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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)

          碳化硅(sic) 文章 進入碳化硅(sic)技術社區(qū)

          碳化硅智造升級 浪潮信息存儲筑基廣東天域MES核心數(shù)據(jù)底座

          • 隨著人工智能技術的飛速發(fā)展,越來越多的企業(yè)開始探索如何將人工智能技術融入業(yè)務流程中,以提升質(zhì)量、降本增效。在高精尖制造業(yè)領域,人工智能、自動駕駛等新興產(chǎn)業(yè)對碳化硅材料的需求日益增多,大力發(fā)展碳化硅產(chǎn)業(yè),可帶動原材料與設備2000億級產(chǎn)業(yè),加快我國向高端材料、高端設備制造業(yè)轉(zhuǎn)型發(fā)展的步伐。廣東天域聯(lián)手浪潮信息,為MES關鍵業(yè)務打造穩(wěn)定、高效、智能的數(shù)據(jù)存儲底座,讓數(shù)字機臺、智能制造"有底有數(shù)"。廣東天域半導體股份有限公司成立于2009年,是我國最早實現(xiàn)第三代半導體碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化的企業(yè)
          • 關鍵字: 碳化硅    浪潮信息  MES  核心數(shù)據(jù)底座   

          Power Integrations升級你的電池管理系統(tǒng)

          • 電池組,無疑是電動汽車心臟般的存在,它不僅是車輛動力之源,更是決定車輛成本高低的關鍵因素。作為電動汽車中最昂貴的單個組件,電池組承載了車輛行駛所需的大部分能量,而其內(nèi)部的每一個電池單元都需要經(jīng)過精密的監(jiān)測和控制,以維持其長久且安全的使用壽命。電池管理系統(tǒng)(BMS),作為電池組的“大腦”,其任務繁重且關鍵。它要實時監(jiān)控每一個電池單元的健康狀況,確保它們的平衡與穩(wěn)定;還要負責操作電池組的加熱和冷卻系統(tǒng),確保電池在各種環(huán)境條件下都能維持最佳的工作狀態(tài);此外,BMS還需實時報告電池的充電狀態(tài),以便駕駛員能夠準確了
          • 關鍵字: BMS  電動汽車  碳化硅  Power Integrations  

          雜散電感對SiC和IGBT功率模塊開關特性的影響探究

          • IGBT和碳化硅(SiC)模塊的開關特性受到許多外部參數(shù)的影響,例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點討論直流鏈路環(huán)路電感(DC?Link loop inductance)和柵極環(huán)路電感(Gate loop inductance)對VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開關特性的影響,本文為第一部分,將主要討論直流鏈路環(huán)路電感影響分析。測試設置雙脈沖測試 (Double Pulse Test ,DPT) 采用不同的設置來分析SiC和IGBT模塊的開關特性
          • 關鍵字: 雜散電感  SiC  IGBT  開關特性  

          柵極環(huán)路電感對SiC和IGBT功率模塊開關特性的影響分析

          • IGBT和碳化硅(SiC)模塊的開關特性受到許多外部參數(shù)的影響,例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點討論直流鏈路環(huán)路電感(DC?Link loop inductance)和柵極環(huán)路電感(Gate loop inductance)對VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開關特性的影響,本文為第二部分,將主要討論柵極環(huán)路電感影響分析。(點擊查看直流鏈路環(huán)路電感分析)測試設置雙脈沖測試 (Double Pulse Test ,DPT) 采用不同的設置來分析S
          • 關鍵字: IGBT  SiC  開關特性  

          Qorvo SiC FET與SiC MOSFET優(yōu)勢對比

          • 在之前一篇題為《功率電子器件從硅(Si)到碳化硅(SiC)的過渡》的博文中,我們探討了碳化硅(SiC)如何成為功率電子市場一項“顛覆行業(yè)生態(tài)”的技術。如圖1所示,與硅(Si)材料相比,SiC具有諸多技術優(yōu)勢,因此我們不難理解為何它已成為電動汽車(EV)、數(shù)據(jù)中心和太陽能/可再生能源等許多應用領域中備受青睞的首選技術。圖1.硅與碳化硅的對比眾多終端產(chǎn)品制造商紛紛選擇采用SiC技術替代硅基工藝,來開發(fā)基于雙極結型晶體管(BJT)、結柵場效應晶體管(JFET)、金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)和絕緣
          • 關鍵字: Qorvo  SiC  MOSFET  

