碳化硅（sic）文章進(jìn)入碳化硅（sic）技術(shù)社區(qū)

羅姆為電動(dòng)汽車(chē)充電樁打造高效解決方案

引言全球能源短缺和大氣污染問(wèn)題日益嚴(yán)峻,汽車(chē)產(chǎn)業(yè)綠色低碳發(fā)展已成為降低全社會(huì)碳排放、增強(qiáng)國(guó)家競(jìng)爭(zhēng)力的有效手段。作為領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體廠商之一,羅姆一直致力于技術(shù)創(chuàng)新,研發(fā)各種高效、高品質(zhì)的功率器件,為大功率智能充電站提供安全可靠的解決方案,在支持綠色出行的同時(shí)助力全面低碳社會(huì)的可持續(xù)發(fā)展?？s短充電時(shí)間的高輸出挑戰(zhàn)對(duì)電動(dòng)汽車(chē)車(chē)主來(lái)說(shuō),縮短充電時(shí)間是非常重要的訴求,而大功率充電是其中關(guān)鍵的支撐技術(shù)。提升續(xù)航距離需要増加電池容量,為縮短充電時(shí)間,需要高輸出能力的充電樁,如360kW的充電樁要搭載9個(gè)40kW的電源
關(guān)鍵字：充電樁碳化硅

意法半導(dǎo)體制造首批8吋碳化硅晶圓

意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）宣布，ST瑞典N(xiāo)orrkoping工廠制造出首批8吋（200mm）碳化硅（SiC）晶圓，這些晶圓將用于生產(chǎn)下一代功率電子芯片產(chǎn)品原型。將SiC晶圓升級(jí)到8吋代表著ST針對(duì)汽車(chē)和工業(yè)客戶的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃獲得重要階段性的成功，其鞏固了ST在此一開(kāi)創(chuàng)性技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，且提升了功率電子芯片的輕量化和效能，降低客戶獲取這些產(chǎn)品的擁有總成本。意法半導(dǎo)體制造首批8吋碳化硅晶圓意法半導(dǎo)體首批8吋SiC晶圓質(zhì)量十分優(yōu)良，對(duì)于芯片良率和晶體位錯(cuò)誤之缺陷非常低。其低缺
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體碳化硅

鄭有炓院士：第三代半導(dǎo)體迎來(lái)新發(fā)展機(jī)遇

半導(dǎo)體材料是信息技術(shù)的核心基礎(chǔ)材料，一代材料、一代技術(shù)、一代產(chǎn)業(yè)，半個(gè)多世紀(jì)來(lái)從基礎(chǔ)技術(shù)層面支撐了信息技術(shù)翻天覆地的變化，推動(dòng)了電子信息科技產(chǎn)業(yè)可持續(xù)蓬勃發(fā)展。同樣地，信息技術(shù)和電子信息科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求又驅(qū)動(dòng)了半導(dǎo)體材料與技術(shù)的發(fā)展。第三代半導(dǎo)體材料及其應(yīng)用第三代半導(dǎo)體是指以GaN、SiC為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，它是繼20世紀(jì)50年代以Ge、Si為代表的第一代半導(dǎo)體和70年代以GaAs、InP為代表的第二代半導(dǎo)體之后于90年代發(fā)展起來(lái)的新型寬禁帶半導(dǎo)體材料，即禁帶寬度明顯大于Si（1.12 eV）和Ga
關(guān)鍵字：第三代半導(dǎo)體 SiC

汽車(chē)電氣化的部分關(guān)鍵技術(shù)及ST的解決方案

1? ?汽車(chē)電氣化的趨勢(shì)和挑戰(zhàn)汽車(chē)市場(chǎng)中與電氣化相關(guān)的應(yīng)用是減少交通碳排放影響的關(guān)鍵因素。中國(guó)領(lǐng)導(dǎo)人在2020年9 月提出中國(guó)要在2030年碳達(dá)峰，2060 年實(shí)現(xiàn)碳中和的目標(biāo)。為了實(shí)現(xiàn)碳中和，減少能源使用中的碳排放是其中的重要一環(huán)。電能是清潔、高效的能源品種，用電能作為主要的能源消耗可以大幅減少碳排放。同時(shí)也要發(fā)展低排放的清潔能源作為主要發(fā)電的能源。中國(guó)交通運(yùn)輸行業(yè)碳排放占比達(dá)10%，而公路運(yùn)輸占其中的74%，主要來(lái)自燃油車(chē)的排放。因此，發(fā)展電動(dòng)汽車(chē)并逐漸從燃油車(chē)過(guò)渡到電動(dòng)汽車(chē)對(duì)減少
關(guān)鍵字： 202108 SiC BMS

