閃存 文章 進(jìn)入閃存技術(shù)社區(qū)
PMC FlashTec NVRAM：抓住閃存細(xì)分市場需求
- 當(dāng)前，基于閃存的創(chuàng)新已經(jīng)成為數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域最大的熱點，市場上已經(jīng)涌現(xiàn)出五花八門的閃存產(chǎn)品。大家公認(rèn)閃存對于數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的加速效果十分明顯，無論是服務(wù)器內(nèi)部的固態(tài)硬盤、PCI-E閃存卡還是混合陣列、全閃存陣列都已經(jīng)在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域得到驗證，尤其是隨著閃存成本價格穩(wěn)步下降，閃存在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域的應(yīng)用趨勢必然加快。同時，隨著云計算、大數(shù)據(jù)、社交網(wǎng)絡(luò)、移動化四大趨勢的來臨，超大型數(shù)據(jù)中心用戶對于加速的需求更進(jìn)一步，傳統(tǒng)的閃存產(chǎn)品已經(jīng)不能較好滿足超大型數(shù)據(jù)中心用戶某些關(guān)鍵性應(yīng)用需求，超高性能的閃存產(chǎn)品成為這些超大型數(shù)據(jù)中
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干掉閃存 下代MRAM首次展示：快7倍
- 近日，日本TDK首次展示了新型存儲技術(shù)MRAM的原型，有望取代如今遍地都是的Flash閃存。MRAM全稱磁阻隨機(jī)訪問內(nèi)存，已經(jīng)存在一段時間了，但是TDK將其帶到了一個新的高度。它以磁荷為數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)，而它的名字來自自旋傳輸矩，也即是寫入數(shù)據(jù)的時候利用電子角動量來改變磁場。 MRAM技術(shù)的讀寫速度可以媲美SRAM、DRAM，當(dāng)同時又是非易失性的，也就是可以斷電保存數(shù)據(jù)，等于綜合了RAM、Flash的優(yōu)點?！ DK多年來一直在研究STT-MRAM，但此前從未公開展示。這次拿出的原型芯片和一個NOR&n
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干掉閃存 - 下代MRAM首次展示：快7倍
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- 近日，日本TDK首次展示了新型存儲技術(shù)MRAM的原型，有望取代如今遍地都是的Flash閃存。MRAM全稱磁阻隨機(jī)訪問內(nèi)存，已經(jīng)存在一段時間了，但是TDK將其帶到了一個新的高度。它以磁荷為數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)，而它的名字來自自旋傳輸矩，也即是寫入數(shù)據(jù)的時候利用電子角動量來改變磁場。 MRAM技術(shù)的讀寫速度可以媲美SRAM、DRAM，當(dāng)同時又是非易失性的，也就是可以斷電保存數(shù)據(jù)，等于綜合了RAM、Flash的優(yōu)點。 TDK多年來一直在研究STT-MRAM，但此前從未公開展示。這次拿出的原型芯片
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市場報告：蘋果將在2015年購買全球25%閃存
- 根據(jù)臺灣市場研究公司Trendforce的最新報告，蘋果將在2015年購買全球25%的閃存。DRAM(DynamicRandomAccessMemory)，即動態(tài)隨機(jī)存取存儲器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。蘋果iPhone、iPad和Mac都使用了這種DRAM內(nèi)存。 在iPhone和iPad中，蘋果通常會配備1GB運行內(nèi)存，而Mac配備的內(nèi)存可以高達(dá)16GB。在PC的世界中，使用更高的內(nèi)存可以讓系統(tǒng)運行速度更快，不過增加內(nèi)存的方式現(xiàn)在已經(jīng)逐漸被更換固態(tài)硬盤替代。在移
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中芯國際進(jìn)軍閃存，自主研發(fā)38nm NAND來了
- 雖然規(guī)模和技術(shù)遠(yuǎn)遠(yuǎn)不如TSMC臺積電、UMC臺聯(lián)電等代工巨頭，不過中芯國際(SMIC)這兩年發(fā)展的還不錯，28nm工藝年初也正式量產(chǎn)了，還從 TSMC手中搶到了部分高通處理器訂單，現(xiàn)在他們準(zhǔn)備進(jìn)軍新的市場領(lǐng)域了——向客戶推出38nm工藝的NAND閃存，而且是中芯國際自主研發(fā)的技術(shù)。 中芯國際進(jìn)軍閃存，自主研發(fā)38nm NAND來了 NAND閃存的重要性不必說，目前SSD固態(tài)硬盤以及消費電子上所用的存儲器多數(shù)都是基于NAND閃存，目前全球主要的NAND產(chǎn)能都掌握在三星
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SanDisk宣布11億美元收購Fusion-io
