùn)和安裝該系統(tǒng),將會(huì)非常利于運(yùn)維。因此,尺寸和重量非常重要。最新一代的碳化硅半導(dǎo)體使電力轉(zhuǎn)換效率大幅提高。這不僅節(jié)省了能源,而且使設(shè)備更小、更輕,相關(guān)的資本、安裝和維護(hù)成本更低。關(guān)鍵的應(yīng)用要求及其挑戰(zhàn)。在光伏和儲(chǔ)能系統(tǒng)中,1500V的高系統(tǒng)電壓要求宇宙輻射引起的故障率非常低,同時(shí)要求功率器件具有更高的系統(tǒng)效率
- 關(guān)鍵字: 英飛凌 SiC 逆變器
Diodes公司發(fā)表首款碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)
- Diodes 公司?(Diodes)近日宣布推出首款碳化硅?(SiC) 蕭特基勢(shì)壘二極管?(SBD)。產(chǎn)品組合包含?DIODES DSCxxA065系列,共有十一項(xiàng)?650V 額定電壓?(4A、6A、8A 和?10A) 的產(chǎn)品,以及?DIODES DSCxx120系列,共有八款?1200V 額定電壓?(2A、5A 和?10A) 產(chǎn)品。這些寬帶隙?SBD 的優(yōu)點(diǎn)包括可大幅提高效率和高溫可靠
- 關(guān)鍵字: Diodes 碳化硅 肖特基勢(shì)壘二極管 SBD
高壓SiC MOSFET研究現(xiàn)狀與展望
- 碳化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)作為寬禁帶半導(dǎo)體單極型功率 器件,具有頻率高、耐壓高、效率高等優(yōu)勢(shì),在高壓應(yīng)用領(lǐng)域需求廣泛,具有巨大的研究?jī)r(jià)值。回顧了高壓 SiC MOSFET 器件的發(fā)展歷程和前沿技術(shù)進(jìn)展,總結(jié)了進(jìn)一步提高器件品質(zhì)因數(shù)的元胞優(yōu)化結(jié)構(gòu),介紹了針對(duì)高壓器件的幾種終端結(jié)構(gòu)及其發(fā)展現(xiàn)狀,對(duì)高壓 SiC MOSFET 器件存在的瓶頸和挑戰(zhàn)進(jìn)行了討論。1 引言電力電子變換已經(jīng)逐步進(jìn)入高壓、特高壓領(lǐng)域,高壓功率器件是制約變換器體積、功耗和效率的決定性因素。特高壓交直流輸電、
- 關(guān)鍵字: SiC MOSFET
Wolfspeed與采埃孚建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,共同發(fā)展未來(lái)碳化硅半導(dǎo)體項(xiàng)目
- ●? ?Wolfspeed 將與采埃孚在德國(guó)建立聯(lián)合研發(fā)中心,旨在進(jìn)一步提升在全球碳化硅系統(tǒng)和器件創(chuàng)新領(lǐng)域的領(lǐng)先地位?!? ?采埃孚將向 Wolfspeed 投資,以支持全球最先進(jìn)、最大的碳化硅器件工廠的建設(shè)。全球碳化硅(SiC)技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed, Inc.和與致力于打造下一代出行的全球性技術(shù)公司采埃孚集團(tuán)宣布建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。這其中包括建立一座聯(lián)合創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室,共同推動(dòng)碳化硅系統(tǒng)和器件技術(shù)在出行、工業(yè)和能源應(yīng)用領(lǐng)域的進(jìn)步。此次合作還包括采埃孚將向
- 關(guān)鍵字: Wolfspeed 采埃孚 碳化硅
特斯拉 Model3 搭載 SiC,寬禁帶半導(dǎo)體迎來(lái)爆發(fā)
- 去年 11 月底,特斯拉 Model 3 新款開售,其產(chǎn)品設(shè)計(jì)和功能變化都引起了外界關(guān)注。在特斯拉 Model 3 車型中,SiC 得到量產(chǎn)應(yīng)用,這吸引了全球汽車廠商的目光。搭載 SiC 芯片的智能電動(dòng)汽車,可提高續(xù)航里程,對(duì)突破現(xiàn)有電池能耗與控制系統(tǒng)上瓶頸,乃至整個(gè)新能源汽車行業(yè)都有重要意義。目前,業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為以 SiC 為代表的寬禁帶半導(dǎo)體將成為下一代半導(dǎo)體主要材料,那么寬禁帶半導(dǎo)體當(dāng)前發(fā)展?fàn)顩r如何?國(guó)內(nèi)外發(fā)展寬禁帶半導(dǎo)體有哪些區(qū)別?未來(lái)發(fā)展面臨著哪些挑戰(zhàn)?01、特斯拉 Model 3 首批
- 關(guān)鍵字: 特斯拉 Model 3 SiC