清潔安全的汽車(chē)將由功能電子化和自動(dòng)駕駛賦能

未來(lái)的汽車(chē)將是清潔和安全的汽車(chē)，由先進(jìn)的汽車(chē)功能電子化和自動(dòng)駕駛技術(shù)賦能。安森美半導(dǎo)體汽車(chē)戰(zhàn)略及業(yè)務(wù)拓展副總裁 Joseph Notaro1? ?功率器件賦能電動(dòng)汽車(chē)電動(dòng)車(chē)可幫助實(shí)現(xiàn)零排放，其市場(chǎng)發(fā)展是令人興奮和充滿生機(jī)的，隨著電動(dòng)車(chē)銷(xiāo)售不斷增長(zhǎng)，必須推出滿足駕駛員需求的基礎(chǔ)設(shè)施，以提供一個(gè)快速充電站網(wǎng)絡(luò)，使他們能夠快速完成行程，而沒(méi)有“續(xù)航里程焦慮癥”。這一領(lǐng)域的要求正在迅速發(fā)展，需要超過(guò)350 kW 的功率水平和95% 的能效成為“常規(guī)”。鑒于這些充電樁部署在不同的環(huán)境和地點(diǎn)，緊湊
關(guān)鍵字： 202108 SiC 汽車(chē) OBC

安森美半導(dǎo)體：為關(guān)鍵應(yīng)用推出系列綠色解決方案

1? ?關(guān)注關(guān)鍵應(yīng)用的節(jié)能減排安森美半導(dǎo)體提供所有應(yīng)用的電力電子解決方案，也專注于一些關(guān)鍵應(yīng)用，包括能源基礎(chǔ)設(shè)施（太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換、儲(chǔ)能、電動(dòng)車(chē)充電站/ 樁）、工業(yè)、云計(jì)算和5G 基礎(chǔ)設(shè)施。這些市場(chǎng)都有其獨(dú)特的技術(shù)挑戰(zhàn)。這些挑戰(zhàn)由相同因素的不同組合驅(qū)動(dòng)：提高能效、減小尺寸和質(zhì)量以及優(yōu)化系統(tǒng)成本或擁有成本。例如太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換，從集中式逆變器到組串式逆變器的轉(zhuǎn)變消除了逆變器的單點(diǎn)故障風(fēng)險(xiǎn)。如果一個(gè)組串式逆變器停止工作，仍可用其他組串來(lái)發(fā)電。它還有個(gè)額外的好處，就是能對(duì)較少量的面板進(jìn)行最大功率點(diǎn)追蹤。
關(guān)鍵字： 202107 SiC

碳化硅基板及磊晶成長(zhǎng)領(lǐng)域環(huán)球晶布局掌握關(guān)鍵技術(shù)

由于5G、電動(dòng)車(chē)、高頻無(wú)線通信及國(guó)防航天等新興科技趨勢(shì)的興起，產(chǎn)業(yè)對(duì)于高頻率、低耗損的表現(xiàn)需求日益增加，如何在高溫、高頻率及高電壓等惡劣環(huán)境作業(yè)下?lián)p失較少功率的化合物半導(dǎo)體材料，備受產(chǎn)業(yè)期待。而基于碳化硅（SiC）芯片制作寬能隙半導(dǎo)體的器件，能夠滿足傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體所不能滿足的諸多優(yōu)點(diǎn)。放眼全球化合物半導(dǎo)體大廠，碳化硅（SiC）晶圓的供應(yīng)以美國(guó)大廠Cree為首，是具有上下游整合制造能力的整合組件制造商（IDM），在碳化硅之全球市占率高達(dá)六至七成。磊晶廠則以美國(guó)的II-VI Incorporated為代表；模
關(guān)鍵字：碳化硅寬能隙半導(dǎo)體

