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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)

          英飛凌推出1200 V CoolSiC MOSFET M1H芯片,以增強特性進一步提高系統(tǒng)能效

          • 英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了一項全新的CoolSiC?技術(shù),即CoolSiC? MOSFET 1200 V M1H。這款先進的碳化硅(SiC)芯片用于頗受歡迎的Easy模塊系列,以及采用基于.XT互連技術(shù)的分立式封裝,具有非常廣泛的產(chǎn)品組合。M1H芯片具有很高的靈活性,適用于必須滿足峰值電力需求的太陽能系統(tǒng),如光伏逆變器。同時,這款芯片也是電動汽車快充、儲能系統(tǒng)和其他工業(yè)應用的理想選擇。CoolSiC技術(shù)取得的最新進展使得柵極驅(qū)動電壓窗口明顯增大,從而降低了既定芯片面積下的導通電阻。與此同時,隨著柵極運行
          • 關(guān)鍵字: SiC  太陽能  MOSFET  

          克服疫情,大灣區(qū)首臺全自動化SiC動態(tài)測試系統(tǒng)在北理汽車研究院交付

          • _____日前,泰克攜手方案合作伙伴忱芯科技向北京理工大學深圳汽車研究院交付了一臺全自動化SiC功率模塊動態(tài)測試系統(tǒng),此為今年度向客戶交付的第五臺SiC功率模塊動態(tài)測試系統(tǒng),亦是大灣區(qū)的首臺全自動化SiC功率模塊動態(tài)測試系統(tǒng)。此系統(tǒng)集成了來自泰克的專門針對第三代半導體測試的硬件設(shè)備,從而解決了“測不準”、“測不全”、“不可靠”這三個難題的挑戰(zhàn)。忱芯作為泰克科技的解決方案合作伙伴,在去年“碳化硅功率半導體及應用研討會”上結(jié)成了全范圍的戰(zhàn)略合作聯(lián)盟,進行深度整合資源,圍繞寬禁帶功率半導體測試領(lǐng)域開展全產(chǎn)業(yè)鏈的
          • 關(guān)鍵字: Tektroni  SiC  動態(tài)測試系統(tǒng)  

          ROHM建立8V閘極耐壓150V GaN HEMT量產(chǎn)體制

          • 半導體制造商ROHM已建立150V耐壓GaN HEMT GNE10xxTB系列(GNE1040TB)?的量產(chǎn)體制,該系列產(chǎn)品的閘極耐壓(閘極-源極間額定電壓)高達8V,非常適用于基地臺、數(shù)據(jù)中心等工控設(shè)備和各類型IoT通訊裝置的電源電路。 EcoGaN首波產(chǎn)品 GNE10xxTB系列?有助基地臺和數(shù)據(jù)中心實現(xiàn)低功耗和小型化一般來說,GaN組件具有優(yōu)異的低導通電阻和高速開關(guān)性能,有助降低各種電源功耗和實現(xiàn)外圍組件小型化。但其閘極耐壓很低,因此在開關(guān)工作時的組件可靠性方面尚存在課題。針對該課題,RO
          • 關(guān)鍵字: SiC  GaN  ROHM   

          羅姆SiC評估板測評:快充測試

          • 一、測試工裝準備1、P02SCT3040KR-EVK-001測試板2、電壓源3、示波器4、負載儀二、測試項目進行1、安裝 SIC后的空載波形SiC安裝空載波形空板,空載GS 為100hz 25V 信號2、DCDC 在線測試1)空載測試驅(qū)動空載輸出12V,gs驅(qū)動為200hz總寬度3.6uS的錐形信號2)加載  24轉(zhuǎn)55V  2A dcdc驅(qū)動信號波形如下:帶載 6.6k 15V驅(qū)動信號單脈沖寬度,3uS左右總結(jié)由于輕負載,溫度始終未超過50度。開關(guān)速度方面優(yōu)于硅基產(chǎn)品,以后有對應設(shè)備
          • 關(guān)鍵字: SiC  碳化硅  MOSFET  ROHM  

