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          碳化硅(sic) 文章 進入碳化硅(sic)技術社區(qū)

          ROHM的SiC功率元器件被應用于UAES的電動汽車車載充電器

          • 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)的SiC功率元器件(SiC MOSFET*1)被應用于中國汽車行業(yè)一級綜合性供應商——聯(lián)合汽車電子有限公司(United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ,總部位于中國上海市,以下簡稱“UAES公司”)的電動汽車車載充電器(On Board Charger,以下簡稱“OBC”)。UAES公司預計將于2020年10月起向汽車制造商供應該款OBC。與IGBT*2等Si(硅)功率元器件相比,SiC功率元器件是一種能
          • 關鍵字: OBC  SiC MOSFET  

          安森美半導體推出新的900 V和 1200 V SiC MOSFET用于高要求的應用

          • 近日,推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON),推出另兩個碳化硅(SiC) MOSFET系列,擴展了其寬禁帶(WBG)器件系列。?這些新器件適用于各種高要求的高增長應用,包括太陽能逆變器、電動汽車(EV)車載充電、不間斷電源(UPS)、服務器電源和EV充電樁,提供的性能水平是硅(Si)?MOSFET根本無法實現(xiàn)的。安森美半導體的新的1200伏(V)和900 V N溝道SiC MOSFET提供比硅更快的開關性能和更高的可靠性??焖俦菊鞫?/li>
          • 關鍵字: SiC  WBG  

          CISSOID宣布推出用于電動汽車的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模塊

          • 各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID近日宣布,將繼續(xù)致力于應對汽車和工業(yè)市場的挑戰(zhàn),并推出用于電動汽車的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模塊(IPM)平臺。這項新的智能功率模塊技術提供了一種一體化解決方案,即整合了內置柵極驅動器的三相水冷式碳化硅MOSFET模塊。這個全新的可擴展平臺同時優(yōu)化了功率開關的電氣、機械和散熱設計及其臨界控制,對于電動汽車(EV)整車廠和愿意快速采用基于碳化硅的逆變器以實現(xiàn)更高效、更簡潔電機驅動的電動機制造商而言,該平臺可以幫助他們加快產品上市時間。該可擴展
          • 關鍵字: SiC  IPM  

          電機的應用趨勢及控制解決方案

          • 顧偉俊? (羅姆半導體(上海)有限公司?技術中心?現(xiàn)場應用工程師)摘? 要:介紹了電機的應用趨勢,以及MCU、功率器件的產品動向。 關鍵詞:電機;BLDC;MCU;SiC;IPM1? 電機的應用趨勢?隨著智能家居、工業(yè)自動化、物流自動化等概念的 普及深化,在與每個人息息相關的家電領域、車載領 域以及工業(yè)領域,各類電機在技術方面都出現(xiàn)了新的 需求。?在家電領域,電器的 智能化需要電器對人機交 流產生相應的反饋。例如 掃地機器人需要掃描計算 空間,規(guī)劃路線,然后執(zhí) 行移動以及相應
          • 關鍵字: 202003  電機  BLDC  MCU  SiC  IPM  

          碳化硅(SiC)功率器件或在電動汽車領域一決勝負

          • 電力電子器件的發(fā)展歷史大致可以分為三個大階段:硅晶閘管(可控硅)、IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和剛顯露頭角的碳化硅(SiC)系列大功率半導體器件。碳化硅屬于第三代半導體材料,與普通的硅材料相比,碳化硅的優(yōu)勢非常突出,它不僅克服了普通硅材料的某些缺點,在功耗上也有非常好的表現(xiàn),因而成為電力電子領域目前最具前景的半導體材料。正因為如此,已經有越來越多的半導體企業(yè)開始進入SiC市場。到2023年,SiC功率半導體市場預計將達到15億美元。SiC器件的供應商包括Fuji、英飛凌、Littelfuse、三菱、安森
          • 關鍵字: 碳化硅、SiC、功率器件、電動汽車  

