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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 閃存

          Spansion宣布計劃以支持新OMTP手機(jī)安全要求 促進(jìn)更安全移動交易

          •   純閃存解決方案供應(yīng)商Spansion(Nasdaq:SPSN) 今日宣布計劃以支持開放移動終端平臺組織(OMTP)新近發(fā)布的手機(jī)安全標(biāo)準(zhǔn),該標(biāo)準(zhǔn)旨在滿足市場日益增長的對可信賴的移動交易和處理敏感數(shù)據(jù)的需求。   Spansion安全及高級技術(shù)事業(yè)部營銷副總裁Marco Roveda先生表示:"便攜式價格大眾化消費設(shè)備領(lǐng)域的創(chuàng)新步伐迫切要求制造商研制出更安全的存儲產(chǎn)品。Spansion 的產(chǎn)品開發(fā)計劃包括了數(shù)個安全解決方案,以符合新近公布的 OMTP 標(biāo)準(zhǔn),為我們的客戶帶來附加價值。&quo
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          Enea為Polyhedra FlashLite關(guān)系數(shù)據(jù)庫管理系統(tǒng)添加容錯功能

          •   網(wǎng)絡(luò)軟件和服務(wù)提供商Enea (Nordic Exchange/Small Cap/ENEA) 今日宣布推出針對 Polyhedra® FlashLite 關(guān)系數(shù)據(jù)庫管理系統(tǒng)的全新容錯功能?;陂W存的內(nèi)嵌式 RDBMS 現(xiàn)在推出具有瞬間失效備援和重新連接功能的完全冗余,是需要“五個九”(five nines) 或更高可用性(HA)的應(yīng)用程序的理想工具。Polyhedra FlashLite 還具有“熱升級”功能。   Polyhedra Fla
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          全新Spansion解決方案網(wǎng)絡(luò)為客戶提供端對端支持

          •   純閃存解決方案供應(yīng)商Spansion Inc.(NASDAQ:SPSN)今天宣布組成Spansion® 解決方案網(wǎng)絡(luò),旨在通過一種由行業(yè)領(lǐng)先的軟硬件制造商組成的合作關(guān)系網(wǎng)絡(luò),幫助客戶將產(chǎn)品迅速推向市場。Spansion解決方案網(wǎng)絡(luò)將與業(yè)內(nèi)頂級企業(yè)密切協(xié)作,為共同客戶提供經(jīng)過驗證且依照用途優(yōu)化的軟硬件解決方案。與此同時,Spansion公布了作為創(chuàng)始成員加入該網(wǎng)絡(luò)的十家行業(yè)領(lǐng)先企業(yè)的名單。   Spansion系統(tǒng)工具和軟件部門副總裁Robert France表示:“通過在產(chǎn)品
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          內(nèi)容卡加量不加價引發(fā)的思考

          •   內(nèi)容卡這個詞對我們來說并不陌生,早在2005年,隨著閃存容量“破G”,“內(nèi)容卡”這個名稱就被提出了。當(dāng)時我們普遍認(rèn)為隨著價格的下降,閃存將會作為存儲介質(zhì),成為替代光盤的音樂、影視等內(nèi)容發(fā)行載體。   7月4日,KINGMAX在祖國大陸正式發(fā)布內(nèi)容卡,將我們關(guān)于內(nèi)容卡的預(yù)測變成了現(xiàn)實。目前閃存的價格并沒有像我們預(yù)測的那樣,價格大幅度降低至替代光盤等介質(zhì)的水平,而消費者尚不習(xí)慣將閃存作為音樂、影視內(nèi)容的發(fā)行載體,KINGMAX此舉不由讓我們產(chǎn)生疑問&mda
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          NEC電子與世強(qiáng)電訊合作在華業(yè)務(wù),全面推進(jìn)兩大核心產(chǎn)品

          •   2008年7月,全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者NEC電子正式與知名電子分銷商世強(qiáng)電訊簽署分銷協(xié)議,授權(quán)世強(qiáng)電訊負(fù)責(zé)其微控制器(MCU)及功率半導(dǎo)體(PMD)產(chǎn)品在中國的分銷業(yè)務(wù)。   NEC電子是日本三大芯片商之一,擁有從4位到32位的MCU產(chǎn)品,總數(shù)超過1000種,主要有通用型MCU、LCD控制、CAN接口、電機(jī)控制、遙控等類別。   NEC電子革命性的“All Flash”全閃存MCU,在性能、功耗、成本控制等方面均表現(xiàn)卓越,有著廣闊的市場前景。目前,NEC電子共擁有超過300種 8
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          用NiosII搭建的固態(tài)盤設(shè)備系統(tǒng)