- 北京時間6月16日晚間消息，SanDisk(102, 3.53, 3.58%) Corp(SNDK)周一宣布，已同意以11億美元現(xiàn)金收購閃存設(shè)備制造商Fusion-io Inc(FIO)。 根據(jù)交易條款，SanDisk將為每股Fusion-io股票支付11.25美元，較該股上周五收盤價溢價21%。 SanDisk預(yù)計此項交易將于其第三財季完成，并將幫助提高其下半財年調(diào)整后每股盈利。 Fusion-io位于美國鹽湖城，主要為數(shù)據(jù)中心生產(chǎn)閃存產(chǎn)品和軟件;Sandisk位于加州
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TDK推出支持M.2 form factor的SSD SNG4A系列
- 據(jù)悉，TDK株式會社(社長：上釜健宏)將于2014年8月開始銷售工業(yè)用NAND閃存模塊SNG4A系列，該系列產(chǎn)品支持M.2插槽、是尺寸約22mm×42mm的小型SSD，通過采用SLC型NAND閃存使容量陣容可擴(kuò)充至64GByte，并支持串行ATAⅡ。 目前，在消費用途方面M.2作為今后主流的form factor而備受關(guān)注，而在工業(yè)用途方面，預(yù)計M.2的采用也會得到推進(jìn)。工業(yè)用主板所呈現(xiàn)出的趨勢是在重視轉(zhuǎn)發(fā)速度的同時，更加重視可靠性，許多裝置的使用年限都超過了10年。 因此，考
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Spansion 對旺宏電子發(fā)起另外兩項專利訴訟
- 行業(yè)領(lǐng)先的嵌入式市場閃存解決方案創(chuàng)新廠商Spansion 公司(紐約證交所代碼：CODE)于2014年 05 月 08 日宣布對旺宏電子股份有限公司發(fā)起另外兩項專利訴訟，控告其在 NOR Flash 和 XtraROM 等一系列廣泛且不斷擴(kuò)大的存儲產(chǎn)品中，在過往以及當(dāng)前持續(xù)侵犯 Spansion 的諸多專利。Spansion 分別向美國國際貿(mào)易委員會(ITC)與北加利福尼亞州聯(lián)邦地區(qū)法院遞交了起訴書。 涉案的四項專利主要與閃存的制造、結(jié)構(gòu)以及使用相關(guān)。在 2013 年 8 月向 ITC 與北加利
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美光在上海加大研發(fā)，實現(xiàn)“中國設(shè)計”
- 2014上海慕尼黑電子展期間，美光科技公司嵌入式業(yè)務(wù)部門營銷高級總監(jiān)Amit?Gattani告訴《電子產(chǎn)品世界》，美光看好中國的前景，因為中國“十二五”計劃當(dāng)中明確提出要建立智慧城市、智慧交通、節(jié)能環(huán)保，實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展，注重汽車產(chǎn)業(yè)的節(jié)能排放以及創(chuàng)新，這一切都和美光公司的戰(zhàn)略相吻合?！ ∧壳懊拦庠谏虾Ｓ袃蓚€設(shè)計中心，主要是做硬件和集成電路設(shè)計，比如開發(fā)NOR閃存等產(chǎn)品，分別在浦東和漕河涇。還有2012年剛剛建成的美光公司系統(tǒng)工程實驗室，旨在與客戶實現(xiàn)更好的合作，創(chuàng)新開發(fā)各種解決方案。此外美光
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LSI Nytro新品支持橫向擴(kuò)展
- 全新Nytro產(chǎn)品閃存容量翻番，端口增加4倍，適用于大型數(shù)據(jù)中心。企業(yè)級PCIe閃存和緩存解決方案在數(shù)據(jù)中心的應(yīng)用快速增長?！ SI公司日前宣布推出Nytro?MegaRAID??8140-8e8i閃存卡，進(jìn)一步擴(kuò)展了Nytro?產(chǎn)品組合。該閃存卡設(shè)計用于對磁盤數(shù)量和容量有較高要求的橫向擴(kuò)展服務(wù)器和存儲環(huán)境，其可提供1.6TB的板載閃存容量和16個SAS/SATA連接接口。相對于現(xiàn)有的Nytro?MegaRAID閃存卡而言閃存容量翻番，端口數(shù)增加4倍?！ SI?&nb
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英特爾固態(tài)盤：不斷創(chuàng)新滿足用戶需求
- 在今天開幕的英特爾信息技術(shù)峰會(Intel?Developer?Forum，IDF14)上，英特爾公司副總裁兼非易失存儲器解決方案事業(yè)部總經(jīng)理Rob?Crooke就當(dāng)今固態(tài)盤(SSD)的市場狀況、發(fā)展趨勢以及英特爾固態(tài)盤業(yè)務(wù)的策略進(jìn)行了全面剖析。 日益增長的固態(tài)盤市場需求 從1987年至今，非易失性存儲器也早已從NOR時代切換到了NAND時代，閃存產(chǎn)品的容量更是從MB時代進(jìn)入了TB時代?！笆紫?，我們很高興地看到，固態(tài)盤在市場需求方面，將保持高速成長的勢頭，”?
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閃存介紹
【閃存的概念】
閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]
閃存電路
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