          全面升級!安森美第二代1200V SiC MOSFET關鍵特性解析

          • 安森美(onsemi)發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET,命名為M3S,其中S代表開關。M3S 系列專注于提高開關性能,相比于第一代1200V碳化硅MOSFET,除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ,還針對工業(yè)電源系統(tǒng)中的高功率應用進行了優(yōu)化,如太陽能逆變器、ESS、UPS 和電動汽車充電樁等。幫助開發(fā)者提高開關頻率和系統(tǒng)效率。本應用筆記將描述M3S的一些關鍵特性,與第一代相比的顯著性能提升,以及一些實用設計技巧。本文為第一部分,將重點介紹M3S的一些關鍵特性以及與
          • 關鍵字: 碳化硅  SiC  MOSFET  

          SiC邁入8英寸時代,國際大廠量產(chǎn)前夕國內(nèi)廠商風口狂追

          • 近日,包括Wolfspeed、韓國釜山政府、科友等在第三代半導體SiC/GaN上出現(xiàn)新進展。從國內(nèi)外第三代化合物進展看,目前在碳化硅領域,國際方面8英寸SiC晶圓制造已邁向量產(chǎn)前夕,國產(chǎn)廠商方面則有更多廠家具備量產(chǎn)能力,產(chǎn)業(yè)鏈條進一步完善成熟,下文將進一步說明最新情況。SiC/GaN 3個項目最新動態(tài)公布Wolfspeed德國8英寸SiC工廠或?qū)⒀舆t至明年建設近日,據(jù)外媒消息,Wolfspeed與采埃孚聯(lián)合投資建設的德國8英寸SiC晶圓廠建設計劃或被推遲,最早將于2025年開始。據(jù)悉,該工廠由Wolfsp
          • 關鍵字: SiC  8英寸  

          小米首款汽車發(fā)售,碳化硅加速前行

          • 3月28日,小米公司正式發(fā)布了小米SU7,一共有三款配置,分別是小米SU7 標準版,售價21.59萬元;小米SU7 Pro版,售價24.59萬元;小米SU7 Max版,售價29.99萬元。圖片來源:小米公司2021年3月,小米創(chuàng)始人雷軍正式宣告小米造車。近三年時間過去,小米SU7正式發(fā)布,其相關供應商也浮出水面,既有包括高通、英偉達、博世等國際供應商,也包含了比亞迪、寧德時代、揚杰科技等本土供應鏈廠商。芯片領域,英偉達為小米汽車提供自動駕駛芯片,小米SU7搭載了英偉達兩顆NVIDIA DRIVE Orin
          • 關鍵字: 小米  汽車  碳化硅  

          華泰證券:先進封裝、碳化硅出海及元宇宙顯示的發(fā)展機會

          • 華泰證券發(fā)布研報稱,在3月20日-3月22日開展的2024 SEMICON China(上海國際半導體展覽會)上,華泰證券與數(shù)十家國內(nèi)外頭部半導體企業(yè)交流,并參加相關行業(yè)論壇,歸納出以下趨勢:1)前道設備:下游需求旺盛,國產(chǎn)廠商持續(xù)推出新品,完善工藝覆蓋度;2)后道設備:AI拉動先進封裝需求,測試機國產(chǎn)化提速;3)SiC:2024或是襯底大規(guī)模出海與國產(chǎn)8寸元年;4)元宇宙和微顯示:硅基OLED有望成為VR設備主流顯示方案,AI大模型出現(xiàn)可能推動智慧眼鏡等輕量級AR終端快速增長?! ∪A泰證券主要觀點如下:
          • 關鍵字: 元宇宙  AR  VR  碳化硅  先進封裝  