采用SiC FET盡可能提升圖騰柱PFC級(jí)的能效

圖騰柱PFC電路能顯著改善交流輸入轉(zhuǎn)換器的效率，但是主流半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)技術(shù)的局限性使其不能發(fā)揮全部潛力。不過(guò)，SiC FET能突破這些局限性。本文介紹了如何在數(shù)千瓦電壓下實(shí)現(xiàn)99.3%以上的效率。正文交流輸入電源的設(shè)計(jì)師必須竭力滿足許多要求，包括功能要求、安全要求和EMC要求等等。他們通常需要進(jìn)行權(quán)衡取舍，一個(gè)好例子是既要求達(dá)到服務(wù)器電源的“鈦”標(biāo)準(zhǔn)等能效目標(biāo)，又要用功率因素校正（PFC）將線路諧波發(fā)射保持在低水平，以幫助電網(wǎng)可靠高效地運(yùn)行。在大部分情況下，會(huì)通過(guò)升壓轉(zhuǎn)換器部分實(shí)施PFC，升壓轉(zhuǎn)換器會(huì)將整流后
關(guān)鍵字： SiC FET PFC

SiC大戰(zhàn)拉開(kāi)帷幕，中國(guó)勝算幾何

近些年，隨著電動(dòng)汽車(chē)以及其他系統(tǒng)的增長(zhǎng)，碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體市場(chǎng)正在經(jīng)歷需求的突然激增，因此也吸引了產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)企業(yè)的關(guān)注。在產(chǎn)業(yè)應(yīng)用進(jìn)一步成熟的趨勢(shì)下，SiC的爭(zhēng)奪戰(zhàn)正一觸即發(fā)。碳化硅材料之殤SiC器件成本高的一大原因就是SiC襯底貴，目前，襯底成本大約是加工晶片的50%，外延片是25%，器件晶圓生產(chǎn)環(huán)節(jié)20%，封裝測(cè)試環(huán)節(jié)5%。SiC襯底不止貴，生產(chǎn)工藝還復(fù)雜，與硅相比，碳化硅很難處理、研磨和鋸切，挑戰(zhàn)非常大。所以大多數(shù)企業(yè)都是從Cree、Rohm等供應(yīng)商購(gòu)買(mǎi)襯底。SiC器件廣泛用于光伏逆變器、工
關(guān)鍵字： SiC 功率半導(dǎo)體

功率半導(dǎo)體－馬達(dá)變頻器內(nèi)的關(guān)鍵組件

全球有約 30% 的發(fā)電量用于驅(qū)動(dòng)工業(yè)應(yīng)用中的馬達(dá)，而全球工業(yè)產(chǎn)業(yè)消耗的能源量預(yù)期到 2040 年將成長(zhǎng)一倍。隨著對(duì)能源成本和資源有限的意識(shí)不斷提高，未來(lái)提升驅(qū)動(dòng)馬達(dá)用電效率的需求將會(huì)越來(lái)越顯著。
關(guān)鍵字： IGBT7 SiC MOSFET 馬達(dá)變頻器功率半導(dǎo)體英飛凌

以中國(guó)帶動(dòng)世界意法半導(dǎo)體搶占新能源汽車(chē)制高點(diǎn)

意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics) 以“意法半導(dǎo)體，科技始之于你”為主題亮相2021年慕尼黑上海電子展，展示其行業(yè)領(lǐng)先的智能出行、電源和能源管理、物聯(lián)網(wǎng)和5G產(chǎn)品及解決方案。作為意法半導(dǎo)體重要的業(yè)務(wù)領(lǐng)域之一，此次展臺(tái)的焦點(diǎn)是一輛智能電動(dòng)轎跑小鵬P7，這款先進(jìn)的新能源智能汽車(chē)的車(chē)輛控制單元(VCU)中采用意法半導(dǎo)體的先進(jìn)的多功能芯片L9788，這是首個(gè)集成CAN FD收發(fā)器的U-chip解決方案，符合最高的功能性安全標(biāo)準(zhǔn)，產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)包括節(jié)省物料清單(BOM)成本、減少印刷電路板(PCB)
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體 SiC BMS

