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蘋果iPhone手機(jī)擴(kuò)容將導(dǎo)致今年閃存市場(chǎng)出現(xiàn)供不應(yīng)求局面
- 據(jù)iSuppli公司預(yù)測(cè)，蘋果今年的iPhone生產(chǎn)計(jì)劃可能導(dǎo)致新一輪閃存供貨危機(jī)的發(fā)生。據(jù)iSuppli公司預(yù)測(cè)，今年蘋果對(duì)其iPhone產(chǎn)品進(jìn)行升級(jí)之后，iPhone手機(jī)產(chǎn)品的閃存容量將平均達(dá)到35GB之多，比現(xiàn)有的最大容量32GB還多。再加上iPhone本身的銷量還將進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)幅度為32%的增長(zhǎng)，達(dá)到3300萬(wàn)部左右，這樣全球閃存市場(chǎng)今年將因此而再次呈現(xiàn)閃存供應(yīng)緊張的局面。 過(guò)去，蘋果每年都會(huì)將其設(shè)備所裝備的閃存容量以每年增加一倍的速度提升，這樣今年其iPhone手機(jī)的閃存容量有望達(dá)到64
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技術(shù)領(lǐng)先領(lǐng)先別無(wú)所求：Intel NAND閃存新戰(zhàn)略縱覽
- 在最近舉辦的一次會(huì)議上，Intel公司屬下NAND閃存集團(tuán)的新任老總Tom Rampone透露了有關(guān)Intel閃存業(yè)務(wù)的一個(gè)驚人規(guī)劃，他們計(jì)劃在閃存技術(shù)和SSD產(chǎn)品市場(chǎng)上取得領(lǐng)先地位，但他們并不準(zhǔn)備在散片NAND閃存市場(chǎng) 上扮演領(lǐng)軍人的角色?？雌饋?lái)他們并不愿意在風(fēng)水輪流轉(zhuǎn)的NAND閃存散片市場(chǎng)和三星，現(xiàn)代以及東芝這些廠商一爭(zhēng)高下，但于此同時(shí),他們又表現(xiàn)出想把三星從SSD業(yè) 務(wù)排名第一的寶座上拉下來(lái)的意圖。 Intel不準(zhǔn)備在NAND閃存散片市場(chǎng)稱雄的決定令人稍感驚奇，過(guò)去他們一旦進(jìn)入某個(gè)市場(chǎng)，那
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NAND閃存芯片價(jià)格本月逐步趨于平穩(wěn)
- 根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研公司DRAMeXchange的最新統(tǒng)計(jì)，12月后半個(gè)月的MLC NAND閃存芯片價(jià)格和前半月相比持平，高密度芯片價(jià)格則將下降1-5%。 其中，16Gb芯片期貨價(jià)格下降2-7%，32Gb芯片價(jià)格持平或下降3%，兩種芯片后半個(gè)月的平均銷售價(jià)格預(yù)計(jì)為4.42美元和7.18美元，8Gb芯片的平均價(jià)格依舊保持在4.02美元。 盡管受到季節(jié)性銷售規(guī)律的影響，NAND閃存12月份的銷售價(jià)格依舊保持穩(wěn)定?？紤]到一些芯片制造商將重點(diǎn)轉(zhuǎn)移到了工藝升級(jí)上，產(chǎn)能上或受影響，很多下游廠商已經(jīng)開(kāi)始存貨為即
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Intel-鎂光發(fā)起反擊,2xnm制程N(yùn)AND芯片將投入試制
- 在本月22日召開(kāi)的一次電話會(huì)議上，鎂光公司聲稱他們很快便會(huì)試制出2x nm制程N(yùn)AND閃存芯片產(chǎn)品，并對(duì)其進(jìn)行取樣測(cè)試。盡管鎂光沒(méi)有透露這種2xnm制程的具體規(guī)格數(shù)字，但外界認(rèn)為他們很可能會(huì)于明年初公布有關(guān)的細(xì)節(jié)信 息。這樣，鎂光及其NAND技術(shù)的合作伙伴Intel公司很有希望在明年利用這種新制程技術(shù)，甩開(kāi)對(duì)手三星和東芝，重新回到領(lǐng)先全球NAND制作技術(shù)的寶 座上。目前Intel和鎂光兩家公司合資創(chuàng)立有一家專門負(fù)責(zé)NAND業(yè)務(wù)的IM閃存技術(shù)公司。 除了制造閃存芯片之外，Intel和鎂光還有出售基
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東芝第三季度NAND閃存營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng)近50%