          羅姆SiC評估板測評:射頻熱凝控制儀測試

          • 測試設(shè)備①直流電源由于手上沒有高電壓的直流電源,只能使用一般的電源,且手上只有一個低壓直流穩(wěn)壓源,所以這穩(wěn)壓電源既用于給開發(fā)板電源供電,又用于半橋母線電源。②電子負載半橋電源電源的輸出負載,可恒流或者恒壓或者恒負載,測試電源的帶載能力非常好用。③信號發(fā)生器產(chǎn)生不同頻率的可調(diào)制的方波信號,用于MOS管的驅(qū)動④示波器觀察驅(qū)動信號、輸出信號、MOS管的波形⑤萬用表測量各測試點的電壓⑥溫度巡檢儀測量帶載后MOS管的溫度測試拓撲將說明書中電路按照上述描述修改:兩個直流電源換成CBB電容,在Hvdc母線上加上12V電
          • 關(guān)鍵字: SiC  碳化硅  MOSFET  ROHM  

          羅姆SiC評估板測評:基于碲化鎘弱光發(fā)電玻璃的高效功率變換技術(shù)研究

          • 感謝ROHM公司提供的P02SCT3040KR-EVK-001評估板,有幸參與評估板的測試。拿到評估板的第一感覺就是扎實,評估板四層PCB的板子厚度達到了30mm;高壓區(qū)域也有明顯的標識。
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          SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)解析

          • 本文將對SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進行介紹。
          • 關(guān)鍵字: SiC  碳化硅  MOSFET  

          碳化硅MOSFET晶體管的特征

          • 功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要,為進一步實現(xiàn)低損耗與應用尺寸小型化,一直在進行各種改良。
          • 關(guān)鍵字: SiC  碳化硅  MOSFET  

          SiC-SBD與Si-PND的正向電壓比較

          • 本文對二極管最基本的特性–正向電壓VF特性的區(qū)別進行說明。
          • 關(guān)鍵字: SiC  碳化硅  SBD  

          SiC-SBD與Si-PND的反向恢復特性比較

          • 反向恢復特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數(shù),所以不僅要比較trr的數(shù)值,還要理解其波形和溫度特性,這樣有助于有效使用二極管。
          • 關(guān)鍵字: SiC  碳化硅  SBD  

          SiC肖特基勢壘二極管的特征,及與Si二極管的比較

          • 繼SiC功率元器件的概述之后,將針對具體的元器件進行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開始。
          • 關(guān)鍵字: 碳化硅  SiC  SBD  肖基特二極管  

          SiC功率元器件的開發(fā)背景和優(yōu)點

          • SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點進行介紹。
          • 關(guān)鍵字: SiC  碳化硅  

          什么是碳化硅?SiC的特性和特征

          • 碳化硅(SiC)是比較新的半導體材料。本文來了解一下它的物理特性和特征。
          • 關(guān)鍵字: SiC  碳化硅  

          ST先進SiC牽引電機逆變器解決方案

          • 意法半導體(ST)作為全球領(lǐng)先的汽車半導體供應商之一,多年前就開始布局新能源汽車領(lǐng)域,在2019年正式成立新能源車技術(shù)創(chuàng)新中心,推出了SiC牽引電機逆變器的整體解決方案。該方案按照功能安全IS026262標準流程開發(fā),滿足ASIL D等級。基于AutoSAR的軟件架構(gòu)和模型化的軟件算法,為客戶前期方案評估和后續(xù)開發(fā)提供了便利,大大縮短了整個研發(fā)周期。
          • 關(guān)鍵字: SiC  碳化硅  牽引逆變器  

          ST第三代碳化硅技術(shù)問世 瞄準汽車與工業(yè)市場應用

          • 電源與能源管理對人類社會未來的永續(xù)發(fā)展至關(guān)重要。意法半導體汽車和離散組件產(chǎn)品部(ADG)執(zhí)行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo MERLI說明,從圖二可以看到由于全球能源需求正在不斷成長,我們必須控制碳排放,并將氣溫上升控制在1.5度以下,減排對此非常重要,但要實現(xiàn)這些要有科技的支持,包括可再生能源的利用,ST對此也有制定一些具體的目標。?圖二圖三顯示的是一些關(guān)于如何利用電力科技實現(xiàn)各種節(jié)能目標的具體數(shù)據(jù),圖中是對全球電力消耗狀況的統(tǒng)計。僅就工業(yè)領(lǐng)域來說,如果能將電力利用效率提升1%,
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          碳化硅(sic)介紹

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