電動(dòng)汽車(chē)BMS的技術(shù)趨勢(shì)及恩智浦的解決方案

1? ?電動(dòng)汽車(chē)BMS的技術(shù)趨勢(shì)對(duì)恩智浦而言，我們所觀察到的電動(dòng)汽車(chē)制造商在規(guī)劃整個(gè)車(chē)型電氣化過(guò)程中正在面對(duì)如下挑戰(zhàn)，這也代表了現(xiàn)在技術(shù)發(fā)展的趨勢(shì)。1)? ?電池成本的持續(xù)降低是電動(dòng)車(chē)普及以及車(chē)廠盈利的重要決勝點(diǎn)。除電芯降本外，還需要不斷優(yōu)化電子電氣以及機(jī)械架構(gòu)，并制作支持自動(dòng)化組裝的生產(chǎn)線，這樣才能提高生產(chǎn)效率。2)? ?延長(zhǎng)里程需要提高比能量，縮短充電時(shí)間則要增加比功率，在逐漸挑戰(zhàn)比能量和比功率極限的過(guò)程中，電池管理功能安全的等級(jí)、診斷的精度
關(guān)鍵字： BMS SiC

SiC在電動(dòng)汽車(chē)的功率轉(zhuǎn)換中扮演越來(lái)越重要的角色

1? ?中國(guó)新能源汽車(chē)市場(chǎng)的需求特點(diǎn)首先，中國(guó)的電動(dòng)化發(fā)展速度很快，中國(guó)企業(yè)的創(chuàng)新力旺盛，而且直接從傳統(tǒng)汽車(chē)向新能源汽車(chē)過(guò)渡，沒(méi)有美國(guó)或歐洲企業(yè)所面臨的復(fù)雜的“技術(shù)遺產(chǎn)”問(wèn)題。相比歐美，新興的中國(guó)車(chē)企更期待新能源汽車(chē)。在中國(guó)，功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)在汽車(chē)中的應(yīng)用非常廣泛，這就是為什么ST專注于與中國(guó)客戶合作開(kāi)發(fā)電源管理系統(tǒng)。ST汽車(chē)和分立器件產(chǎn)品部大眾市場(chǎng)業(yè)務(wù)拓展負(fù)責(zé)人公司戰(zhàn)略辦公室成員Giovanni Luca SARICA2? ?SiC在成本上有優(yōu)勢(shì)嗎SiC解決方案的成本
關(guān)鍵字：新能源汽車(chē) SiC

三安集成完成碳化硅MOSFET量產(chǎn)平臺(tái)打造，貫通碳化硅器件產(chǎn)品線

中國(guó)化合物半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈制造平臺(tái) -- 三安集成于日前宣布，已經(jīng)完成碳化硅MOSFET器件量產(chǎn)平臺(tái)的打造。首發(fā)1200V 80mΩ產(chǎn)品已完成研發(fā)并通過(guò)一系列產(chǎn)品性能和可靠性測(cè)試，其可廣泛適用于光伏逆變器、開(kāi)關(guān)電源、脈沖電源、高壓DC/DC、新能源充電和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域，有助于減小系統(tǒng)體積，降低系統(tǒng)功耗，提升電源系統(tǒng)功率密度。目前多家客戶處于樣品測(cè)試階段。三安集成碳化硅MOSFET, Sanan IC SiC MOSFET, Sanan IC Silicon Carbide MOSFET隨著中
關(guān)鍵字：三安集成碳化硅 MOSFET

TI為何把首款GaN FET定位于汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用

GaN（氮化鎵）作為新一代半導(dǎo)體材料，正有越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。近日，德州儀器（TI）宣布其首款帶集成驅(qū)動(dòng)器、內(nèi)部保護(hù)和有源電源管理的GaN FET，分別面向車(chē)用充電器和工業(yè)電源，可以實(shí)現(xiàn)2倍的功率密度和高達(dá)99%的效率。TI如何看待GaN在汽車(chē)和工業(yè)方面的機(jī)會(huì)？此次GaN FET的突破性技術(shù)是什么？為此，電子產(chǎn)品世界記者線上采訪了TI高壓電源應(yīng)用產(chǎn)品業(yè)務(wù)部GaN功率器件產(chǎn)品線經(jīng)理Steve Tom。TI高壓電源應(yīng)用產(chǎn)品業(yè)務(wù)部GaN功率器件產(chǎn)品線經(jīng)理Steve Tom1? ?GaN在電源領(lǐng)
關(guān)鍵字： GaN FET SiC