- 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，市場(chǎng)研究公司iSuppli最新研究數(shù)據(jù)顯示，第三季度全球NAND閃存市場(chǎng)業(yè)績(jī)強(qiáng)勁，東芝表現(xiàn)最為搶眼，營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng)近50%。 全球NAND閃存市場(chǎng)第三季度的營(yíng)收較第二季度的31億美元，增長(zhǎng)了25.5%，達(dá)39.4億美元。東芝第三季度表現(xiàn)強(qiáng)于市場(chǎng)，其NAND閃存營(yíng)收較第二季度的9.24億美元增長(zhǎng)了47.5%，達(dá)14億美元。東芝在全球NAND閃存市場(chǎng)上位居第二，僅次于三星電子。 iSuppli資深分析師Michael Yang說(shuō)：“東芝在第三季度充分利用了有利的NAN
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Numonyx執(zhí)行長(zhǎng)：預(yù)計(jì)未來(lái)季度中將重新盈利
- 全球第三大閃存制造商--Numonyx執(zhí)行長(zhǎng)Brian Harrison周一表示,預(yù)計(jì)在接下來(lái)的季度中,公司將會(huì)開(kāi)始再度盈利,因該行業(yè)正擺脫長(zhǎng)期下滑趨勢(shì),而主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手經(jīng)營(yíng)困難也令公司擴(kuò)大份額。 Harrison在接受路透電話采訪時(shí)稱,公司在三季度接近收支平衡,"希望接下來(lái)季度中能盈利,但我們并沒(méi)有做任何預(yù)測(cè)。公司處于有利位置,我們的成本構(gòu)成大幅降低。" Numonyx是一家瑞士的私營(yíng)企業(yè),由英特爾和意法半導(dǎo)體合資設(shè)立。 Numonyx和韓國(guó)三星和日本東芝等其他大
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IEEE：NAND閃存技術(shù)將在十年之內(nèi)遭遇技術(shù)極限
- 《IEEE Transactions on Magnetics》上最近發(fā)表了卡內(nèi)基梅隆大學(xué)教授Mark Kryder、博士生Chang Soo kim的一篇研究文章。師徒倆研究了13種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，看它們到2020年的時(shí)候能否在單位容量成本上超越機(jī)械硬盤，結(jié)果選出了兩個(gè)最有希望的候選 者：相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)(PCRAM)、自旋極化隨機(jī)存取存儲(chǔ)(STTRAM)。 PCRAM我們偶爾會(huì)有所耳聞。它基于硫系玻璃的結(jié)晶態(tài)和非結(jié)晶態(tài)相變屬性，單元尺寸較小，而且每個(gè)單元內(nèi)能保存多個(gè)比特，因此存儲(chǔ)密度和成本
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傳Spansion將出售日本300mm工廠
- 據(jù)來(lái)自ISMI Symposium的消息，NOR閃存制造商Spansion將出售其300mm工廠。 Spansion高層拒絕對(duì)這座名為SP1工廠的狀態(tài)進(jìn)行評(píng)論。“SP1是Spansion Japan的資產(chǎn)，目前正在對(duì)可能的重組方案進(jìn)行評(píng)估。我們繼續(xù)和Spansion Japan緊密合作，并通過(guò)我們內(nèi)部和外部的資源，對(duì)客戶的要求進(jìn)行最大程度的支持。”Spansion在一份聲明中表示。 2007年，Spansion啟用業(yè)界首座300mm NOR閃存工廠。這座耗資12億美
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磁盤式存儲(chǔ)技術(shù)還有十年風(fēng)光：閃存硬盤前景不容樂(lè)觀
- 那些鼓吹基于閃存的SSD硬盤技術(shù)的人可能要感到失望了，因?yàn)閾?jù)最新的研究結(jié)果表明，如果磁盤技術(shù)按現(xiàn)有的速度發(fā)展下去，那么到2020年，雙碟2.5寸 硬盤的容量將能達(dá)到14TB左右，價(jià)格則會(huì)降到40美元的水平(目前500GB硬盤普遍售價(jià)為100美元左右),仍然具有相當(dāng)?shù)母?jìng)爭(zhēng)力。而盡管基于閃存的SSD硬盤產(chǎn)品由于在讀寫性能，省 電性能方面更為優(yōu)秀，正在日漸流行，但其每GB折算價(jià)格卻接近磁盤式硬盤的10倍,另外，閃存技術(shù)在2020年之前很可能會(huì)遇到性能發(fā)展上的瓶頸，這使基 于閃存的SSD硬盤即使在10年或更久