          •   引言   隨著電子技術(shù)的發(fā)展,人們不斷地追求更好的新型存儲設(shè)備。目前海量存儲領(lǐng)域中的主流產(chǎn)品非硬盤莫屬,而固態(tài)盤則被認(rèn)為是一種最有可能取代硬盤的全新解決方案。與硬盤相比,其主要的優(yōu)勢在于能夠達(dá)到更高速度、更小體積、更低功耗、更小噪聲、更高可靠性,同時與硬盤一樣使用方便。   廣義上講,固態(tài)盤設(shè)備包括所有使用半導(dǎo)體芯片作為存儲介質(zhì)的存儲設(shè)備,例如使用動態(tài)RAM存儲數(shù)據(jù)的某些特定設(shè)備,或是CF/SD/MMC卡等同樣使用閃存存儲數(shù)據(jù)但使用了其他接口的存儲設(shè)備;但狹義上講,固態(tài)盤僅指使用NAND型閃存存儲
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          蘋果大量訂購NAND芯片:三星預(yù)警缺貨

          •   據(jù)我國臺灣省的一家媒體報道稱,三星對其客戶發(fā)出預(yù)警,因蘋果大量訂購NAND閃存芯片,預(yù)計這類芯片將在一段時間內(nèi)缺貨。   當(dāng)?shù)貢r間本周三,《電子時報》報道稱,三星在對其客戶發(fā)出的預(yù)警中表示,蘋果最近向三星訂購了5000萬顆8Gb的NAND閃存芯片,計劃用于3G版iPhone上;想必大家都聽說此事了。因此三星的其它客戶需要等上一段時間后才能收到三星的發(fā)貨。三星是蘋果的固定供應(yīng)商之一,兩家公司在2005年簽署了NAND閃存供貨合同。   蘋果這次訂購的NAND閃存芯片總?cè)萘肯喈?dāng)于5000萬GB(8Gb
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          五月份全球半導(dǎo)體銷售增長7.5%達(dá)到218億美元

          •   【eNet硅谷動力消息】半導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會公布月度報告顯示,今年五月份全球半導(dǎo)體的銷售收入從去年同期的203億美元增長了7.5%達(dá)到218億美元。受到全球消費電子產(chǎn)品銷售強(qiáng)勁和美國消費性支出好轉(zhuǎn)的推動,五月份半導(dǎo)體銷售收入比四月份增長了2.8%,四月份全球半導(dǎo)體銷售收入為212億美元。   數(shù)據(jù)顯示,在半導(dǎo)體銷售中,計算機(jī)是最大的終端市場。今年前五個月,全球半導(dǎo)體銷售收入達(dá)到1034億美元,比去年同期增長了5.3%。   半導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會總裁George Scalise在一份聲明中表示,盡管有媒體報告了
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          愛特梅爾推出picoPower tinyAVR微控制器

          •   愛特梅爾公司 (Atmel® Corporation) 現(xiàn)已推出兩款新型32腳tinyAVR® 微控制器 ATtiny48 和ATtiny88,分別具有4KB和8KB閃存。這兩款A(yù)VR® 微控制器在1.8V和1 MHz下的電流消耗低于240 uA;而在關(guān)電模式下則低于100 nA,特別適用于功耗受限和大批量制造的系統(tǒng),例如遠(yuǎn)程控制、配件和小型電器。   新款 tinyAVR 微控制器采用愛特梅爾的 picoPower 技術(shù),能夠避免不必要的功耗。這兩款微控制器具有一個能夠在睡
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          全球閃存市場達(dá)254億美元 廠商Q4投身30nm制程

          •   據(jù)外電報道,NAND Flash(閃存)制造廠制程技術(shù)持續(xù)不斷推進(jìn),集邦科技表示,各Flash制造廠自今年第四季起將陸續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)30納米制程技術(shù)。   根據(jù)美光預(yù)估,今年全球NAND Flash市場可望增長至254億美元規(guī)模,除了目前一般數(shù)字影音播放器、UFD(通用串行總線閃存儲存驅(qū)動器)、記憶卡等應(yīng)用外,也相當(dāng)看好移動儲存市場的發(fā)展?jié)摿Α?   為降低生產(chǎn)成本,強(qiáng)化競爭力,NAND Flash制造廠持續(xù)不斷進(jìn)行制程技術(shù)微縮,其中IM Flash陣營已宣示,34納米制程技術(shù)將于今年第四季投產(chǎn)。韓國三星電
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          Spansion助力互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心服務(wù)器降低能耗達(dá)75%

