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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 閃存

          現(xiàn)代半導體9月NAND型閃存產(chǎn)量驟減三成

          •   韓國現(xiàn)代半導體公司上周四宣布,公司將從9月起把NAND型閃存產(chǎn)量減少30%.受供給過剩影響,全球閃存的價格一路走低,世界半導體制造商紛紛減少閃存的產(chǎn)量,現(xiàn)代半導體公司此舉可謂追隨潮流。   現(xiàn)代半導體將暫停清州M9工廠8英寸晶圓的生產(chǎn),該廠每月能生產(chǎn)8萬枚8英寸晶圓。此前,現(xiàn)代半導體清州M8工廠已將8英寸晶圓的月產(chǎn)量由10萬枚減少至 7萬枚?,F(xiàn)代半導體公司在今年4月時曾預告稱,公司將暫停M9工廠的生產(chǎn),可是M8工廠的減產(chǎn)決定卻是在業(yè)內(nèi)人士的預料之外。   在DRAM業(yè)界排名第三位的日本爾必達公司將
          • 關鍵字: NAND  閃存  現(xiàn)代半導體  8英寸  晶圓  

          DSP和Flash接口技術的實現(xiàn)

          •   1 引言   在現(xiàn)代數(shù)字信號處理系統(tǒng)中,采用Flash做為DSP程序加載和引導是一種常用的方法,它為用戶對那些將來可能需要改變數(shù)據(jù)或代碼的系統(tǒng)維護提供了有效手段。利用Flash器件,能夠?qū)崿F(xiàn)在線程序編寫,減少EPROM程序燒寫帶來的麻煩。   2 Flash AM29LV800B簡介   Flash存儲器又稱閃存,它結(jié)合了ROM和RAM的特點,不僅具備電子可擦除可編程(EEPROM)功能,而且不會斷電丟失數(shù)據(jù)同時能快速讀取數(shù)據(jù),它具有在線電擦寫、低功耗、大容量、擦寫速度快等特點,屬于EEPROM
          • 關鍵字: DSP  Flash  接口  EPROM  閃存  

          誰將主導存儲市場的未來十年?

          •   對于存儲來說,我們有兩點可以肯定:一是數(shù)據(jù)將會持續(xù)不斷的增長下去,而且,他們都需要被存儲;二是,我們的存儲設備和存儲能力將會隨著數(shù)據(jù)的增長而不斷演變——這確實是兩點可以肯定事情,所有人都知道,但問題在于,我們?nèi)匀贿€不知道怎么去做以應付突然而至或者說在我們沒有防備時而到來的數(shù)據(jù)爆炸,現(xiàn)在,IDC已經(jīng)相信,我們所生活的數(shù)字世界中的數(shù)據(jù)增長量已經(jīng)開始超過我們的存儲能力的增長——無論這條被廣泛引用的論據(jù)的可信度達到多少,我們都已經(jīng)能切身感受到我們身邊的存儲容量的
          • 關鍵字: 存儲  日立  硬盤  半導體  閃存  

          SSD固態(tài)硬盤受寵 國內(nèi)移動存儲企業(yè)嶄露頭角

          •   日前,百度公司宣布以閃存及配套技術全面代替硬盤存儲,百度公司承載全球檢索及索引存儲的運算集群中的硬盤已全部拆除。這是閃存與傳統(tǒng)硬盤在爭奪市場方面所取得的一次重大勝利。   據(jù)悉,由于全部采用了閃存芯片作為存儲介質(zhì),SSD固態(tài)硬盤的速度是傳統(tǒng)硬盤的數(shù)倍,同時由于內(nèi)部不存在任何機械部件,SSD固態(tài)硬盤還擁有抗震性能好,零噪音等眾多顯著的技術優(yōu)勢。正是因為擁有比傳統(tǒng)硬盤更優(yōu)越的技術性能,SSD固態(tài)硬盤才在許多重要領域占領了市場。   據(jù)市場分析機構(gòu)iSuppli公司預計,到2012年,固態(tài)硬盤銷售量將由
          • 關鍵字: 固態(tài)硬盤  SSD  閃存  存儲  

          MP3上半年銷量降了四成多

          •   未來市場轉(zhuǎn)向中西部及三四級城市   權(quán)威調(diào)查機構(gòu)賽迪顧問近日發(fā)布統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示,今年上半年我國MP3播放機市場實現(xiàn)銷量250.66萬臺,銷售額12.23億元,比去年同期分別下降43.76%和43.56%。   “上半年,隨著我國MP3播放機市場邁向平穩(wěn)過渡,MP3銷量開始出現(xiàn)負增長,”賽迪顧問消費電子產(chǎn)業(yè)研   究中心咨詢師李影說,“由于制造成本的下降和激烈市場競爭帶來的價格下滑,銷售額同比也出現(xiàn)負增長。”   賽迪顧問報告顯示,從連續(xù)6個季度的中
          • 關鍵字: MP3  播放機  硬盤  閃存  