          將達100億美元,SiC功率器件市場急速擴張

          • SiC 市場的快速擴張主要得益于電動汽車的需求,預計 2023 年市場將比上年增長 60%。
          • 關鍵字: GaN  SiC  

          意法半導體碳化硅數(shù)位電源解決方案被肯微科技采用用于高效率可靠的服務器電源供應器設計及應用

          • 服務橫跨多重電子應用領域的全球半導體領導廠商意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)近日宣布與高效能電源供應領導廠商肯微科技合作,設計及研發(fā)使用ST被業(yè)界認可的碳化硅(SiC)、電氣隔離和微控制器的服務器電源參考設計技術。該參考方案是電源設計數(shù)位電源轉(zhuǎn)換器應用的理想選擇,尤其在服務器、數(shù)據(jù)中心和通信電源的領域。隨著人工智能(AI)、5G和物聯(lián)網(wǎng)(IoT)的推波助瀾下,對數(shù)位服務的需求持續(xù)成長,能源及用電控制是數(shù)據(jù)中心永續(xù)發(fā)展需面對的重要課題。STDES-3KWTLCP參考設計適用于3k
          • 關鍵字: 意法半導體  碳化硅  數(shù)字電源  數(shù)位電源  電源  肯微  

          廠商“瘋狂”發(fā)力碳化硅

          • 3月27日,Wolfspeed宣布其全球最大、最先進的碳化硅工廠“John Palmour 碳化硅制造中心”封頂。據(jù)其介紹,“John Palmour碳化硅制造中心”總投資50億美元,占地445英畝,一期建設預計將于2024年底竣工。Wolfspeed首席執(zhí)行官Gregg Lowe表示,工廠已開始安裝長晶設備,預估今年12月份或者明年1月,這座工廠將會有產(chǎn)出。該工廠將主要制造200mm(8英寸)碳化硅晶圓,尺寸是150mm(6英寸)晶圓的1.7倍,滿足對于能源轉(zhuǎn)型和AI人工智能至關重要的新一代半導體的需求
          • 關鍵字: 功率半導體  碳化硅  

          總投資50億美元,Wolfspeed全球最大碳化硅工廠封頂

          • 據(jù)Wolfspeed官微消息,全球碳化硅技術引領者Wolfspeed在位于美國北卡羅來納州查塔姆縣的“John Palmour 碳化硅制造中心”舉辦建筑封頂慶祝儀式。據(jù)悉,John Palmour 碳化硅制造中心總投資50億美元,占地445英畝,一期建設預計將于2024年底竣工。該制造中心將制造200mm碳化硅(SiC)晶圓,顯著擴大Wolfspeed材料產(chǎn)能,滿足對于能源轉(zhuǎn)型和AI人工智能至關重要的新一代半導體的需求。產(chǎn)能的爬坡將為近期簽訂的客戶協(xié)議(瑞薩、英飛凌、以及其他企業(yè)等)提供支持,推動具有重要
          • 關鍵字: Wolfspeed  碳化硅  

          Wolfspeed宣布其全球最大、最先進的碳化硅工廠封頂

          • 2024年3月27日,Wolfspeed宣布,其在位于美國北卡羅來納州查塔姆縣的“John Palmour碳化硅制造中心”舉辦建筑封頂慶祝儀式。據(jù)官方介紹,“John Palmour碳化硅制造中心”總投資50億美元,獲得了來自公共部門和私營機構的支持,將助力從硅向碳化硅的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型,提升對于能源轉(zhuǎn)型至關重要的材料的供應。該中心占地445英畝,一期建設預計將于2024年底竣工,該中心將制造200mm碳化硅(SiC)晶圓,顯著擴大Wolfspeed材料產(chǎn)能,滿足對于能源轉(zhuǎn)型和AI人工智能至關重要的新一代半導體的
          • 關鍵字: 芯片制造  功率半導體  碳化硅  

          Wolfspeed 8英寸SiC襯底產(chǎn)線一期工程封頂

          • 3月28日消息,當?shù)貢r間3月26日,Wolfspeed宣布第三座工廠——8英寸SiC襯底產(chǎn)線一期工程舉行了封頂儀式。據(jù)了解,該工廠位于貝卡萊納州查塔姆縣,總投資50億美元(約合人民幣356億元),占地面積445英畝,主要生產(chǎn)8英寸SiC單晶襯底。目前,該工廠已有一些長晶爐設備進場,預計2024年底將完成一期工程建設,2025年上半年開始生產(chǎn),預計竣工達產(chǎn)后Wolfspeed的SiC襯底產(chǎn)量將擴大10倍。近期,Wolfspeed與瑞薩電子、英飛凌等公司簽署了客戶協(xié)議,查塔姆工廠的投建將為這些協(xié)議提供支持,同
          • 關鍵字: 碳化硅  Wolfspeed  SiC  瑞薩  英飛凌  
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          碳化硅(sic)介紹

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