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閃存 文章 進(jìn)入閃存 技術(shù)社區(qū)
PC內(nèi)存一年價(jià)格翻一倍多，二季度還要再漲10-20%
- 2017年JS靠著挖礦顯卡價(jià)格大漲賺錢(qián)了，只不過(guò)這一波顯卡漲價(jià)雖然很瘋狂，但是漲幅并不是最高的，內(nèi)存價(jià)格上漲的才是驚人，8GB DDR4內(nèi)存條現(xiàn)在普遍在400元以上，去年這時(shí)候價(jià)格才199元呢，當(dāng)時(shí)還覺(jué)得貴呢，現(xiàn)在價(jià)格翻倍都不止了。目前內(nèi)存漲價(jià)的趨勢(shì)還沒(méi)有得到抑制，Q1季度PC內(nèi)存已經(jīng)大漲36%了，可Q2季度還會(huì)繼續(xù)上漲10-20%，因?yàn)槿?、SK Hynix及美光等廠商現(xiàn)在的產(chǎn)能并沒(méi)有增加，市場(chǎng)供需還是不平衡。 這一年多了沒(méi)升級(jí)什么PC硬件了，雖然寫(xiě)新聞的過(guò)程中也知道內(nèi)存、
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再延期 東芝傾向于將閃存芯片業(yè)務(wù)賣(mài)給美日韓聯(lián)合體
- 6月20日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，東芝預(yù)計(jì)將在月底決定閃存芯片業(yè)務(wù)的最終買(mǎi)家，而此前出價(jià)最高的由富士康和蘋(píng)果等企業(yè)組成的競(jìng)購(gòu)團(tuán)，有可能在競(jìng)購(gòu)中白忙活一場(chǎng)，因?yàn)橥饷降南@示，東芝更傾向于將閃存芯片業(yè)務(wù)賣(mài)給貝恩資本牽頭的由美國(guó)、日本和韓國(guó)企業(yè)組成的聯(lián)合體。 由于美國(guó)核電業(yè)務(wù)減記帶來(lái)了巨大的虧損，東芝目前面臨資不抵債的困境，急需資金，東芝因此決定剝離閃存芯片業(yè)務(wù)并將其出售以換取資金。 目前共有富士康、美國(guó)芯片制造商博通、貝恩資本牽頭的三大財(cái)團(tuán)參與東芝閃存芯片業(yè)務(wù)的競(jìng)購(gòu)
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NAND閃存的三種架構(gòu)：MLC、SLC、MBC
- NAND閃存的內(nèi)部架構(gòu):NAND閃存可以分為三種不同架構(gòu)，即：?jiǎn)螌訂卧猄LC 多層單元MLC多位單元MBC。其中，MBC以NROM技術(shù)為基礎(chǔ)的NAND閃存架構(gòu)，由英飛凌與Saifun合作開(kāi)發(fā)，但該項(xiàng)架構(gòu)技術(shù)并不成熟。采SLC架構(gòu)是在每個(gè)Cell中存儲(chǔ)1個(gè)bit的信息，以達(dá)到其穩(wěn)定、讀寫(xiě)速度快等特點(diǎn)，Cell可擦寫(xiě)次數(shù)為10萬(wàn)次左右。作為SLC架構(gòu)，其也有很大的缺點(diǎn)，就是面積容量相對(duì)比較小，并且由于技術(shù)限制，基本上很難再向前發(fā)展了。
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基于FPGA的存儲(chǔ)解決方案——閃存
- 閃存存儲(chǔ)器是嵌入系統(tǒng)中經(jīng)常使用的非易失性存儲(chǔ)器。在基于FPGA的嵌入系統(tǒng)中，由于FPGA沒(méi)有包括閃存，所以閃存始終是外置設(shè)備。由于閃存存儲(chǔ)器能夠在斷電后保持?jǐn)?shù)據(jù)內(nèi)容，它經(jīng)常用于存儲(chǔ)微處理器啟動(dòng)代碼及其它需要在無(wú)電情況下繼續(xù)保持的數(shù)據(jù)。閃存存儲(chǔ)器既適用于并行接口又適用于串行接口。并行閃存設(shè)備與串行閃存設(shè)備的基本存儲(chǔ)技術(shù)是相同的。
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吹牛必備常識(shí)之——“華為P10閃存門(mén)”中的UFS和eMMC究竟是啥?
