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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)

          意法半導體收購Norstel AB 強化碳化硅產(chǎn)業(yè)供應鏈

          • 近年隨著電動汽車產(chǎn)業(yè)崛起,碳化硅(SiC)功率半導體市場需求激增,吸引產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)企業(yè)的關(guān)注,國際間碳化硅(SiC)晶圓的開發(fā)驅(qū)使SiC爭奪戰(zhàn)正一觸即發(fā)。與硅(Si)相比,碳化硅是具有比硅更寬的能帶隙(energy bandgap,Eg)的半導體;再者,碳化硅具有更高的擊穿電場 (breakdown electric field,Ec),因此可被用于制造功率組件應用之電子電路的材料,因為用碳化硅制成的芯片即使厚度相對小也能夠經(jīng)受得起相對高的電壓。表一分別示出了硅和碳化硅的能帶隙(Eg)、擊穿電場(Ec)和電
          • 關(guān)鍵字: 意法半導體  Norstel AB  碳化硅  SiC  

          羅姆為電動汽車充電樁打造高效解決方案

          • 引言全球能源短缺和大氣污染問題日益嚴峻,汽車產(chǎn)業(yè)綠色低碳發(fā)展已成為降低全社會碳排放、增強國家競爭力的有效手段。作為領(lǐng)先的功率半導體廠商之一,羅姆一直致力于技術(shù)創(chuàng)新,研發(fā)各種高效、高品質(zhì)的功率器件,為大功率智能充電站提供安全可靠的解決方案,在支持綠色出行的同時助力全面低碳社會的可持續(xù)發(fā)展。縮短充電時間的高輸出挑戰(zhàn)對電動汽車車主來說,縮短充電時間是非常重要的訴求,而大功率充電是其中關(guān)鍵的支撐技術(shù)。提升續(xù)航距離需要増加電池容量,為縮短充電時間,需要高輸出能力的充電樁,如360kW的充電樁要搭載9個40kW的電源
          • 關(guān)鍵字: 充電樁  碳化硅  

          意法半導體制造首批8吋碳化硅晶圓

          • 意法半導體(STMicroelectronics)宣布,ST瑞典Norrkoping工廠制造出首批8吋(200mm)碳化硅(SiC)晶圓,這些晶圓將用于生產(chǎn)下一代功率電子芯片產(chǎn)品原型。將SiC晶圓升級到8吋代表著ST針對汽車和工業(yè)客戶的擴產(chǎn)計劃獲得重要階段性的成功,其鞏固了ST在此一開創(chuàng)性技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導地位,且提升了功率電子芯片的輕量化和效能,降低客戶獲取這些產(chǎn)品的擁有總成本。 意法半導體制造首批8吋碳化硅晶圓意法半導體首批8吋SiC晶圓質(zhì)量十分優(yōu)良,對于芯片良率和晶體位錯誤之缺陷非常低。其低缺
          • 關(guān)鍵字: 意法半導體  碳化硅  

          鄭有炓院士:第三代半導體迎來新發(fā)展機遇

          • 半導體材料是信息技術(shù)的核心基礎(chǔ)材料,一代材料、一代技術(shù)、一代產(chǎn)業(yè),半個多世紀來從基礎(chǔ)技術(shù)層面支撐了信息技術(shù)翻天覆地的變化,推動了電子信息科技產(chǎn)業(yè)可持續(xù)蓬勃發(fā)展。同樣地,信息技術(shù)和電子信息科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求又驅(qū)動了半導體材料與技術(shù)的發(fā)展。第三代半導體材料及其應用第三代半導體是指以GaN、SiC為代表的寬禁帶半導體材料,它是繼20世紀50年代以Ge、Si為代表的第一代半導體和70年代以GaAs、InP為代表的第二代半導體之后于90年代發(fā)展起來的新型寬禁帶半導體材料,即禁帶寬度明顯大于Si(1.12 eV)和Ga
          • 關(guān)鍵字: 第三代半導體  SiC  

          汽車電氣化的部分關(guān)鍵技術(shù)及ST的解決方案

          • 1? ?汽車電氣化的趨勢和挑戰(zhàn)汽車市場中與電氣化相關(guān)的應用是減少交通碳排放影響的關(guān)鍵因素。中國領(lǐng)導人在2020年9 月提出中國要在2030年碳達峰,2060 年實現(xiàn)碳中和的目標。為了實現(xiàn)碳中和,減少能源使用中的碳排放是其中的重要一環(huán)。電能是清潔、高效的能源品種,用電能作為主要的能源消耗可以大幅減少碳排放。同時也要發(fā)展低排放的清潔能源作為主要發(fā)電的能源。中國交通運輸行業(yè)碳排放占比達10%,而公路運輸占其中的74%,主要來自燃油車的排放。因此,發(fā)展電動汽車并逐漸從燃油車過渡到電動汽車對減少
          • 關(guān)鍵字: 202108  SiC  BMS  

