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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)

          瘋狂的碳化硅,國內(nèi)狂追!

          • 近幾日,英飛凌在碳化硅合作與汽車半導(dǎo)體方面合作動態(tài)頻頻,再度引起業(yè)界對碳化硅材料關(guān)注。1月23日,英飛凌與Wolfspeed宣布擴大并延伸現(xiàn)有的長期150mm碳化硅晶圓供應(yīng)協(xié)議(原先的協(xié)議簽定于2018年2月)。延伸后的合作將包括一個多年期產(chǎn)能預(yù)留協(xié)議。這將有助于保證英飛凌整個供應(yīng)鏈的穩(wěn)定,同時滿足汽車、太陽能、電動汽車充電應(yīng)用、儲能系統(tǒng)等領(lǐng)域?qū)τ谔蓟璋雽?dǎo)體不斷增長的需求。據(jù)英飛凌科技首席執(zhí)行官 JochenHanebeck 消息,為了滿足不斷增長的碳化硅器件需求,英飛凌正在落實一項多供應(yīng)商戰(zhàn)略,從而在
          • 關(guān)鍵字: 碳化硅  英飛凌  晶圓  

          安森美碳化硅技術(shù)專家“把脈”汽車產(chǎn)業(yè)2024年新風(fēng)向

          • 回首2023年,盡管全球供應(yīng)鏈面臨多重挑戰(zhàn),但我們看到了不少閃光點,比如AIGC的熱潮、汽車電子的火爆,以及物聯(lián)網(wǎng)的小跑落地……今天,安森美(onsemi)碳化硅技術(shù)專家牛嘉浩先生為大家?guī)砹怂麑^去一年的經(jīng)驗總結(jié)和對新一年的展望期盼。汽車產(chǎn)業(yè)鏈中的困難與挑戰(zhàn)在過去一年中,汽車芯片短缺、全球供應(yīng)鏈的復(fù)雜性和不確定性及市場需求的變化,可能是汽車產(chǎn)業(yè)鏈最為棘手的難題,汽車制造商需要不斷調(diào)整生產(chǎn)和采購策略以應(yīng)對潛在的風(fēng)險和瓶頸。隨著更多傳統(tǒng)車企和新興造車勢力進(jìn)入新能源汽車市場,競爭壓力加大,汽車制造商需要不斷提
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          帶隙對決:GaN和SiC,哪個會占上風(fēng)?

          • 電力電子應(yīng)用希望納入新的半導(dǎo)體材料和工藝。
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          意法半導(dǎo)體:SiC新工廠今年投產(chǎn),豐沛產(chǎn)能滿足井噴市場需求

          • 回首2023,碳化硅和氮化鎵行業(yè)取得了哪些進(jìn)步?出現(xiàn)了哪些變化?2024將迎來哪些新機遇和新挑戰(zhàn)?為更好地解讀產(chǎn)業(yè)格局,探索未來的前進(jìn)方向,行家說三代半、行家極光獎聯(lián)合策劃了《行家瞭望——2024,火力全開》專題報道。本期嘉賓是意法半導(dǎo)體亞太區(qū)功率分立和模擬產(chǎn)品器件部市場和應(yīng)用副總裁Francesco MUGGERI(沐杰勵)。全工序SiC工廠今年投產(chǎn)第4代SiC MOS即將量產(chǎn)行家說三代半:據(jù)《2023碳化硅(SiC)產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書》統(tǒng)計,2023年全球新發(fā)布碳化硅主驅(qū)車型又新增了40多款,預(yù)計明年部分
          • 關(guān)鍵字: 意法半導(dǎo)體  SiC  

          臻驅(qū)科技擬投超6億元新增SiC功率模塊項目

          • 2月1日消息,近日,浙江嘉興平湖市政府公示了“年產(chǎn)90萬片功率模塊、45萬片PCBA板和20萬臺電機控制器”建設(shè)項目規(guī)劃批前公告。據(jù)披露,該項目建設(shè)單位為臻驅(qū)科技的全資子公司——臻驅(qū)半導(dǎo)體(嘉興)有限公司,臻驅(qū)半導(dǎo)體擬投約資6.45億元在平湖市經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)新明路南側(cè)建造廠房用于生產(chǎn)及研發(fā)等,項目建筑面積達(dá)45800m2。公開資料顯示,臻驅(qū)科技成立于2017年,是一家提供國產(chǎn)功率半導(dǎo)體及新能源汽車驅(qū)動解決方案的公司,總部位于上海浦東,在上海臨港、廣西柳州、浙江平湖及德國亞?。ˋachen)等地布局了多家子
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          Qorvo? 推出D2PAK 封裝 SiC FET,提升 750V 電動汽車設(shè)計性能

