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          碳化硅(sic) 文章 進入碳化硅(sic)技術社區(qū)

          仿真看世界之SiC單管并聯(lián)中的寄生導通問題

          • 這篇微信文章,其實構思已久。為了有所鋪墊,已在2020和2021發(fā)布了兩篇基礎篇。2022,讓我們再次聊聊在SiC單管并聯(lián)中的寄生導通問題。這篇微信文章,其實構思已久。為了有所鋪墊,已在2020和2021發(fā)布了兩篇基礎篇:●    2020《仿真看世界之SiC單管的寄生導通現(xiàn)象》●    2021《仿真看世界之SiC MOSFET單管并聯(lián)均流特性》2022,讓我們再次聊聊在SiC單管并聯(lián)中的寄生導通問題。特別提醒:仿真只是工具,仿真無法替代實驗,仿真只供參考。在展開
          • 關鍵字: 英飛凌  SiC  

          安森美的VE-Trac SiC系列為電動車主驅逆變提供高能效、高功率密度和成本優(yōu)勢

          • 雙碳目標正加速推進汽車向電動化發(fā)展,半導體技術的創(chuàng)新助力汽車從燃油車過渡到電動車,新一代半導體材料碳化硅(SiC)因獨特優(yōu)勢將改變電動車的未來,如在關鍵的主驅逆變器中采用SiC可滿足更高功率和更低的能效、更遠續(xù)航、更小損耗和更低的重量,以及向800 V遷移的趨勢中更能發(fā)揮它的優(yōu)勢,但面臨成本、封裝及技術成熟度等多方面挑戰(zhàn)。安森美(onsemi)提供領先的智能電源方案,在SiC領域有著深厚的歷史積淀,是世界上少數(shù)能提供從襯底到模塊的端到端SiC方案供應商之一,其創(chuàng)新的VE TracTM Direct SiC
          • 關鍵字: 安森美  SiC  逆變器  

          CISSOID、NAC和Advanced Conversion三強聯(lián)手開發(fā)高功率密度碳化硅(SiC)逆變器

          • 高溫半導體和功率模塊領域的領導者CISSOID宣布,公司已與NAC Group和Advanced Conversion(為要求嚴苛的應用提供高性能電容器的領導者)開展合作,以提供緊湊且優(yōu)化集成的三相碳化硅(SiC)功率堆棧。該功率堆棧結合了CISSOID的1200V SiC智能功率模塊和Advanced Conversion的6組低ESR/ESL直流支撐(DC-Link)電容器,可進一步與控制器板和液體冷卻器集成,為電機驅動器的高功率密度和高效率SiC逆變器(見下圖)的設計提供完整的硬件和軟件平臺。CIS
          • 關鍵字: CISSOID  SiC  

          安森美豐富的SiC方案解決新一代UPS的設計挑戰(zhàn)

          • 隨著云計算、超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、5G應用和大型設備的不斷發(fā)展,市場對不間斷電源 (UPS)的需求保持高位,且正在往小型化、高容量化、高效化發(fā)展,設計人員面臨如何在性能、能效、尺寸、成本、控制難度之間權衡取舍的挑戰(zhàn),安森美(onsemi)基于新一代半導體材料碳化硅(SiC)的方案,有助于變革性地優(yōu)化UPS設計。安森美是領先的智能電源方案供應商之一,也是全球少數(shù)能提供從襯底到模塊的端到端SiC方案供應商,提供先進的SiC、SiC/Si 混合和 IGBT 模塊技術,以及廣泛的分立器件、門極驅動器等周邊器件,滿足低
          • 關鍵字: 安森美  SiC  

