閃存文章進(jìn)入閃存技術(shù)社區(qū)

一種采用分離柵極閃存單元實(shí)現(xiàn)可編程邏輯陣列的新型測(cè)試結(jié)構(gòu)

　　大多數(shù)可編程陣列使用易失性存儲(chǔ)器SRAM作為配置數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件。最近，有人嘗試使用非易失性存儲(chǔ)器(NVM)替代SRAM?；贜VM的FPGA是嵌入式IP應(yīng)用的理想選擇，其架構(gòu)和許多增強(qiáng)功能可改善芯片集成度、IP使用率和測(cè)試時(shí)間。Robert Lipp等人提出了一種采用淺溝槽隔離(STI)工藝的高壓三阱EEPROM檢測(cè)方案。
關(guān)鍵字：可編程閃存 SRAM SST SCE

RL78代碼閃存自編程期間響應(yīng)外圍中斷的方法

　　RL78產(chǎn)品的閃存，分為數(shù)據(jù)閃存區(qū)和代碼閃存區(qū)。數(shù)據(jù)閃存區(qū)用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，而代碼閃存區(qū)用于用戶(hù)代碼及數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)。對(duì)于無(wú)內(nèi)置數(shù)據(jù)閃存區(qū)的產(chǎn)品，使用代碼閃存區(qū)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，通常是成本導(dǎo)向的最佳方案。本文中作為示例的RL78/I13，是一款具有內(nèi)置數(shù)據(jù)閃存區(qū)的產(chǎn)品，但是它的代碼閃存區(qū)也可兼作數(shù)據(jù)閃存區(qū)。
關(guān)鍵字：閃存編程 RL78

瑞薩電子研發(fā)出業(yè)內(nèi)首創(chuàng)的28nm微控制器的嵌入式閃存工藝

　　全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體及解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社日前宣布其已研發(fā)出業(yè)內(nèi)首項(xiàng)應(yīng)用于28?nm制程工藝的微控制器(MCU)的28納米(nm)閃存知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)。　　現(xiàn)代發(fā)動(dòng)機(jī)油耗不斷降低，要求新型控制機(jī)制能夠?qū)?yīng)新式燃燒方法的引入以及小型化所帶來(lái)的進(jìn)一步系統(tǒng)升級(jí)。高速實(shí)時(shí)處理，例如根據(jù)對(duì)多個(gè)傳感器的反饋而產(chǎn)生的載荷變化在多種控制算法之間進(jìn)行動(dòng)態(tài)切換將成為必備功能，車(chē)用MCU中將需要具備當(dāng)前性能的三到五倍的性能。此外，隨著ECU數(shù)目的不斷增多，如果我們考慮電源方面的限制，比如汽車(chē)臨時(shí)停車(chē)時(shí)關(guān)掉發(fā)
關(guān)鍵字：瑞薩 MCU 28nm 閃存

Spansion公司推出突破性接口和世界上最快的NOR閃存

全球行業(yè)領(lǐng)先的嵌入式市場(chǎng)閃存解決方案創(chuàng)新廠商Spansion 公司日前宣布推出突破性的 Spansion? HyperBus? 接口，它能極大地提高讀取性能并減少引腳數(shù)量和空間。主要的片上系統(tǒng)(SoC)制造商都正在廣泛部署Spansion HyperBus接口。
關(guān)鍵字： Spansion 嵌入式閃存

LSI加盟OCP并貢獻(xiàn)多款設(shè)計(jì)

LSI公司(NASDAQ：LSI)日前宣布加盟開(kāi)放計(jì)算項(xiàng)目(OCP)，并且正在為OCP全球社區(qū)貢獻(xiàn)兩款存儲(chǔ)基礎(chǔ)架構(gòu)參考設(shè)計(jì)。
關(guān)鍵字： LSI OCP 閃存

Spansion與旺宏電子訴訟的真相

很多人可能都很好奇：接下來(lái)Spansion與旺宏的訴訟之戰(zhàn)將何去何從。對(duì)于旺宏來(lái)說(shuō)，訴訟帶來(lái)的公關(guān)效應(yīng)反倒比其索賠聲明更有實(shí)際影響。實(shí)際上，旺宏的主張對(duì)我們毫無(wú)威脅
關(guān)鍵字： Spansion 旺宏 ITC 閃存

甲骨文新一代Exadata X4采用LSI 最新閃存技術(shù)

LSI公司 (NASDAQ: LSI)日前宣布LSI Nytro?閃存加速卡已被甲骨文選作PCIe?閃存加速技術(shù)，用于其新一代數(shù)據(jù)庫(kù)一體機(jī)Exadata X4系統(tǒng)中。此外，LSI與甲骨文通力協(xié)作，為Exadata客戶(hù)帶了一款最新LSI Nytro技術(shù)——Dynamic Logical Capacity (DLC)。
關(guān)鍵字： LSI Nytro Exadata 閃存