          • 中國 北京,2024 年 1 月 30 日——全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo?(納斯達(dá)克代碼:QRVO)今日宣布一款符合車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的碳化硅(SiC)場效應(yīng)晶體管(FET)產(chǎn)品;在緊湊型 D2PAK-7L 封裝中實現(xiàn)業(yè)界卓越的 9mΩ 導(dǎo)通電阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作為 Qorvo 全新引腳兼容 SiC FET 系列的首款產(chǎn)品,導(dǎo)通電阻值最高可達(dá) 60mΩ,非常適合車載充電器、DC/DC 
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          英飛凌與Wolfspeed延長多年期碳化硅150mm晶圓供應(yīng)協(xié)議

          • 據(jù)外媒,1月23日,英飛凌與美國半導(dǎo)體制造商Wolfspeed發(fā)布聲明,宣布擴大并延長雙方2018年2月簽署的現(xiàn)有150mm碳化硅晶圓長期供應(yīng)協(xié)議。根據(jù)聲明,雙方延長的的合作關(guān)系中包括一項多年期產(chǎn)能預(yù)留協(xié)議。新協(xié)議有助于提高英飛凌總體供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性,同時滿足汽車、太陽能和電動汽車應(yīng)用以及儲能系統(tǒng)對碳化硅晶圓產(chǎn)品日益增長的需求。英飛凌科技首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck表示,希望在全球范圍內(nèi)保障對于150mm和200mm碳化硅晶圓的高品質(zhì)、長期供應(yīng)優(yōu)質(zhì)貨源。
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          SiC生長過程及各步驟造成的缺陷

          • 眾所周知,提高 SiC 晶圓質(zhì)量對制造商來說非常重要,因為它直接決定了 SiC 器件的性能,從而決定了生產(chǎn)成本。然而,具有低缺陷密度的 SiC 晶圓的生長仍然非常具有挑戰(zhàn)性。SiC 晶圓制造的發(fā)展已經(jīng)完成了從100毫米(4英寸)到150毫米(6英寸)晶圓的艱難過渡,正在向8英寸邁進(jìn)。SiC 需要在高溫環(huán)境下生長,同時具有高剛性和化學(xué)穩(wěn)定性,這導(dǎo)致生長的 SiC 晶片中晶體和表面缺陷的密度很高,導(dǎo)致襯底質(zhì)量和隨后制造的外延層質(zhì)量差?。本篇文章主要總結(jié)了?SiC 生長過程及各步驟造成的缺陷
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          致瞻科技采用意法半導(dǎo)體碳化硅技術(shù),提高新能源汽車電動空調(diào)壓縮機控制器能效

          • 2024年1月18日,中國--服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM) 宣布,與聚焦于碳化硅(SiC)半導(dǎo)體功率模塊和先進(jìn)電力電子變換系統(tǒng)的中國高科技公司致瞻科技合作,為致瞻科技電動汽車車載空調(diào)中的壓縮機控制器提供意法半導(dǎo)體第三代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)。采用高能效的控制器可為新能源汽車帶來諸多益處,以動力電池容量60kWh~90kWh的中型電動汽車為例,續(xù)航里程可延長5到10公里,在夏冬
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          Transphorm發(fā)布兩款4引腳TO-247封裝器件,針對高功率服務(wù)器、可再生能源、工業(yè)電力轉(zhuǎn)換領(lǐng)域擴展產(chǎn)品線

          • 加利福尼亞州戈萊塔 – 2024 年 1 月 17 日 — 全球領(lǐng)先的氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體供應(yīng)商 Transphorm, Inc.(納斯達(dá)克:TGAN)今日宣布推出兩款采用 4 引腳 TO-247 封裝(TO-247-4L)的新型 SuperGaN? 器件。新發(fā)布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分別具有 35 毫歐和 50 毫歐的導(dǎo)通電阻,并配有一個開爾文源極端子,以更低的能量損耗為客戶實現(xiàn)更全面的開關(guān)功能。新
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          英飛凌已與碳化硅 (SiC) 供應(yīng)商 SK Siltron CSS 達(dá)成協(xié)議

