碳化硅（sic）文章進(jìn)入碳化硅（sic）技術(shù)社區(qū)

躋身第三代半導(dǎo)體市場(chǎng) ST助力全球碳中和

　　隨著第三代半導(dǎo)體的工藝越來越成熟和穩(wěn)定，應(yīng)用在工業(yè)和電動(dòng)汽車上的產(chǎn)品也變得多樣化。作為半導(dǎo)體行業(yè)中的佼佼者，意法半導(dǎo)體同樣重視第三代半導(dǎo)體帶來的優(yōu)勢(shì)作用，推出了有關(guān)氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）的一系列產(chǎn)品，有力地推動(dòng)了第三代半導(dǎo)體在電動(dòng)汽車和工業(yè)領(lǐng)域上的應(yīng)用發(fā)展。2022年2月意法半導(dǎo)體召開媒體交流會(huì)，介紹了意法半導(dǎo)體在全球碳中和理念的背景下，如何通過創(chuàng)新技術(shù)和推出新的產(chǎn)品系列，為世界控制碳排放做出貢獻(xiàn)?！　?jù)調(diào)查，工業(yè)領(lǐng)域中將電力利用效率提升1%，就能節(jié)約95.6億千瓦時(shí)的能源。這意味著節(jié)約了
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Power Integrations推出業(yè)界首款內(nèi)部集成1700V SiC MOSFET的汽車級(jí)高壓開關(guān)IC

InnoSwitch3產(chǎn)品系列陣容再度擴(kuò)大，新器件不僅能顯著減少元件數(shù)量，還可大幅提高電動(dòng)汽車和工業(yè)應(yīng)用的效率
關(guān)鍵字： InnoSwitch?3-AQ 碳化硅 MOSFET 電動(dòng)汽車牽引逆變器

三安集成：碳化硅車規(guī)產(chǎn)品“上車”，湖南基地實(shí)現(xiàn)規(guī)模交付

新年第一個(gè)月，中國(guó)首條碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合制造平臺(tái) -- 湖南三安“喜提”多個(gè)好消息。長(zhǎng)沙制造碳化硅二極管量產(chǎn)出貨并順利通過客戶驗(yàn)證，車規(guī)級(jí)二極管接連獲得汽車行業(yè)客戶訂單。新能源汽車迎來“碳化硅元年”，湖南三安駛?cè)氚l(fā)展快車道在化石燃料資源和環(huán)境問題面前，各國(guó)都發(fā)布了“雙碳”計(jì)劃。歐盟各國(guó)決定在2040-2060年間徹底禁止燃油車，拜登政府也計(jì)劃拿出超過600億美元用于推動(dòng)家用車和公交車的電動(dòng)化，日本則是通過提高行業(yè)燃油經(jīng)濟(jì)性標(biāo)準(zhǔn)以促進(jìn)新能源車普及。碳化硅功率器件以其出色的能源轉(zhuǎn)換效率，在充電樁、車載充電
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環(huán)旭電子預(yù)計(jì)在2022量產(chǎn)電動(dòng)車用逆變器使用的IGBT與SiC電源模塊

搭配電動(dòng)車市場(chǎng)的快速成長(zhǎng)，近年環(huán)旭電子（上海證券交易所股票代碼: 601231）開始布局切入功率半導(dǎo)體國(guó)際大廠的電源模塊的組裝生產(chǎn)與測(cè)試，近期獲得相當(dāng)多歐美與日系客戶青睞，預(yù)計(jì)在2022正式量產(chǎn)電動(dòng)車用逆變器(Inverter)使用的IGBT與SiC電源模塊。根據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu)Canalys的報(bào)告指出，2021年上半年全球電動(dòng)車銷量為260萬輛，與去年同期相比大幅成長(zhǎng)160%，成長(zhǎng)率遠(yuǎn)高于全球整體汽車市場(chǎng)的26%。電動(dòng)汽車市場(chǎng)成長(zhǎng)帶動(dòng)關(guān)鍵功率半導(dǎo)體組件和模塊需求，其中第三代半導(dǎo)體擁有高效低耗能、高頻、高功率、高
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環(huán)旭電子預(yù)計(jì)2022量產(chǎn)電動(dòng)車用逆變器用IGBT與SiC電源模塊

搭配電動(dòng)車市場(chǎng)的快速成長(zhǎng)，近年環(huán)旭電子（上海證券交易所股票代碼: 601231）開始布局切入功率半導(dǎo)體國(guó)際大廠的電源模塊的組裝生產(chǎn)與測(cè)試，近期獲得相當(dāng)多歐美與日系客戶青睞，預(yù)計(jì)在2022正式量產(chǎn)電動(dòng)車用逆變器(Inverter)使用的IGBT與SiC電源模塊。根據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu)Canalys的報(bào)告指出，2021年上半年全球電動(dòng)車銷量為260萬輛，與去年同期相比大幅成長(zhǎng)160%，成長(zhǎng)率遠(yuǎn)高于全球整體汽車市場(chǎng)的26%。電動(dòng)汽車市場(chǎng)成長(zhǎng)帶動(dòng)關(guān)鍵功率半導(dǎo)體組件和模塊需求，其中第三代半導(dǎo)體擁有高效低耗能、高頻、高功率、高
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深化碳中和愿景下的中歐科技創(chuàng)新合作