全新LSI SandForce SSD控制器推高閃存性能

　　客戶(hù)端性能超過(guò)1.8GB/s，支持PCIe及SATA雙接口，針對(duì)客戶(hù)端、企業(yè)與超大規(guī)模環(huán)境優(yōu)化　　2013年11月25日，北京–LSI公司(NASDAQ:LSI)日前宣布市場(chǎng)領(lǐng)先的SandForce?閃存控制器產(chǎn)品系列推出第三代。這項(xiàng)業(yè)界最廣泛部署的閃存管理技術(shù)適用于驅(qū)動(dòng)PCIe?及SATA固態(tài)硬盤(pán)(SSD)以及閃存卡解決方案。最新LSI?SandForceSF3700閃存控制器系列旨在支持低功耗客戶(hù)端計(jì)算應(yīng)用、I/O密集型企業(yè)以及超大規(guī)模環(huán)境，可提供更高水平的
關(guān)鍵字：閃存 SSD 控制器

閃存MCU在實(shí)現(xiàn)農(nóng)網(wǎng)表方案的應(yīng)用

國(guó)內(nèi)民用單相表一般可分為機(jī)械式電能表（感應(yīng)式電能表）和電子式電能表兩大類(lèi)。過(guò)去機(jī)械式電能表的市場(chǎng)保有量比 ...
關(guān)鍵字：閃存 MCU 農(nóng)網(wǎng)表

存儲(chǔ)技術(shù)大比拼:閃存與磁盤(pán)的區(qū)別

在過(guò)去的幾年里，閃存與磁盤(pán)之間的爭(zhēng)議很多，也發(fā)生了顯著的變化?，F(xiàn)在，我們已經(jīng)不再討論閃存是否可以在企業(yè)中使 ...
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)技術(shù) 閃存磁盤(pán)

旺宏電子涉嫌侵犯 Spansion 閃存專(zhuān)利權(quán)被訴訟調(diào)查

　　行業(yè)領(lǐng)先的嵌入式市場(chǎng)閃存解決方案創(chuàng)新廠商 Spansion 公司(紐約證交所代碼：CODE)今天宣布，美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)(ITC)經(jīng)投票表決，決定啟動(dòng)針對(duì)臺(tái)灣旺宏電子股份有限公司的不公正進(jìn)口的調(diào)查。ITC 的這個(gè)決定令 Spansion 公司提出的起訴生效，并有效地推翻了旺宏最后的反訴。　　Spansion 在起訴中提出旺宏電子的 NOR 閃存與 XtraROM 產(chǎn)品了 Spansion 侵犯 6 項(xiàng)與存儲(chǔ)單元安全、閃存芯片生產(chǎn)制造和結(jié)構(gòu)相關(guān)的專(zhuān)利，這些芯片被廣泛應(yīng)用于游戲設(shè)備、數(shù)碼相機(jī)、網(wǎng)絡(luò)
關(guān)鍵字： Spansion 閃存

基于閃存的FPGA添臂力　便攜式醫(yī)療設(shè)備可靠度大增

便攜式醫(yī)療產(chǎn)品逐漸獲得市場(chǎng)青睞，如何開(kāi)發(fā)出更小尺寸、更低功耗與高可靠度的產(chǎn)品已成為產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員首要課題 ...
關(guān)鍵字：閃存 FPGA 便攜式醫(yī)療設(shè)備

Spansion 串行NOR和NAND閃存獲得賽靈思閃存設(shè)備認(rèn)證

行業(yè)領(lǐng)先的嵌入式市場(chǎng)閃存解決方案創(chuàng)新廠商 Spansion 公司(紐約證交所代碼：CODE)日前宣布，Spansion FL-S系列串行外設(shè)接口(SPI)閃存與 Spansion ML-G1 系列 SLC NAND 閃存已獲得賽靈思閃存設(shè)備認(rèn)證，可用于 Zynq-7000 全可編程SoC系列產(chǎn)品的配置與數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
關(guān)鍵字： Spansion 賽靈思嵌入式閃存

JEDEC 發(fā)布通用閃存標(biāo)準(zhǔn) （UFS）2.0版

微電子產(chǎn)業(yè)全球領(lǐng)導(dǎo)標(biāo)準(zhǔn)制定機(jī)構(gòu)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)日前發(fā)布通用閃存(UFS)標(biāo)準(zhǔn)2.0版。該標(biāo)準(zhǔn)專(zhuān)為需要高性能低功耗的移動(dòng)應(yīng)用和計(jì)算系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。相比前一版本，新的UFS 2.0版提供更大的鏈路帶寬以提高性能，延伸安全功能，并進(jìn)一步降低功耗。
關(guān)鍵字： JEDEC UFS 2.0 閃存

LSI演示新一代SandForce閃存控制器的NVMe解決方案

LSI公司(NASDAQ: LSI)宣布，在英特爾開(kāi)發(fā)者論壇上，演示其用于新一代LSI? SandForce? 閃存控制器的NVM Express (NVMe) 解決方案。
關(guān)鍵字： LSI 英特爾閃存 NVMe

共567條 15/38 |‹ « 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 » ›|

閃存介紹

【閃存的概念】閃存（Flash Memory）是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫(xiě)而不是整個(gè)芯片擦寫(xiě)，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]