          • 據(jù)英飛凌官網(wǎng)消息,近日,英飛凌已與碳化硅 (SiC) 供應(yīng)商 SK Siltron CSS 正式達(dá)成協(xié)議。據(jù)悉,SK Siltron CSS將為英飛凌提供具有競爭力的高質(zhì)量150mm SiC晶圓,支持SiC半導(dǎo)體的生產(chǎn)。在后續(xù)階段,SK Siltron CSS將在協(xié)助英飛凌向200 mm 晶圓直徑過渡方面發(fā)揮重要作用。據(jù)了解,英飛凌首席采購官 Angelique van der Burg 表示:“對于英飛凌來說,供應(yīng)鏈彈性意味著實施多供應(yīng)商戰(zhàn)略,并在逆境中蓬勃發(fā)展,創(chuàng)造新的增長機會并推
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  碳化硅  SK Siltron CSS  晶圓  

          安森美:緊握第三代半導(dǎo)體市場,助力產(chǎn)業(yè) 轉(zhuǎn)型與可持續(xù)發(fā)展

          • 1 轉(zhuǎn)型成功的2023得益于成功的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型,在汽車和工業(yè)市場增長的 推動下,安森美在 2023 年前 3 季度的業(yè)績都超預(yù)期。 其中,第一季度由先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS) 和能源基 礎(chǔ)設(shè)施終端市場帶來的收入均同比增長約 50%,在第 二季度汽車業(yè)務(wù)收入超 10 億美元,同比增長 35%,創(chuàng) 歷史新高,第三季度汽車和工業(yè)終端市場都實現(xiàn)創(chuàng)紀(jì)錄 收入。安森美大中華區(qū)銷售副總裁Roy Chia2 深入布局碳化硅領(lǐng)域在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域,安森美專注于 SiC,重點聚 焦于汽車、能源、電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施等應(yīng)
          • 關(guān)鍵字: 安森美  第三代半導(dǎo)體  碳化硅  SiC  

          SiC 長期供貨,理想簽協(xié)議

          • 意法半導(dǎo)體與理想汽車簽署碳化硅長期供貨協(xié)議。
          • 關(guān)鍵字: SiC  

          工業(yè)電源模塊對功率器件的要求

          • 工業(yè)電源的作用是將交流電轉(zhuǎn)換為直流電,在工業(yè)領(lǐng)域為設(shè)備提供穩(wěn)定的電力供應(yīng),在工業(yè)自動化、通訊、醫(yī)療、數(shù)據(jù)中心、新能源儲能等領(lǐng)域廣泛使用。與普通的電源相比,工業(yè)電源應(yīng)用環(huán)境苛刻復(fù)雜,對電源的穩(wěn)定性要求更高,需滿足一些特殊要求,如低功耗、高功率密度、高可靠性和高耐用性,同時,它對EMI和穩(wěn)定性的要求也比其它應(yīng)用更為嚴(yán)格。按在電能轉(zhuǎn)換過程中的位置做分類,電源可分為一次電源和二次電源。模塊電源屬于二次電源,是采用優(yōu)化的電路和結(jié)構(gòu)設(shè)計,利用先進(jìn)的工藝和封裝技術(shù)制造, 形成的一個結(jié)構(gòu)緊湊、體積小、高可靠的電子穩(wěn)壓電源
          • 關(guān)鍵字: 工業(yè)電源  功率器件  碳化硅  

          電動汽車市場催生碳化硅新前景

          • 第三代半導(dǎo)體材料是指以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料。與前兩代半導(dǎo)體材料相比,第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度,更高的擊穿電場、熱導(dǎo)率以及電子飽和速率,并且在抗輻射能力方面也具有優(yōu)勢。這些特性使得第三代半導(dǎo)體材料制備的半導(dǎo)體器件適用于高電壓、高頻率場景,并且能夠以較少的電能消耗獲得更高的運行能力。因此,第三代半導(dǎo)體材料在5G基站、新能源車、光伏、風(fēng)電、高鐵等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用潛力。其中,碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表,在汽車電子領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。在新能源汽車領(lǐng)域,
          • 關(guān)鍵字: 碳化硅  氮化鎵  新能源汽車  汽車電子  
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          碳化硅(sic)介紹

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