          英飛凌650V CoolSiC MOSFET系列為更多應用帶來最佳可靠性和性能水平

          • 近日,英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)進一步擴展其碳化硅(SiC)產品組合,推出650V器件。其全新發(fā)布的CoolSiC? MOSFET滿足了包括服務器、電信和工業(yè)SMPS、太陽能系統(tǒng)、能源存儲和電池化成、不間斷電源(UPS)、電機控制和驅動以及電動汽車充電在內的大量應用與日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求?!半S著新產品的發(fā)布,英飛凌完善了其600V/650V細分領域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導體產品組合,”英飛凌電源管理及多元化市場事業(yè)部高壓轉換業(yè)務高級總監(jiān)St
          • 關鍵字: SiC  MOSFET  

          如何利用 SiC 打造更好的電動車牽引逆變器

          • 在本文中,我們將調查電動車牽引逆變器采用 SiC 技術的優(yōu)勢。我們將展示在各種負荷條件下逆變器的能效是如何提升的,包括從輕負荷到滿負荷。使用較高的運行電壓與高效的 1200V SiC FET 可以幫助降低銅損。還可以提高逆變器開關頻率,以對電機繞組輸出更理想的正弦曲線波形和降低電機內的鐵損。預計在所有這些因素的影響下,純電動車的單次充電行駛里程將提高 5-10%,同時,降低的損耗還能簡化冷卻問題。簡介近期的新聞表明,純電動車?(BEV) 的數(shù)量增加得比之前的預期要快。這促使汽車制造商(包括現(xiàn)有制
          • 關鍵字: SiC  BEV  牽引逆變器  

          羅姆子公司SiCrystal和意法半導體宣布簽署碳化硅晶圓長期供應協(xié)議

          • 近日,羅姆和橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;)宣布,意法半導體與羅姆集團旗下的SiCrystal公司簽署一了份碳化硅(SiC)晶圓長期供應協(xié)議。SiCrystal為一家在歐洲SiC晶圓市場占有率領先的龍頭企業(yè)。協(xié)議規(guī)定, SiCrystal將向意法半導體提供總價超過1.2億美元的先進的150mm碳化硅晶片,滿足時下市場對碳化硅功率器件日益增長的需求。意法半導體總裁兼首席執(zhí)行官Jean-Marc Chery表示:“該SiC襯底長期供應協(xié)
          • 關鍵字: 碳化硅  晶圓  

          羅姆集團旗下的SiCrystal與意法半導體就碳化硅(SiC)晶圓長期供貨事宜達成協(xié)議

          • 近日,全球知名半導體制造商羅姆和意法半導體(以下簡稱“ST”)宣布,雙方就碳化硅(以下簡稱“SiC”)晶圓由羅姆集團旗下的SiCrystal GmbH (以下簡稱“SiCrystal”)供應事宜達成長期供貨協(xié)議。在SiC功率元器件快速發(fā)展及其需求高速增長的大背景下,雙方達成超1.2億美元的協(xié)議,由SiCrystal(SiC晶圓生產量歐洲第一)向ST(面向眾多電子設備提供半導體的全球性半導體制造商)供應先進的150mm SiC晶圓。ST 總經理 兼 首席執(zhí)行官(CEO) Jean-Marc Chery 說:
          • 關鍵字: SiC  車載  

          環(huán)球晶圓:硅晶圓明年回溫

          • 半導體硅晶圓大廠環(huán)球晶圓董事長徐秀蘭日前表示,明年半導體景氣仍受貿易摩擦、總體經濟及匯率三大變數(shù)干擾,但從客戶端庫存改善、拉貨動能加溫,以及應用擴大等來看,硅晶圓產業(yè)已在本季落底,明年上半年整體景氣動能升溫速度優(yōu)于預期,她預估環(huán)球晶圓明年首季與本季持平或略增,往后將會逐季成長。
          • 關鍵字: 環(huán)球晶圓  硅晶圓  碳化硅  