          NAND閃存市場價格一路下滑 降幅超10%

          •   來自閃存制造業(yè)界的消息稱,預計在八月份晚期,當前閃存芯片市場上的主流產(chǎn)品——8GB和16GB NAND閃存芯片的合同價格將雙雙下滑10%.   NAND閃存芯片多用于當前的消費類產(chǎn)品上,包括蘋果的iPhone手機、iPod音樂播放器以及數(shù)碼相機等產(chǎn)品上。盡管每年第三季度為消費類產(chǎn)品的傳統(tǒng)銷售旺季,但今年卻無法止住NAND閃存芯片價格下滑步伐。   三星電子以及SanDisk都對未來的NAND閃存市場持悲觀態(tài)度,由于NAND閃存價格一路下滑,從而引發(fā)他們失去對該市場信心。與此
          • 關鍵字: 閃存  NAND  芯片  三星  

          中芯國際擴大與Spansion合作生產(chǎn)閃存

          •   據(jù)國外媒體報道,全球最大的純閃存解決方案供應商Spansion(NASDAQ:SPSN)今天宣布,該公司擴大了與中芯國際(NYSE:SMI)現(xiàn)有的合作,即將65納米MirrorBit NOR閃存生產(chǎn)擴展至基于300毫米晶圓的MirrorBit ORNAND2閃存生產(chǎn)。   據(jù)悉,利用中芯國際世界級的生產(chǎn)能力,Spansion將向其內(nèi)嵌和無線閃存客戶提供成本更低、更為細分化的系列產(chǎn)品。目前,雙方未透露合作協(xié)議的具體細節(jié)。
          • 關鍵字: 閃存  Spansion  中芯國際  晶圓  

          三星上半年閃存產(chǎn)品銷量居全球第一

          •   新華網(wǎng)首爾8月20日電 韓國三星電子公司19日宣布,公司上半年閃存產(chǎn)品銷量位列全球第一。   三星公司援引市場研究公司iSuppli日前發(fā)表的一份報告稱,今年1至6月份,三星閃存產(chǎn)品銷售額達75.1億美元,占全球閃存市場的30%。   韓國海力士半導體公司位列第二,全球市場份額為13%,美國米克倫技術公司和日本的爾必達內(nèi)存公司分列第三、第四位,市場份額分別為8%和7%。   三星的成功主要源自NAND閃存產(chǎn)品的暢銷,第二季度該類產(chǎn)品銷售額達14.2億美元,占當季全球NAND閃存銷售的42.3%,
          • 關鍵字: 三星  閃存  NAND  DRAM  

          百度宣布以閃存全面替代硬盤存儲

          •   百度宣布以閃存及配套技術全面代替硬盤存儲,該公司承載全球檢索及索引存儲的運算集群中的硬盤已全部拆除。   據(jù)介紹,百度此次調(diào)整經(jīng)過了兩年產(chǎn)品技術研發(fā)及測試準備。在以百度自行研發(fā)的海量閃存卡及配套技術替代硬盤后,百度也成為全球首個使用閃存技術代替硬盤并大規(guī)模商用的互聯(lián)網(wǎng)公司。百度認為,這改變將提高其服務能力和檢索速度。   閃存與硬盤這兩種新老存貯介質(zhì)的競爭由來已久,以三星為主導的“閃存派”認為閃存具有快速、安全、低功耗等優(yōu)點,而硬盤老大希捷一直認為硬盤才是大容量、低成本存儲
          • 關鍵字: 閃存  硬盤  存儲  云計算  

          消息稱希捷欲購SanDisk公司

          •   據(jù)業(yè)界消息靈通人士稱,有關希捷公司有興趣收購SanDisk公司的全部或部分業(yè)務的傳言在“閃存峰會”上蔓延。然而,一些分析人士卻對此進行了辟謠,并稱它可能會是一樁壞姻緣。   據(jù)一些分析人士推測,希捷公司僅僅是對SanDisk公司的固態(tài)硬盤業(yè)務部門感興趣。以前曾有傳言稱希捷公司對收購固態(tài)硬盤廠商Stec公司感興趣。最近,希捷公司對Stec公司侵犯了其專利進行了起訴,這一舉措或許是使Stec公司向希捷公司屈服的原因。但據(jù)希捷公司的一名發(fā)言人表示,希捷公司拒絕對此傳言發(fā)表評論。
          • 關鍵字: 閃存  固態(tài)硬盤  希捷  SanDisk  