          清潔安全的汽車將由功能電子化和自動駕駛賦能

          • 未來的汽車將是清潔和安全的汽車,由先進的汽車功能電子化和自動駕駛技術(shù)賦能。安森美半導體汽車戰(zhàn)略及業(yè)務(wù)拓展副總裁 Joseph Notaro1? ?功率器件賦能電動汽車電動車可幫助實現(xiàn)零排放,其市場發(fā)展是令人興奮和充滿生機的,隨著電動車銷售不斷增長,必須推出滿足駕駛員需求的基礎(chǔ)設(shè)施,以提供一個快速充電站網(wǎng)絡(luò),使他們能夠快速完成行程,而沒有“續(xù)航里程焦慮癥”。這一領(lǐng)域的要求正在迅速發(fā)展,需要超過350 kW 的功率水平和95% 的能效成為“常規(guī)”。鑒于這些充電樁部署在不同的環(huán)境和地點,緊湊
          • 關(guān)鍵字: 202108  SiC  汽車  OBC  

          安森美半導體:為關(guān)鍵應用推出系列綠色解決方案

          • 1? ?關(guān)注關(guān)鍵應用的節(jié)能減排安森美半導體提供所有應用的電力電子解決方案,也專注于一些關(guān)鍵應用,包括能源基礎(chǔ)設(shè)施(太陽能轉(zhuǎn)換、儲能、電動車充電站/ 樁)、工業(yè)、云計算和5G 基礎(chǔ)設(shè)施。這些市場都有其獨特的技術(shù)挑戰(zhàn)。這些挑戰(zhàn)由相同因素的不同組合驅(qū)動:提高能效、減小尺寸和質(zhì)量以及優(yōu)化系統(tǒng)成本或擁有成本。例如太陽能轉(zhuǎn)換,從集中式逆變器到組串式逆變器的轉(zhuǎn)變消除了逆變器的單點故障風險。如果一個組串式逆變器停止工作,仍可用其他組串來發(fā)電。它還有個額外的好處,就是能對較少量的面板進行最大功率點追蹤。
          • 關(guān)鍵字: 202107  SiC  

          碳化硅基板及磊晶成長領(lǐng)域 環(huán)球晶布局掌握關(guān)鍵技術(shù)

          • 由于5G、電動車、高頻無線通信及國防航天等新興科技趨勢的興起,產(chǎn)業(yè)對于高頻率、低耗損的表現(xiàn)需求日益增加,如何在高溫、高頻率及高電壓等惡劣環(huán)境作業(yè)下?lián)p失較少功率的化合物半導體材料,備受產(chǎn)業(yè)期待。而基于碳化硅(SiC)芯片制作寬能隙半導體的器件,能夠滿足傳統(tǒng)硅基半導體所不能滿足的諸多優(yōu)點。放眼全球化合物半導體大廠,碳化硅(SiC)晶圓的供應以美國大廠Cree為首,是具有上下游整合制造能力的整合組件制造商(IDM),在碳化硅之全球市占率高達六至七成。磊晶廠則以美國的II-VI Incorporated為代表;模
          • 關(guān)鍵字: 碳化硅  寬能隙半導體  

          采用SiC FET盡可能提升圖騰柱PFC級的能效

          • 圖騰柱PFC電路能顯著改善交流輸入轉(zhuǎn)換器的效率,但是主流半導體開關(guān)技術(shù)的局限性使其不能發(fā)揮全部潛力。不過,SiC FET能突破這些局限性。本文介紹了如何在數(shù)千瓦電壓下實現(xiàn)99.3%以上的效率。正文交流輸入電源的設(shè)計師必須竭力滿足許多要求,包括功能要求、安全要求和EMC要求等等。他們通常需要進行權(quán)衡取舍,一個好例子是既要求達到服務(wù)器電源的“鈦”標準等能效目標,又要用功率因素校正(PFC)將線路諧波發(fā)射保持在低水平,以幫助電網(wǎng)可靠高效地運行。在大部分情況下,會通過升壓轉(zhuǎn)換器部分實施PFC,升壓轉(zhuǎn)換器會將整流后
          • 關(guān)鍵字: SiC FET  PFC  

          SiC大戰(zhàn)拉開帷幕,中國勝算幾何

          • 近些年,隨著電動汽車以及其他系統(tǒng)的增長,碳化硅(SiC)功率半導體市場正在經(jīng)歷需求的突然激增,因此也吸引了產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)企業(yè)的關(guān)注。在產(chǎn)業(yè)應用進一步成熟的趨勢下,SiC的爭奪戰(zhàn)正一觸即發(fā)。碳化硅材料之殤SiC器件成本高的一大原因就是SiC襯底貴,目前,襯底成本大約是加工晶片的50%,外延片是25%,器件晶圓生產(chǎn)環(huán)節(jié)20%,封裝測試環(huán)節(jié)5%。SiC襯底不止貴,生產(chǎn)工藝還復雜,與硅相比,碳化硅很難處理、研磨和鋸切,挑戰(zhàn)非常大。所以大多數(shù)企業(yè)都是從Cree、Rohm等供應商購買襯底。SiC器件廣泛用于光伏逆變器、工
          • 關(guān)鍵字: SiC  功率半導體  