          SiC設計干貨分享(一):SiC MOSFET驅動電壓的分析及探討

          • 隨著制備技術的進步,在需求的不斷拉動下,碳化硅(SiC)器件與模塊的成本逐年降低。相關產(chǎn)品的研發(fā)與應用也得到了極大的加速。尤其在新能源汽車,可再生能源及儲能等應用領域的發(fā)展,更是不容小覷。富昌電子(Future Electronics)一直致力于以專業(yè)的技術服務,為客戶打造個性化的解決方案,并縮短產(chǎn)品設計周期。在第三代半導體的實際應用領域,富昌電子結合自身的技術積累和項目經(jīng)驗,落筆于SiC相關設計的系列文章。希望以此給到大家一定的設計參考,并期待與您進一步的交流。作為系列文章的第一部分,本文將先就SiC
          • 關鍵字: 富昌電子  SiC  MOSFET  

          貿澤備貨UnitedSiC UF4C/SC 1200V第四代SiC FET,為各類電源應用提供更好的支持

          • 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始分銷UnitedSiC(現(xiàn)已被Qorvo?收購)的UF4C和UF4SC 1200V碳化硅 (SiC) FET。作為廣泛的高性能SiC FET系列產(chǎn)品,此第四代器件具有出色的導通電阻特性,適用于主流800V總線架構中的電源解決方案,如電動汽車車載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC-DC太陽能逆變器等應用。?貿澤電子分銷的UF4C/SC SiC FET為設計人員提供了
          • 關鍵字: SiC  FET  

          SiC MOSFET驅動電壓測試結果離譜的六大原因

          • _____開關特性是功率半導體開關器件最重要的特性之一,由器件在開關過程中的驅動電壓、端電壓、端電流表示。一般在進行器件評估時可以采用雙脈沖測試,而在電路設計時直接測量在運行中的變換器上的器件波形,為了得到正確的結論,獲得精準的開關過程波形至關重要。SiC MOSFET相較于 Si MOS 和 IGBT 能夠顯著提高變換器的效率和功率密度,同時還能夠降低系統(tǒng)成本,受到廣大電源工程師的青睞,越來越多的功率變換器采用基于 SiC MOSFET 的方案。SiC MOSFET 與 Si 開關器件的一個重要區(qū)別是它
          • 關鍵字: Tektronix  SiC  MOSFET  

          意法半導體與賽米控合作,在下一代電動汽車驅動系統(tǒng)中集成碳化硅功率技術

          • 服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)近日宣布,為世界排名前列的電源模塊系統(tǒng)廠商賽米控(Semikron)的eMPack?電動汽車電源模塊提供碳化硅(SiC)技術。該供貨協(xié)議是兩家公司為期四年的技術合作開發(fā)成果。采用意法半導體先進的 SiC 功率半導體,雙方致力于在更緊湊的系統(tǒng)中實現(xiàn)卓越的能效,并在性能方面達到行業(yè)標桿。SiC 正迅速成為汽車行業(yè)首選的電動汽車牽引驅動的電源技術,有助于提高行駛里程和可靠性。賽米控最近宣布已獲得一筆價值 1
          • 關鍵字: 意法半導體  賽米控  電動汽車  碳化硅  

          UnitedSiC(現(xiàn)已被Qorvo收購)宣布推出行業(yè)先進的高性能1200V第四代SiC FET

          • 移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?近日宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 場效應晶體管 (FET) 系列,該系列具有出色的導通電阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常適用于主流的 800V 總線架構,這種架構常見于電動汽車車載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC/DC 太陽能逆變器、焊接機、不間斷電源和感應加熱等應用。UnitedSiC/Qorvo 功率器件總工程師 Anup Bhalla 表示:“我們通過
          • 關鍵字: Mentor P  Qorvo  SiC FET  

          UnitedSiC(現(xiàn)已被 Qorvo收購)宣布推出行業(yè)先進的高性能 1200 V第四代SiC FET

          • 移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?近日宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 場效應晶體管 (FET) 系列,該系列具有出色的導通電阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常適用于主流的 800V 總線架構,這種架構常見于電動汽車車載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC/DC 太陽能逆變器、焊接機、不間斷電源和感應加熱等應用。UnitedSiC/Qorvo 功率器件總工程師 Anup Bhalla 表示:“我們通過
          • 關鍵字: SiC  FET  