瑞薩電子推出新型柵極驅(qū)動(dòng)IC 用于驅(qū)動(dòng)EV逆變器的IGBT和SiC MOSFET
- 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子(TSE:6723)近日宣布,推出一款全新柵極驅(qū)動(dòng)IC——RAJ2930004AGM,用于驅(qū)動(dòng)電動(dòng)汽車(EV)逆變器的IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和SiC(碳化硅)MOSFET等高壓功率器件。柵極驅(qū)動(dòng)IC作為電動(dòng)汽車逆變器的重要組成部分,在逆變器控制MCU,及向逆變器供電的IGBT和SiC MOSFET間提供接口。它們?cè)诘蛪河蚪邮諄?lái)自MCU的控制信號(hào),并將這些信號(hào)傳遞至高壓域,快速開啟和關(guān)閉功率器件。為適應(yīng)電動(dòng)車輛電池的更高電壓,RAJ2930004AGM內(nèi)置3.75kV
- 關(guān)鍵字: 瑞薩 柵極驅(qū)動(dòng)IC EV逆變器 IGBT SiC MOSFET
安森美與大眾汽車集團(tuán)就下一代電動(dòng)汽車的碳化硅(SiC)技術(shù)達(dá)成戰(zhàn)略協(xié)議,進(jìn)一步鞏固戰(zhàn)略合作關(guān)系
- 2023 年 1 月 30 日—領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)宣布與德國(guó)大眾汽車集團(tuán) (VW)簽署戰(zhàn)略協(xié)議,為大眾汽車集團(tuán)的下一代平臺(tái)系列提供模塊和半導(dǎo)體器件,以實(shí)現(xiàn)完整的電動(dòng)汽車 (EV) 主驅(qū)逆變器解決方案。安森美所提供的半導(dǎo)體將作為整體系統(tǒng)優(yōu)化的一部分,形成能夠支持大眾車型前軸和后軸主驅(qū)逆變器的解決方案。?安森美將首先交付其 EliteSiC 1200 V 主驅(qū)逆變器電源模塊,作為協(xié)議的一部分。EliteSiC 電源模塊具備引腳兼容特性,可
- 關(guān)鍵字: 安森美 大眾汽車集團(tuán) 電動(dòng)汽車 碳化硅 SiC
重視汽車應(yīng)用市場(chǎng) ST持續(xù)加速碳化硅擴(kuò)產(chǎn)
- 意法半導(dǎo)體(ST)是一家擁有非常廣泛產(chǎn)品組合的半導(dǎo)體公司,尤其汽車更是ST非常重視的市場(chǎng)之一。 意法半導(dǎo)體車用和離散組件產(chǎn)品部策略業(yè)務(wù)開發(fā)負(fù)責(zé)人Luca SARICA指出,2022年車用和離散組件產(chǎn)品部(ADG)占了ST總營(yíng)收的30%以上。ST在2021年的營(yíng)收達(dá)到43.5億美元,而若與2022年相比,車用產(chǎn)品部門與功率和離散組件部門的營(yíng)收增幅都相當(dāng)顯著,達(dá)30%以上。車用和離散組件產(chǎn)品部擁有意法半導(dǎo)體大部分的車用產(chǎn)品,非常全面性的產(chǎn)品組合能夠支持汽車的所有應(yīng)用。 圖一 : ADG營(yíng)運(yùn)策略ADG
- 關(guān)鍵字: 汽車 ST 碳化硅
英飛凌與Resonac于碳化硅材料領(lǐng)域展開多年期供應(yīng)及合作協(xié)議
- 英飛凌科技與其碳化硅 (SiC) 供貨商擴(kuò)展合作關(guān)系,宣布與 Resonac (前身為昭和電工) 簽訂多年期供應(yīng)及合作協(xié)議,以補(bǔ)充并擴(kuò)展雙方在 2021年的協(xié)議。新合約將深化雙方在 SiC 材料的長(zhǎng)期合作,根據(jù)合約內(nèi)容,Resonac將供應(yīng)英飛凌未來(lái)10年預(yù)估需求量中雙位數(shù)份額的SiC半導(dǎo)體。 英飛凌工業(yè)電源控制事業(yè)部總裁 Peter WawerResonac將先供應(yīng)6吋的SiC晶圓,并將于合約期間支持過(guò)渡至 8 吋晶圓,英飛凌亦將提供 Resonac 關(guān)于 SiC 材料技術(shù)的智財(cái) (IP)。雙
- 關(guān)鍵字: 英飛凌 Resonac 碳化硅
碳化硅(sic)介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條碳化硅(sic)!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)碳化硅(sic)的理解,并與今后在此搜索碳化硅(sic)的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)碳化硅(sic)的理解,并與今后在此搜索碳化硅(sic)的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473