          Maxim發(fā)布隔離式碳化硅柵極驅動器,提供業(yè)界最佳電源效率、有效延長系統(tǒng)運行時間

          • 近日,Maxim Integrated Products, Inc 宣布推出MAX22701E隔離柵極驅動器,幫助高壓/大功率系統(tǒng)設計者將電源效率提升4%,優(yōu)于競爭產品;功耗和碳排放減少30%。驅動器IC優(yōu)化用于工業(yè)通信系統(tǒng)的開關電源,典型應用包括太陽能電源逆變器、電機驅動、電動汽車、儲能系統(tǒng)、不間斷電源、數(shù)據(jù)農場及其他大功率/高效率電源等。目前,許多開關電源采用寬帶隙碳化硅(SiC)晶體管來提高電源效率和晶體管可靠性。但是,高開關頻率的瞬態(tài)特性會產生較大噪聲,影響系統(tǒng)的正常工作或者需要額外的措施抑制干擾
          • 關鍵字: 碳化硅  柵極驅動器  

          使用ADuM4136隔離式柵極驅動器和LT3999 DC/DC轉換器驅動1200 V SiC電源模塊

          • 簡介電動汽車、可再生能源和儲能系統(tǒng)等電源發(fā)展技術的成功取決于電力轉換方案能否有效實施。電力電子轉換器的核心包含專用半導體器件和通過柵極驅動器控制這些新型半導體器件開和關的策略。目前最先進的寬帶器件,如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)半導體具有更高的性能,如600 V至2000 V的高電壓額定值、低通道阻抗,以及高達MHz范圍的快速切換速度。這些提高了柵極驅動器的性能要求,例如,,通過去飽和以得到更短的傳輸延遲和改進的短路保護。本應用筆記展示了ADuM4136 柵極驅動器的優(yōu)勢,這款單通道器件的輸出驅動能
          • 關鍵字: DC/DC  SiC  

          意法半導體完成對碳化硅晶圓廠商Norstel AB的并購

          • 近日, 橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)于12月2日宣布,完成對瑞典碳化硅(SiC)晶圓制造商Norstel AB(“ Norstel”)的整體收購。在2019年2月宣布首次交易后,意法半導體行使期權,收購了剩余的45%股份。Norstel并購案總價為1.375億美元,由現(xiàn)金支付。
          • 關鍵字: 意法半導體  碳化硅  Norstel AB  

          科銳與ABB在汽車和工業(yè)領域展開SiC合作

          • 全球碳化硅(SiC)技術領先企業(yè)科銳與ABB電網事業(yè)部宣布達成合作,共同擴展SiC在快速增長大功率半導體市場的采用。協(xié)議內容包括在ABB種類齊全的產品組合中將采用科銳Wolfspeed SiC基半導體,這將助力科銳擴大客戶基礎,同時加快ABB進入正在快速擴大的電動汽車(EV)市場。
          • 關鍵字: 科銳  ABB  碳化硅  

          CISSOID與國芯科技簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議

          • 各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID近日宣布:在湖南株洲舉行的中國IGBT技術創(chuàng)新與產業(yè)聯(lián)盟第五屆國際學術論壇上,公司與湖南國芯半導體科技有限公司(簡稱“國芯科技”)簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議,將攜手開展寬禁帶功率技術的研究開發(fā),充分發(fā)揮其耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢,并推動其在眾多領域實現(xiàn)廣泛應用。近年來,寬禁帶半導體功率器件(如碳化硅SiC和氮化鎵GaN等)憑借多方面的性能優(yōu)勢,在航空航天、電力傳輸、軌道交通、新能源汽車、智能家電、通信等領域開始逐漸取代傳統(tǒng)硅器件。然而,在各類應用中
          • 關鍵字: IGBT  SiC  GaN  
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          碳化硅(sic)介紹

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