          瑞能半導體亮相PCIM Europe, 用“芯”加碼實現(xiàn)最佳效率

          • 2022年5月10日-12日,一年一度的PCIM Europe盛大開幕,作為全球領先的功率半導體供應商,瑞能半導體攜SiC?Diodes和SiC?MOSFETs,第三代肖特基二極管G3 SBD、第五代軟恢復二極管 G5 FRD等多款旗艦產(chǎn)品重磅回歸PCIM Europe展會,全方位展示行業(yè)領先的技術、產(chǎn)品應用和解決方案,和諸多業(yè)內伙伴共話智能制造行業(yè)在全球范圍內的可持續(xù)發(fā)展。PCIM Europe即歐洲電力電子系統(tǒng)及元器件展,是電力電子、智能運動、可再生能源和能源管理領域最具影響力的博
          • 關鍵字: SiC  MOSFET  瑞能半導體  PCIM Europe  

          UnitedSiC(現(xiàn)名Qorvo)宣布推出具有業(yè)界出眾品質因數(shù)的1200V第四代SiC FET

          • 2022年5月11日移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中RF解決方案的領先供應商Qorvo宣布推出新一代1200V碳化硅(SiC)場效應晶體管(FET)系列。
          • 關鍵字: UnitedSiC  Qorvo  SiC  碳化硅  場效應管  

          Power Integrations推出汽車級IGBT/SiC模塊驅動器產(chǎn)品系列SCALE EV,為巴士、卡車以及建筑和農用電動汽車提供強大動力

          • 深耕于中高壓逆變器應用門極驅動器技術領域的知名公司Power Integrations近日宣布推出適用于Infineon EconoDUALTM模塊的SCALETM EV系列門極驅動板。新款驅動器同樣適用于原裝、仿制以及其它新的采用SiC的衍生模塊,其應用范圍包括電動汽車、混合動力和燃料電池汽車(包括巴士和卡車)以及建筑、采礦和農用設備的大功率汽車和牽引逆變器。SCALE EV板級門極驅動器內部集成了兩個增強型門極驅動通道、相關供電電源和監(jiān)控遙測電路。新驅動板已通過汽車級認證和ASIL B認證,可實現(xiàn)AS
          • 關鍵字: Power Integrations  IGBT  SiC  模塊驅動器  SCALE EV  PI  

          安森美推全球首款TOLL封裝碳化硅MOSFET 尺寸大幅縮小

          • 安森美(onsemi,美國納斯達克股票代號:ON)在PCIM Europe展會發(fā)布全球首款To-Leadless(TOLL)封裝的碳化硅(SiC)MOSFET。該晶體管滿足了對適合高功率密度設計的高性能開關組件迅速增長的需求。直到最近,SiC組件一直采用明顯需要更大空間的D2PAK 7接腳封裝。TOLL封裝的尺寸僅為9.90mm x 11.68mm,比D2PAK封裝的PCB面積節(jié)省30%。而且,它的外形只有2.30mm,比D2PAK封裝的體積小60%。除了更小尺寸之外,TOLL封裝還提供比D2PAK 7接
          • 關鍵字: 安森美  TOLL封裝  碳化硅  MOSFET  

          英飛凌推出1200 V CoolSiC MOSFET M1H芯片,以增強特性進一步提高系統(tǒng)能效

          • 英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了一項全新的CoolSiC?技術,即CoolSiC? MOSFET 1200 V M1H。這款先進的碳化硅(SiC)芯片用于頗受歡迎的Easy模塊系列,以及采用基于.XT互連技術的分立式封裝,具有非常廣泛的產(chǎn)品組合。M1H芯片具有很高的靈活性,適用于必須滿足峰值電力需求的太陽能系統(tǒng),如光伏逆變器。同時,這款芯片也是電動汽車快充、儲能系統(tǒng)和其他工業(yè)應用的理想選擇。CoolSiC技術取得的最新進展使得柵極驅動電壓窗口明顯增大,從而降低了既定芯片面積下的導通電阻。與此同時,隨著柵極運行
          • 關鍵字: SiC  太陽能  MOSFET  
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          碳化硅(sic)介紹

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