          功率半導體-馬達變頻器內(nèi)的關(guān)鍵組件

          • 全球有約 30% 的發(fā)電量用于驅(qū)動工業(yè)應用中的馬達,而全球工業(yè)產(chǎn)業(yè)消耗的能源量預期到 2040 年將成長一倍。隨著對能源成本和資源有限的意識不斷提高,未來提升驅(qū)動馬達用電效率的需求將會越來越顯著。
          • 關(guān)鍵字: IGBT7  SiC MOSFET  馬達變頻器  功率半導體  英飛凌  

          以中國帶動世界 意法半導體搶占新能源汽車制高點

          • 意法半導體(STMicroelectronics) 以“意法半導體,科技始之于你”為主題亮相2021年慕尼黑上海電子展,展示其行業(yè)領(lǐng)先的智能出行、電源和能源管理、物聯(lián)網(wǎng)和5G產(chǎn)品及解決方案。 作為意法半導體重要的業(yè)務(wù)領(lǐng)域之一,此次展臺的焦點是一輛智能電動轎跑小鵬P7,這款先進的新能源智能汽車的車輛控制單元(VCU)中采用意法半導體的先進的多功能芯片L9788,這是首個集成CAN FD收發(fā)器的U-chip解決方案,符合最高的功能性安全標準,產(chǎn)品競爭優(yōu)勢包括節(jié)省物料清單(BOM)成本、減少印刷電路板(PCB)
          • 關(guān)鍵字: 意法半導體  SiC  BMS  

          電動汽車BMS的技術(shù)趨勢及恩智浦的解決方案

          • 1? ?電動汽車BMS的技術(shù)趨勢對恩智浦而言,我們所觀察到的電動汽車制造商在規(guī)劃整個車型電氣化過程中正在面對如下挑戰(zhàn),這也代表了現(xiàn)在技術(shù)發(fā)展的趨勢。1)? ?電池成本的持續(xù)降低是電動車普及以及車廠盈利的重要決勝點。除電芯降本外,還需要不斷優(yōu)化電子電氣以及機械架構(gòu),并制作支持自動化組裝的生產(chǎn)線,這樣才能提高生產(chǎn)效率。2)? ?延長里程需要提高比能量,縮短充電時間則要增加比功率,在逐漸挑戰(zhàn)比能量和比功率極限的過程中,電池管理功能安全的等級、診斷的精度
          • 關(guān)鍵字: BMS  SiC  

          SiC在電動汽車的功率轉(zhuǎn)換中扮演越來越重要的角色

          • 1? ?中國新能源汽車市場的需求特點首先,中國的電動化發(fā)展速度很快,中國企業(yè)的創(chuàng)新力旺盛,而且直接從傳統(tǒng)汽車向新能源汽車過渡,沒有美國或歐洲企業(yè)所面臨的復雜的“技術(shù)遺產(chǎn)”問題。相比歐美,新興的中國車企更期待新能源汽車。在中國,功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)在汽車中的應用非常廣泛,這就是為什么ST專注于與中國客戶合作開發(fā)電源管理系統(tǒng)。ST汽車和分立器件產(chǎn)品部大眾市場業(yè)務(wù)拓展負責人公司戰(zhàn)略辦公室成員Giovanni Luca SARICA2? ?SiC在成本上有優(yōu)勢嗎SiC解決方案的成本
          • 關(guān)鍵字: 新能源汽車  SiC  

          三安集成完成碳化硅MOSFET量產(chǎn)平臺打造,貫通碳化硅器件產(chǎn)品線

          • 中國化合物半導體全產(chǎn)業(yè)鏈制造平臺 --  三安集成于日前宣布,已經(jīng)完成碳化硅MOSFET器件量產(chǎn)平臺的打造。首發(fā)1200V 80mΩ產(chǎn)品已完成研發(fā)并通過一系列產(chǎn)品性能和可靠性測試,其可廣泛適用于光伏逆變器、開關(guān)電源、脈沖電源、高壓DC/DC、新能源充電和電機驅(qū)動等應用領(lǐng)域,有助于減小系統(tǒng)體積,降低系統(tǒng)功耗,提升電源系統(tǒng)功率密度。目前多家客戶處于樣品測試階段。三安集成碳化硅MOSFET, Sanan IC SiC MOSFET, Sanan IC Silicon Carbide MOSFET隨著中
          • 關(guān)鍵字: 三安集成  碳化硅  MOSFET  
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          碳化硅(sic)介紹

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