          •   全球最大的純閃存解決方案供應(yīng)商Spansion(NASDAQ:SPSN)今天宣布開發(fā)稱作Spansion® EcoRAM™的全新存儲產(chǎn)品計劃,旨在通過取代數(shù)據(jù)中心服務(wù)器中極其耗能的DRAM,來解決日益加劇的互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心能耗危機(jī)。配合同時宣布的Virident Systems公司新型GreenGateway技術(shù),Spansion EcoRAM有助于使互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心服務(wù)器的能耗大幅下降75%,而且在同樣的能耗條件下,存儲容量為傳統(tǒng)純DRAM型服務(wù)器的四倍。   數(shù)據(jù)中心能源危機(jī)
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          旺盛需求助HDD業(yè)渡過低迷時期

          •   據(jù)iSuppli公司,市場對于容量高達(dá)1TB而且價格適中的存儲裝置的旺盛需求,正在經(jīng)濟(jì)困難時期維持硬盤(HDD)產(chǎn)業(yè)的生存。   與NAND閃存芯片產(chǎn)業(yè)不同,HDD廠商一直能夠通過學(xué)習(xí)控制成本來抵抗經(jīng)濟(jì)放緩和需求下滑的嚴(yán)重沖擊。另外,由于新應(yīng)用程序占用的硬盤空間越來越大,PC也需要更大的存儲容量,這有利于硬盤產(chǎn)業(yè)。只要對存儲容量的需求保持增長,硬盤產(chǎn)業(yè)就能設(shè)法滿足需求。   出貨量保持兩位數(shù)增長率   2008年第一季度,硬盤廠商出貨量為1.37億個,比去年同期增長21%,大部分流向五個主要領(lǐng)域
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          iSuppli維持對NAND閃存市場狀況的“負(fù)面”評級

          •   由于NAND閃存市場仍然充滿挑戰(zhàn),iSuppli公司維持對供應(yīng)商近期形勢的“負(fù)面”評級,并重申了對于2008年全球市場銷售額增長9%的預(yù)測。   美國經(jīng)濟(jì)低迷導(dǎo)致消費需求減弱,NAND需求也出現(xiàn)下滑跡象,促使iSuppli公司去年11月首次對該市場作出負(fù)面評估。NAND閃存大量用于個人媒體播放器(PMP)、數(shù)碼相機(jī)和手機(jī)等消費電子產(chǎn)品之中,因此與其它存儲芯片相比受經(jīng)濟(jì)形勢的影響更大。   這種評估得到了媒體報道與NAND供應(yīng)商英特爾的業(yè)績預(yù)警的證實。英特爾在3月份警告稱,由
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          東芝停制200毫米NAND閃存 主攻300毫米芯片

          •   6月24日消息,由于NAND閃存產(chǎn)業(yè)處于低迷時期,東芝計劃減少其NAND閃存芯片產(chǎn)量。   據(jù)國外媒體報道稱,東芝計劃停止在FlashVision制造NAND閃存。FlashVision是東芝與SanDisk的合資企業(yè),該公司采用200毫米晶圓片生產(chǎn)閃存芯片。東芝將主要采用300毫米晶圓片生產(chǎn)NAND閃存芯片。   東芝將收購FlashVision的部分生產(chǎn)設(shè)備,并將它們用于該公司位于四日市或其它地方的工廠。FlashVision將把剩余的設(shè)備出售給第三方廠商。   東芝半導(dǎo)體公司首席執(zhí)行官兼東
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          降低制造成本 東芝將關(guān)閉200毫米閃存工廠

          •   日本電子制造商東芝將關(guān)閉它與美國晨碟公司合資構(gòu)建的200毫米閃存工廠。   市場分析師認(rèn)為,東芝此舉的目標(biāo)是為了在全球閃存市場保持競爭力,公司正在努力尋求削減制造成本的途徑。   市場調(diào)研機(jī)構(gòu)Nomura Securities分析師Masaya Yamasaki表示,在產(chǎn)品價格日益下跌的趨勢下,目前東芝的半導(dǎo)體運作仍然面臨著嚴(yán)峻的市場環(huán)境。我們認(rèn)為東芝選擇退出200毫米晶圓生產(chǎn)線產(chǎn)品,能夠提升公司的成本競爭力。   隨著手機(jī)和蘋果ipod數(shù)字音樂播放器系列產(chǎn)品的流行,目前全球閃存產(chǎn)品市場前景被看
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          閃存 介紹

          【閃存的概念】 閃存(Flash Memory)是一種長壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息)的存儲器,數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位,區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器(EEPROM)的變種,EEPROM與閃存不同的是,它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫,這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]

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