          東芝發(fā)布最大容量嵌入式NAND閃存

          •   東芝近日宣布推出多款最大容量為 32GB的嵌入式NAND閃存模塊,這些嵌入式產(chǎn)品應用于移動數(shù)碼消費產(chǎn)品,包括手機和數(shù)碼相機,樣品將于2008年9月出廠,從第四季度開始量產(chǎn)。隨著帶有控制器功能的存儲器需求不斷擴大,東芝已經(jīng)采取行動使其在這個不斷擴大的市場上占領領先地位,東芝還加入更大容量的模塊以鞏固公司的地位。
          • 關鍵字: 東芝  NAND  閃存  嵌入式  

          TDK推出兼容U.DMA6的GBDriver RA8系列NAND閃存控制器LSI 

          •   TDK 公司日前宣布開發(fā)出GBDriver RA8系列NAND閃存控制器LSI,該產(chǎn)品計劃于九月份開始銷售。   GBDriver RA8系列是用于U.DMA6的高速NAND控制器IC,與2K字節(jié)/頁和4K字節(jié)/頁的NAND閃存兼容。該控制器支持單級單元 (SLC) 和多級單元(MLC) NAND 閃存,實現(xiàn)了從128M字節(jié)到1 G字節(jié)(SLC) 和256M字節(jié)到32G字節(jié)(MLC)的高速閃存存儲容量,因而該控制器適用的應用領域非常廣泛。此外,該控制器具有128 針TQPF 封裝方式和121 針VF
          • 關鍵字: TDK  NAND  閃存  控制器  LSI  

          Hynix與Numonyx簽5年協(xié)議共同開發(fā)NAND技術

          •   據(jù)國外媒體報道,近日,全球第二大電腦記憶體晶片制造商Hynix表示,已與意法半導體(STMicroelectronics NV)和英特爾的合資公司Numonyx BV簽署了一項為期五年的協(xié)議,拓展其在快速增長的NAND閃存領域的共同開發(fā)項目。   據(jù)國外媒體報道,根據(jù)協(xié)議內(nèi)容,兩家公司將合作擴大NAND產(chǎn)品線,推出新產(chǎn)品和實現(xiàn)技術創(chuàng)新,從而應對未來五年NAND技術所面臨的挑戰(zhàn)。   根據(jù)協(xié)議內(nèi)容,Hynix和Numonyx將共同開發(fā)技術項目,聯(lián)合提供領先的NAND存儲技術和產(chǎn)品,并進行資源整合以促
          • 關鍵字: NAND  閃存  Hynix  意法半導體  Numonyx  

          恒憶與海力士擴大合作 共同推廣創(chuàng)新的NAND閃存技術與產(chǎn)品

          •   恒憶(Numonyx)今天宣布與海力士半導體公司達成為期五年的協(xié)議,在飛速增長的NAND閃存領域擴展聯(lián)合開發(fā)計劃。針對NAND技術在未來五年面臨的挑戰(zhàn),兩家公司將擴大NAND產(chǎn)品線并共同研發(fā)未來產(chǎn)品,進行技術創(chuàng)新。   根據(jù)新協(xié)議,恒憶和海力士將擴大聯(lián)合開發(fā)的范圍,共同提供領先的NAND存儲器技術和產(chǎn)品,并且整合資源以加快未來NAND技術及解決方案的開發(fā)。在應用于手機多芯片封裝的移動DRAM領域,雙方也將進行合作。   恒憶總裁兼首席執(zhí)行官Brian Harrison表示:"未來五年,在
          • 關鍵字: NAND  恒憶  海力士  閃存  

          Spansion宣布計劃以支持新OMTP手機安全要求 促進更安全移動交易

          •   純閃存解決方案供應商Spansion(Nasdaq:SPSN) 今日宣布計劃以支持開放移動終端平臺組織(OMTP)新近發(fā)布的手機安全標準,該標準旨在滿足市場日益增長的對可信賴的移動交易和處理敏感數(shù)據(jù)的需求。   Spansion安全及高級技術事業(yè)部營銷副總裁Marco Roveda先生表示:"便攜式價格大眾化消費設備領域的創(chuàng)新步伐迫切要求制造商研制出更安全的存儲產(chǎn)品。Spansion 的產(chǎn)品開發(fā)計劃包括了數(shù)個安全解決方案,以符合新近公布的 OMTP 標準,為我們的客戶帶來附加價值。&quo
          • 關鍵字: Spansion  OMTP  閃存  開放移動終端  
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          閃存 介紹

          【閃存的概念】 閃存(Flash Memory)是一種長壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息)的存儲器,數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位,區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器(EEPROM)的變種,EEPROM與閃存不同的是,它能在字節(jié)水平上進行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫,這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細 ]

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