- 華為P10“閃存門(mén)”其實(shí)就是一些消費(fèi)者在購(gòu)買(mǎi)P10手機(jī)后，經(jīng)過(guò)測(cè)試發(fā)現(xiàn)，華為P10系列手機(jī)閃存速度出現(xiàn)了明顯差異的情況。用戶測(cè)試結(jié)果顯示，有部分手機(jī)的閃存速度約為200MB/秒，而根據(jù)網(wǎng)上公布的評(píng)測(cè)參數(shù)來(lái)看，以華為官方配置的P10實(shí)際速度應(yīng)該可以達(dá)到800MB/秒左右。而最終測(cè)試的結(jié)論就是華為P10的閃存存在UFS和eMMC混用的問(wèn)題。
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關(guān)于嵌入式閃存，你所不了解的那些事兒
- 多年來(lái)，汽車(chē)行業(yè)的發(fā)展和創(chuàng)新一直推動(dòng)著半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。根據(jù)IHS的數(shù)據(jù)可知，汽車(chē)半導(dǎo)體市場(chǎng)的年收入已經(jīng)超過(guò)300億美元，而隨著ADAS的增加、燃油效率的提高以及便利性的提升，這一數(shù)字還將不斷上升。目前，每輛豪華車(chē)內(nèi)部半導(dǎo)體元件的總價(jià)值約為1000美元，而中檔車(chē)內(nèi)部半導(dǎo)體元件的總價(jià)值約為350美元，汽車(chē)MCU是其中的重要組成部分。大多數(shù)汽車(chē)MCU具有片上嵌入式閃存，其中包含復(fù)雜而詳盡的指令代碼。盡管基于多晶硅浮柵的嵌入式閃存廣泛部署在汽車(chē)、工業(yè)和消費(fèi)類(lèi)應(yīng)用領(lǐng)域的一系列產(chǎn)品中，并且是非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的
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半導(dǎo)體：創(chuàng)造“陜西速度”和“西安效率”
- 面對(duì)全球信息化加速發(fā)展，以電子信息為代表的新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)呈爆發(fā)式增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。2016年陜西實(shí)現(xiàn)了新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的持續(xù)高速增長(zhǎng)，全年電子制造業(yè)總產(chǎn)值超過(guò)700億元，同比增長(zhǎng)50%以上，其中半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值達(dá)到500多億元，位于“一帶一路”核心地位的陜西是如何超前謀劃，使新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)助力陜西在經(jīng)濟(jì)發(fā)展上實(shí)現(xiàn)“彎道超車(chē)”?半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在其中又起了怎樣重要的推動(dòng)作用?新華社記者帶你一探背后的奧秘。 西安高新區(qū)：聚焦新興產(chǎn)業(yè)帶動(dòng)轉(zhuǎn)型升級(jí) 近年來(lái)
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賽普拉斯與上海華力微電子共同宣布基于SONOS技術(shù)的55納米低功耗閃存產(chǎn)品
- 全球領(lǐng)先的嵌入式非易失性存儲(chǔ)器解決方案提供商賽普拉斯半導(dǎo)體公司與中國(guó)最先進(jìn)的純晶圓代工廠之一，上海華力微電子有限公司(華力)今日共同宣布，基于華力 55納米低功耗工藝技術(shù)和賽普拉斯SONOS (氧化硅氮氧化硅)嵌入式閃存知識(shí)產(chǎn)權(quán)相結(jié)合，為閃存產(chǎn)品樹(shù)立了一個(gè)新的里程碑。華力的客戶已經(jīng)開(kāi)始使用這項(xiàng)技術(shù)進(jìn)行低功耗嵌入式閃存產(chǎn)品的試生產(chǎn)，針對(duì)藍(lán)牙低功耗和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用。賽普拉斯高耐用性、可擴(kuò)展的SONOS嵌入式閃存工藝針對(duì)低功耗需求進(jìn)行了優(yōu)化，使其成為微控制器(MCU)和物聯(lián)網(wǎng)(IoT)應(yīng)用的
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海力士謀劃72層堆疊閃存：?jiǎn)晤w輕松1TB
- 如今各種設(shè)備對(duì)于NAND閃存的容量要求越來(lái)越高，迫使廠商們不得不持續(xù)改進(jìn)技術(shù)，尤其是強(qiáng)化3D堆疊設(shè)計(jì)。SK海力士就計(jì)劃在今年量產(chǎn)72層堆疊閃存。 2015年，SK海力士量產(chǎn)了第二代36層堆疊3D MLC NAND(3D-V2)，單晶粒容量128Gb(16GB)。 2016年，SK海力士推出了第三代48層堆疊的3D-V3，閃存類(lèi)型改成TLC，重點(diǎn)單晶粒容量256Gb(32GB)，而封裝芯片的容量最高可以達(dá)到4096Gb(512GB)。 2017年，我們將看到SK海力士的第四代3D-V4
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閃存 介紹
【閃存的概念】
閃存（Flash Memory）是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫(xiě)而不是整個(gè)芯片擦寫(xiě)，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]
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