11月27日，由中國(guó)科學(xué)技術(shù)協(xié)會(huì)與深圳市人民政府共同主辦，由中國(guó)科協(xié)企業(yè)創(chuàng)新服務(wù)中心、深圳市科學(xué)技術(shù)協(xié)會(huì)承辦、深圳市科技交流服務(wù)中心、深圳基本半導(dǎo)體有限公司、深圳中歐創(chuàng)新中心執(zhí)行的“2021中歐科技創(chuàng)新合作發(fā)展論壇”專業(yè)論壇——“2021中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇”在深圳隆重舉行。論壇上，來自國(guó)內(nèi)及英國(guó)、法國(guó)、比利時(shí)等國(guó)際知名的科學(xué)家、科技組織、科研院校、行業(yè)協(xié)會(huì)、半導(dǎo)體企業(yè)及投資機(jī)構(gòu)等泛第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈的代表參與大會(huì)，共同探討中歐第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展和應(yīng)用現(xiàn)況及未來趨勢(shì)，并就如何深化“碳中和”目標(biāo)
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2021基本創(chuàng)新日盛大開啟碳化硅系列新品重磅發(fā)布

新基建和“雙碳”戰(zhàn)略目標(biāo)推動(dòng)下，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在開啟發(fā)展加速度，有望成為綠色經(jīng)濟(jì)的中流砥柱，引領(lǐng)新一輪產(chǎn)業(yè)革命?！皠?chuàng)新為基，創(chuàng)芯為本”，11月27日，2021基本創(chuàng)新日活動(dòng)在深圳盛大啟幕?；景雽?dǎo)體總經(jīng)理和巍巍博士在會(huì)上發(fā)布了汽車級(jí)全碳化硅模塊、第三代碳化硅肖特基二極管、混合碳化硅分立器件三大系列碳化硅新品，至此基本半導(dǎo)體產(chǎn)品布局進(jìn)一步完善，產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力再度提升，將助力國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)一步發(fā)展，受到了現(xiàn)場(chǎng)來自汽車、工業(yè)、消費(fèi)等領(lǐng)域以及第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈的多位業(yè)內(nèi)人士的高度關(guān)注。汽車級(jí)全碳化硅功
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Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二極管系列

基礎(chǔ)半導(dǎo)體元器件領(lǐng)域的專家Nexperia，今天宣布推出650V、10A SiC肖特基二極管，正式進(jìn)軍高功率碳化硅(SiC)二極管市場(chǎng)。這對(duì)于高效功率氮化鎵(GaN) FET的可靠供應(yīng)商N(yùn)experia而言是一項(xiàng)戰(zhàn)略性舉措，旨在擴(kuò)展高壓寬禁帶半導(dǎo)體器件產(chǎn)品范圍。 Nexperia的首款SiC肖特基二極管為工業(yè)級(jí)器件，重復(fù)反向峰值電壓為650V(VRRM)，持續(xù)正向電流為10A(IF)，旨在為功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用實(shí)現(xiàn)超高性能、高效率、低損耗。以及兼容高壓的具有更高爬電距離的純雙引腳(R2P)封裝，使該系列
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Qorvo?收購(gòu)領(lǐng)先的碳化硅功率半導(dǎo)體供應(yīng)商UnitedSiC公司

移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防應(yīng)用中RF解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo?,Inc.（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今天宣布，已收購(gòu)位于新澤西州普林斯頓領(lǐng)先碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商UnitedSiC公司。對(duì)UnitedSiC的收購(gòu)擴(kuò)大了Qorvo在快速增長(zhǎng)的電動(dòng)汽車（EV）、工業(yè)電源、電路保護(hù)、可再生能源和數(shù)據(jù)中心電源市場(chǎng)的影響力。UnitedSiC公司將成為Qorvo基礎(chǔ)設(shè)施和國(guó)防產(chǎn)品（IDP）業(yè)務(wù)之一，將由Chris Dries博士領(lǐng)導(dǎo)，他曾是UnitedSiC公司的總裁兼首席執(zhí)行官，現(xiàn)任Qorv
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恩智浦利用信號(hào)質(zhì)量提升技術(shù)解決CAN FD帶寬限制難題

恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors N.V.）近日宣布其CAN信號(hào)質(zhì)量提升（SIC）技術(shù)已用于TJA146x收發(fā)器系列中，并已經(jīng)成功應(yīng)用到長(zhǎng)安汽車最新的平臺(tái)中。恩智浦的CAN SIC技術(shù)有效提升了CAN信號(hào)質(zhì)量，使CAN FD網(wǎng)絡(luò)能夠在更大型復(fù)雜網(wǎng)絡(luò)中運(yùn)行，實(shí)現(xiàn)更快的數(shù)據(jù)傳輸速率。這項(xiàng)經(jīng)濟(jì)高效的技術(shù)能夠擴(kuò)展CAN FD的潛力和靈活性，從而應(yīng)對(duì)下一代汽車的網(wǎng)絡(luò)挑戰(zhàn)。中國(guó)汽車制造商長(zhǎng)安汽車是第一家在生產(chǎn)中采用恩智浦的CAN SIC技術(shù)的汽車客戶?！? ?長(zhǎng)安汽車成為第一家采
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碳化硅在新能源汽車中的應(yīng)用現(xiàn)狀與導(dǎo)入路徑

碳化硅具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率等特點(diǎn)，可以很好地滿足新能源汽車電動(dòng)化發(fā)展趨勢(shì)，引領(lǐng)和加速了汽車電動(dòng)化進(jìn)程，對(duì)新能源汽車發(fā)展具有重要意義。我國(guó)新能源汽車正處于市場(chǎng)導(dǎo)入期到產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)期過渡的關(guān)鍵階段，汽車產(chǎn)銷量、保有量連續(xù)6年居世界首位，在全球產(chǎn)業(yè)體系當(dāng)中占了舉足輕重的地位。新能源汽車產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展，極大地推動(dòng)了碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展與技術(shù)創(chuàng)新，為碳化硅產(chǎn)品的技術(shù)驗(yàn)證和更新迭代提供了大量數(shù)據(jù)樣本。
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碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)誰是寬禁帶(WBG)材料的未來？

以GaN和SiC為代表第三代半導(dǎo)體正處于高速發(fā)展的階段，Si和GaAs等第一、二代半導(dǎo)體材料也仍在產(chǎn)業(yè)中大規(guī)模應(yīng)用。但不可否認(rèn)，第三代半導(dǎo)體確實(shí)具有更多的性能優(yōu)勢(shì)。
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Microchip首款碳化硅MOSFET 可降低50%開關(guān)損耗

隨著對(duì)電動(dòng)公共汽車和其他電氣化重型運(yùn)輸車輛的需求增加，以滿足更低的碳排放目標(biāo)，基于碳化硅的電源管理解決方案正在為此類運(yùn)輸系統(tǒng)提供更高效率。為了進(jìn)一步擴(kuò)充其廣泛的碳化硅MOSFET分離式和模塊產(chǎn)品組合，Microchip推出一款全新 ”生產(chǎn)就緒”的1200V數(shù)字柵極驅(qū)動(dòng)器，為系統(tǒng)開發(fā)人員提供多層級(jí)的控制和保護(hù)，以實(shí)現(xiàn)安全、可靠的運(yùn)輸并滿足嚴(yán)格的行業(yè)要求。 Microchip推出首款碳化硅MOSFET數(shù)字柵極驅(qū)動(dòng)器，可降低50%開關(guān)損耗對(duì)于碳化硅電源轉(zhuǎn)換設(shè)備的設(shè)計(jì)人員來說，Microchip的Agi
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圖騰柱 PFC 級(jí)受益于CoolSiC? MOSFET

無橋式圖騰柱功率因數(shù)校正（PFC）級(jí)可用于滿足嚴(yán)格的效率標(biāo)準(zhǔn)，但使用硅 MOSFET 時(shí)出現(xiàn)的較高損耗是不可接受的，而解決方案則是使用寬帶隙碳化硅（SiC）器件。本文將討論能夠?qū)崿F(xiàn)這些改進(jìn)的 SiC器件性能參數(shù)。
關(guān)鍵字：碳化硅圖騰柱 PFC 體二極管恢復(fù) 電荷效率損耗輸出電容

意法半導(dǎo)體收購(gòu)Norstel AB 強(qiáng)化碳化硅產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈

近年隨著電動(dòng)汽車產(chǎn)業(yè)崛起，碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體市場(chǎng)需求激增，吸引產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)企業(yè)的關(guān)注，國(guó)際間碳化硅(SiC)晶圓的開發(fā)驅(qū)使SiC爭(zhēng)奪戰(zhàn)正一觸即發(fā)。與硅(Si)相比，碳化硅是具有比硅更寬的能帶隙(energy bandgap，Eg)的半導(dǎo)體；再者，碳化硅具有更高的擊穿電場(chǎng) (breakdown electric field，Ec)，因此可被用于制造功率組件應(yīng)用之電子電路的材料，因?yàn)橛锰蓟柚瞥傻男酒词购穸认鄬?duì)小也能夠經(jīng)受得起相對(duì)高的電壓。表一分別示出了硅和碳化硅的能帶隙(Eg)、擊穿電場(chǎng)(Ec)和電
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