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市場(chǎng)供貨吃緊，NAND閃存合約價(jià)持續(xù)上揚(yáng)
- 研究機(jī)構(gòu)集邦科技(DRAM eXchange)表示，10月上旬主流MLC NAND Flash合約均價(jià)上漲約8%~10%，主要原因是多數(shù)供貨商已接獲部份電子系統(tǒng)廠客戶10月到11月的旺季長(zhǎng)單，同時(shí)近期記憶卡客戶的旺季備貨需求，因此NAND Flash市場(chǎng)供貨吃緊，在賣方主導(dǎo)市場(chǎng)下，10月上旬NAND Flash合約價(jià)持續(xù)地上揚(yáng)。 16Gb MLC NAND Flash合約價(jià)走勢(shì)圖 集邦科技指出，在10月到11月，多數(shù)NANDFlash供貨商份仍將優(yōu)先供貨給電子系
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分析稱2012年將普及USB3.0 速率可達(dá)到4.8G/s
- 賽迪網(wǎng)訊 9月20日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，調(diào)研公司In-Stat預(yù)計(jì)，到2010年70%的存儲(chǔ)設(shè)備將支持USB3.0標(biāo)準(zhǔn)。 早在2007年，USB 3.0標(biāo)準(zhǔn)就已經(jīng)建立。USB 3.0的數(shù)據(jù)傳輸速度可達(dá)到4.8Gbps，是USB2.0的10倍，為傳輸大容量文件帶來(lái)了方便。 In-Stat稱，USB 3.0設(shè)備將于明年開(kāi)始進(jìn)入市場(chǎng)，并將在未來(lái)幾年內(nèi)漸成主流。到2012年，預(yù)計(jì)70%的存儲(chǔ)設(shè)備將支持USB3.0，其中包括硬盤、閃存和便攜播放器等。
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2012年之前NAND閃存將保持價(jià)格上升趨勢(shì)
- 美國(guó)從事半導(dǎo)體相關(guān)市場(chǎng)調(diào)查的IC Insights發(fā)布預(yù)測(cè)稱，NAND閃存市場(chǎng)將迎來(lái)價(jià)格上升局面。IC Insights預(yù)測(cè)，由于在需求增加的情況下各大廠商減少設(shè)備投資，造成供需緊張，因此到2012年之前平均銷售價(jià)格將繼續(xù)保持上升趨勢(shì)。 IC Insights自1993年開(kāi)始就NAND閃存市場(chǎng)進(jìn)行調(diào)查以來(lái)，NAND閃存的供貨量低于上年業(yè)績(jī)的只有2001年一次。該公司預(yù)測(cè)，今后到2013年供貨量將穩(wěn)步增加。全球經(jīng)濟(jì)低迷的2009年也不會(huì)例外。 供貨容量也將大幅增長(zhǎng)。即使是全球經(jīng)濟(jì)低迷的200
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分析師：NAND閃存價(jià)格將上漲
- 根據(jù)IC Insights近期發(fā)布的McClean Report年中更新版顯示，閃存市場(chǎng)將發(fā)生變化，在未來(lái)幾年將從買方市場(chǎng)轉(zhuǎn)向賣方市場(chǎng)。 閃存出貨量和位需求量預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)，但閃存產(chǎn)能的投資這兩年正在減小。IC Insights預(yù)計(jì)2009年閃存資本支出將下滑至前一年的25%，約30億美元。這將為2012年前的平均銷售價(jià)格帶來(lái)上行壓力。 2009年閃存銷售量仍將增長(zhǎng)，盡管經(jīng)濟(jì)形勢(shì)極具挑戰(zhàn)。受手持設(shè)備、無(wú)線消費(fèi)電子、電腦和通訊設(shè)備需求的帶動(dòng)，閃存位出貨量在2005年至2008年之間達(dá)到了三位數(shù)百
- 關(guān)鍵字： 消費(fèi)電子 閃存 手持設(shè)備 通訊設(shè)備
閃存 介紹
【閃存的概念】
閃存（Flash Memory）是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個(gè)芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]
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